LLC 环路设计讨论

杨波的论文里提到过,但是不具体

想请教楼主一个问题呀.
LLC谐振上管要实现ZVS,首先是下管结电容COSS2充电,上管的结电容COSS1放电,只要当COSS1充电到VIN+0.7V左右,上管体内二极管放可以导通,此时才可以实现ZVS.这样理解对?如果是对的那么下管COSS2上面的电压怎么充到那么高的电压?如果是错的还望楼主详细讲解一下.

顶!!
我也被这个问题一直困扰

是这样的,
基本上, 可以理解为, 在VGS变高前一刻, 有电流从MOSFET的体二极管流通, 使得VDS接近零(实际-1V左右), 这样就实现了在VDS=0开通沟道. 即ZVS.

在谐振腔电路与负载总效果呈感性时, 电流滞后于电压, 这样ZVS就可以实现了. 你讲的Coss充放电就是由这个滞后电流实现的. 注意MOSFET管上的电流是有正有负的.

跟一般的环路设计差不多吧,刚开始搞个比例环节进行补偿,测出来再慢慢调..

搞个比例环节进行补偿 是什么意思啊?

谢谢,DEEP-THOUQHT指点.这点我是可以理解的.我搞不懂的是,HB点的电压怎么能上升那么高.谐振时候,漏感和谐振上面的电压几乎为0,初级电感上面的电压又被输出反射为NV0.还希望你多多指点?我个人认为是结电容很小,可以在小于死区时间能内充到很高的值,正是由于VIN的存,有个乾位的作用,使HB点的电压被充到VIN+0.7不知道是否正确.