MOSFET选的型号是ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF12N50UT, 10 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
这是MOSFET的数据手册 FDPF12N50UT.pdf
MOSFET Ciss = 1395pf Coss = 190pf Crss = 17pf
这是我的MOSFET驱动电路
我按照一篇文章进行计算 这个变压的参数，但我感觉有问题，下面我把算的过程写下去。
这篇文章在这里 功率MOSFET管驱动变压器设计.docx
时间常数 t = R1 * Ciss = 10 x 1395 x 2(两个MOSFET) * 10^-12 = 2.79 * 10 ^- 8s
栅极电压 uciss = U1 * (1 - e^(- 1/t) ) = 5.72799994102 * 10 ^ - 8 V
栅极串联电阻R1 电流 i = U1/R1 * e^(- 1/t) = 1.599999994A
瞬时功率p = U1^2/R1 * e^(1/t) = 25.59999990822W
上升时间 tr = 2.2*t = 6.138*10^-8s
驱动变压器设计
输出电流有效值 I = 根号（Ciss/R1 * f）*U1 f = 50Khz
= 0.05975951808A
变压器功率 P = I * U1 = 0.95615228928W
系统临界振荡的变压器漏感
Ls = 0.25 * Ciss * R1^2 ( 我使用了2个MOSFET)
= 0.25 * 1395 * 2 * 10^ -12 * 10^2
= 0.06975uH
驱动变压器的选择
驱动变压器的磁芯我是参照《开关电源设计第三版》这本书的正激部分的变压器设计的，为什么用正激部分的计算公式，是因为我看了这篇文章 浅谈脉冲驱动变压器.pdf
驱动变压器的磁芯我查表后选择了813E817这个型号
初级匝数计算
Np = [ (Vdc - 1)(0.8T/2) * 10^8 ]/AeDb
= [ 15 * (0.8 * 1/50Khz / 2 ) * 10^8 ] / (0.225cm^2 * 1600G)
= 33.333匝
次级匝数计算
Vom = [ (Vdc - 1) Nm/Np - Vd ] Ton/T
= [ 15 * Nm/Np - 1 ] * 0.8
= [ 15 * Nm/ 33.333 - 1] * 0.8
16V = [ 15 * Nm/ 33.333 - 1] * 0.8
Nm = 46.662匝
初级线径 = 初级电流有效值 * 500圆密耳
我不知道初级电流有效值是多少
初级线径怎么算？求指导
次级线径 = 输出电流有效值 * 500圆密尔
= 0.05975951808A * 500
= 29圆密耳 = 0.014694516894mm^2
求教，我的计算流程有没有问题，感觉线径和匝数计算的是错的
