为啥没有高端用晶闸管，低端用MOS的全桥？

顶

菜鸟，等你先把可控硅搞懂再问

EMM, 可控硅难道不是我帖子里说的那样么？我下桥臂MOS开了再触发它直接导通了，把下桥臂MOS关断上面SCR没正向电流难道不会自行关断？不一样是全桥的效果么~

单就书上的理论知识我可能比你能背的还多得多，理论计算也不差哪去，如果你知道麻烦你具体说说看。

上午在学校电脑上随手搭了个模型是可以出波形的（我知道有保护电路，但是理论验证没必要那么繁琐）。

希望你能展开说说，让我这菜鸟学习学习！！

這波型看來很漂亮, 把周期拉到25uS , 50uS 看看, 另把VG_K兩點電壓波形秀出來看看.......

他原理图上上管给的可不是可控硅，是IGBT,频率到20KHZ波形还是对的。

突然想到，你是不是把IGBT当成了可控硅。

不是，图里面是三极管，是TRANSISTOR，而且是三极管简化模型！我晕，拖的时候拖错了（三极管就在SCR下面），我说老哪里怪怪的，图也不像。

晶闸管的问题想通了，一开始我只想的要能让这东西保持导通就行了，但是晶闸管导通的条件是ANODE和GATE级有正向电压，触发脉冲和电流保持一定时间达到擎住就能维持正向导通。做桥的时候，下管导通了，但是上管一旦导通负载上电流也起来了，负载上就会有电压，GATE级电压的问题就和MOS上问题一样了，换SCR也没什么意义了，跟用MOS一回事；用SCR还损失了开关频率，增大了导通不确定性。

实际上如图用三极管也是不行的，因为那只是简化模型，实际上损耗、压降、B级的电流也要考虑，还不如用MOS好。

综上，问题解决了。一根筋想不通真可怕~~谢谢大家了，我还是老老实实玩MOS驱动吧~

emm，知道为啥了，在下面一楼，谢啦！一根筋考虑问题真要命！

我想看Vgk, 是以15V位准根本不可能让上桥导通，除非上桥是一颗J-FET........ 

上桥是软件里的“理想三极管”（ideal transistor），multisim软件在Power那一类下面就有这个东东。看成了thyristor，还以为是晶闸管。

我认为这学生有想法，因为这种要是CasCode结构就可以达成，而他的想法就是CasCode,，可惜他方像错了........