有关驱动mos管IRF540N设计问题。

当前的设计采用前级推挽电路驱动mosfet，按照道理来讲为了让mos管尽量远离米勒效应的影响，不是应该提高驱动电压和增大电流输出能力吗，为什么要在推挽电路驱动输出的接栅极时，接入一个330欧姆的电阻呢，这样做不是起到了限流的作用，反而降低了电流输出能力吗，没怎么看懂这样的设计，大神们帮解析一下，三克油。