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求教关于MOS管DS之间RCD吸收保护电路的问题

在设计一个高频开关电源,有一些关于RCD吸收保护电路的疑问,想请教各位大神

其中MOS开关频率为1000khz, DS之间控制的电压为几KV,DS之间RCD吸收缓冲电路中RC 频率与MOS管开关频率有什么关系?

网上有说 RC频率是10-20倍开关周期,还是不放心,于是想请教下大神下面几个问题。

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1)RCD中 RC频率是开关频率多少倍?

2)RCD缓冲电路RC取值分别大概是多少?

3)由于DS之间电压比较高大概几KV。快速二极管D耐压普遍在1200V以内,请问可否串联??串联几个1000V合适呢?

最好能推荐下快速恢复二极管D型号,Trr 40纳秒适的二极管可以适用这个1000KHZ开关频率吗?

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紫蝶
LV.9
2
2018-06-18 08:38
开关频率与电路工作频率有关的,吸收尖峰的。
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2018-06-25 15:35
单管反激吗?如果输入直流电压超过1kV,建议采用双管或桥式电路。
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