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TOP252-258的输出功率受到了封装方式的影响

  

         单块的开关电源控制集成芯片，结构简单外部所需要元件比较少比较好用。TOPSwitch （TOP252-258）里面把功率管MOSFET、高压开关电流源、PWM控制器及其他控制电路都集中在一起了发热比较大。 内部的发热量限制了输出功率的大小， 封装方式决定散热条件，热量发不出来，热量下降不了就会限制了输出功率的大小。     

        通常 Y封装(TO-220)或E封装(eSIP-7C)的散热部分电气上与源极引脚内部相连接，散热效果比较好！使用P(DIP-8)、 G(SMD-8) 或M(DIP-10)型封装时，只能通过器件下靠近源极引脚的铜片区 域起到散热作用。散热效果比较差，输出功率会小好多。在双面电路板中，连接顶层和底层之间的过孔也可用来提高散热。

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ycdy09@163.com
LV.9
2
2018-07-06 16:16
 现在的eSIP封装可以使用简单的夹片式散热片降低了制造成本。
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红枣加桂圆补气又养颜
LV.6
3
2018-07-06 16:38
Y封装(TO-220)，E封装(eSIP-7C)，P(DIP-8)、 G(SMD-8) ，M(DIP-10)封装。
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x1995418
LV.8
4
2018-07-06 17:31
@ycdy09@163.com
 现在的eSIP封装可以使用简单的夹片式散热片降低了制造成本。
在通用输入电压范围下、使用P、G和M封装无需散热器时输出功率最高达35 W，230 VAC输入时输出功率最高达48 W。
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紫蝶
LV.9
5
2018-07-07 07:59
@红枣加桂圆补气又养颜
Y封装(TO-220)，E封装(eSIP-7C)，P(DIP-8)、 G(SMD-8) ，M(DIP-10)封装。
封装不同，只是看产品尺寸要求了，相同功率的插件封装好散热，其他的也行。
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紫蝶
LV.9
6
2018-07-07 08:00
@红枣加桂圆补气又养颜
Y封装(TO-220)，E封装(eSIP-7C)，P(DIP-8)、 G(SMD-8) ，M(DIP-10)封装。
一般SMD的封装，底部有个散热面，设计板子时注意散热工艺就行。
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紫蝶
LV.9
7
2018-07-07 08:02
利用铜片散热，这个功率大了也不好做，毕竟芯片管脚的面积是瓶劲。
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z1249335567
LV.8
8
2018-07-23 15:30
@紫蝶
利用铜片散热，这个功率大了也不好做，毕竟芯片管脚的面积是瓶劲。
只能通过器件下靠近源极引脚的铜片区域起到散热作用
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z1249335567
LV.8
9
2018-07-23 15:33
@紫蝶
一般SMD的封装，底部有个散热面，设计板子时注意散热工艺就行。
有些封装是在芯片的顶部，有的是芯片的底部，下面的只能靠PCB散热。
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z1249335567
LV.8
10
2018-07-23 15:39
@紫蝶
封装不同，只是看产品尺寸要求了，相同功率的插件封装好散热，其他的也行。
输出功率比较大的时候还是选择TOP220封装或者其它大封装比较好。
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z1249335567
LV.8
11
2018-07-23 15:46
@x1995418
在通用输入电压范围下、使用P、G和M封装无需散热器时输出功率最高达35 W，230 VAC输入时输出功率最高达48 W。
P(DIP-8)、 G(SMD-8) 或M(DIP-10)属于小功率的封装形式，大功率还是Y封装(TO-220)或E封装(eSIP-7C)。
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z1249335567
LV.8
12
2018-07-23 16:01
@ycdy09@163.com
 现在的eSIP封装可以使用简单的夹片式散热片降低了制造成本。
eSIP-7B也是可以安装散热器的，也可以直接贴在PCB板上面。
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