关于Mosfet和GaN的仿真问题

在一些仿真软件比如PSIM中，我们可以直接选用一些开关器件，但是这样的开关器件在初始状态下是理想的，是没有损耗以及通断延时的。

我现在希望通过仿真去获得GaN开关器件与MOSFET开关器件的损耗对比，我可以在一些厂家中获得GaN以及MOSFET的参数，但是这些参数应该怎样在PSIM或者LT SPICE中得到应用从而使我们的仿真具有现实意义呢？

以及哪些区别会具有实际的意义？比如功率损耗以及什么其他的区别呢？