前些天从某外文网页看到一篇文章,是说MOS管的DV/DT的.
看看有些意思,就全部截图弄下来了.
这几天一点点的翻译整理发上来,大伙看看有没有什么新问题和新发现.
当然我并不懂英语,因此都是翻译软件的功劳.我也是简单的过一遍,如有错漏请指正.
先开个头,以下内容,如有侵权或错误,请告知,会第一时间更正或删除.
MOSFET的dv/dt速率:
dv/dt表示随时间变化的电压变化率，
是指MOSFET的开关瞬间其ds电压的变化速率，
由开关影响引起,过快的dv/dt速率可能会导致MOSFET的错误或永久损坏，
这取决于它的使用情况。
下面对某些mosfet的dv/dt性能进行说明:
当出现dv/dt斜坡时。
影响MOSFET正常运行的dv/dt斜坡如下:
(图片稍候补上)
在切换转换过程中，漏源电压显示一个dv/dt坡道。
MOSFET漏源电压有一个dv/dt斜坡，其固有体二极管从正向导通模式过渡到反向恢复模式。
MOSFET的漏源电压会在栅极米勒平台处出现一个变化
栅极电压的变化会引起漏电流的变化，从而导致漏极电位的变化，从而导致漏极电压vGD的变化。
在VGS上升过程中的米勒平台区域，栅极电压不会增加。
