如何让MOS快速导通和关闭？

请教如何让MOS快速导通和关闭？

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hylylx

LV.9

2018-04-17 09:15

可劲的抽拉电荷

最爱电源

LV.6

2018-04-17 10:04

@hylylx

可劲的抽拉电荷

比较愚钝，烦请出个图纸看看。

juntion

2018-04-17 17:56

高壓, MOSFET_P控制閘會受不了, 如圖:

把Low 信號箝位到30V, 此時VGS = 48V-30V = 18V

High 由Q3快速洩放.......

QWE4562009

LV.6

2018-04-18 09:10

@juntion

高壓,MOSFET_P控制閘會受不了,如圖:[图片]把Low信號箝位到30V,此時VGS=48V-30V=18VHigh由Q3快速洩放.......

3906直接接地，去掉ZD1不可以吗？？我看推挽都是那样的啊

juntion

2018-04-18 12:21

@QWE4562009

3906直接接地，去掉ZD1不可以吗？？我看推挽都是那样的啊

不可以，因为3906去掉稳压管，则Low信号为Vin, Mosfet只能承受最大25V, 去掉稳压管一导通你Mos就挂了.....

最爱电源

LV.6

2018-04-19 23:36

@juntion

不可以，因为3906去掉稳压管，则Low信号为Vin,Mosfet只能承受最大25V,去掉稳压管一导通你Mos就挂了.....

客户的要求让老大的电路还是不能解决问题。

juntion

2018-04-20 12:20

@最爱电源

[图片]客户的要求让老大的电路还是不能解决问题。

把你的SPEC需求貼出來吧, 這樣的範圍電壓那電路當然不行, 因為當最高前衛設計在98V時, Vth=4.5V, 限制點為

18V-4.5V=13.5V往下掉電壓只要低於98V-13.5V = 84.5V

低於84.5V, PMOS就會打不開....除非用N-MOS, 若你堅持用P-MOS, 那必須用到動態箝位,所以把你連同LED端要求貼出來....

QWE4562009

LV.6

2018-04-20 13:49

@juntion

不可以，因为3906去掉稳压管，则Low信号为Vin,Mosfet只能承受最大25V,去掉稳压管一导通你Mos就挂了.....

HIGH是VIN吧

juntion

2018-04-20 14:39

@QWE4562009

HIGH是VIN吧

對P-MOS而言, LOW 為 Vin, Hihg 叫做零伏........

最爱电源

LV.6

2018-04-20 19:56

@juntion

把你的SPEC需求貼出來吧,這樣的範圍電壓那電路當然不行,因為當最高前衛設計在98V時,Vth=4.5V,限制點為18V-4.5V=13.5V往下掉電壓只要低於98V-13.5V=84.5V低於84.5V,PMOS就會打不開....除非用N-MOS,若你堅持用P-MOS,那必須用到動態箝位,所以把你連同LED端要求貼出來....

最爱电源

LV.6

2018-04-20 19:59

@juntion

對P-MOS而言,LOW為Vin,Hihg叫做零伏........

这是曝光机上使用的控制器，客户在修改老的曝光机，根据机型的尺寸，LED多少颗不一定，而且它是紫外光365波长和385波长混搭在一起使用，总的下来电压范围在72-98V之间。要求电流在0-2A范围内可调。我现在用一个108V的直流电源去推一个降压DC-DC的电源，中间还要一个高位开关（MOS不能放在底位），用于关闭和开启光源的作用。由于不同机型的原因，有时这个机型用到72V,那个机型可能用到85v,另一个可能用到98V，因此想做一个适合多种机型的控制器。你提出动态箝位是一个很好的方案，就不知这电路是什么样的。

juntion

2018-04-25 14:41

@最爱电源

抱歉, 把你這帖給忘了..

如圖

正動作原理為:

送電初期, Q4導通, 所以MOSFET截止, Q2也是導通, 所以C1沒電壓, 但隨著B點電壓上升, 則A點電壓也會逐步上升

此時電流由R3提供..........

當B點電壓到達 "A點電壓 - Vbe" 時, 電壓停止變化, 所以MOSFET導通所需電壓就等於是VC1電壓

決定R4,R5 與 A點, B點電壓

令, Vin 為 70V時, P-MOS_VGS = 12V,則A點電壓為 70-12V = 58V , Vbe = 0.6

則B點電壓為58V - 0.6V =57.4V ;; R4 / R5 倍率值=((Vin/VB)-1) =((70V/57.4V)-1) = 0.21倍

R5 選 33K , 則 R4 = R5 * 0.21 =33K * 0.21 = 6.93 , 取 6.8K ; 所以R5 = 33K , R4 = 6.8K

重新再驗算 :

當

Vin = 70V B點電壓為 (70 * 33K) / (33K+6.8K) = 58.0V , A點則為 58.0V+0.6V A點電壓為58.6V

所以VGS(Low) = 70V -58.6V =11.4V , P-Mos可以導通

當

Vin = 100V B點電壓為 (100 * 33K) / (33K+6.8K) =82.91V , A點則為 82.91V+0.6V A點電壓為83.5V

所以VGS(Low) = 100V-83.5V = 16.5V , P-Mos可以導通

ZD1則是做最終箝位用, 而當你最大輸入電壓接近100V時, 三極體部份耐壓需要用到高耐壓, C1則為Low 位準保持

點, 電容應以電解為準, 高速切換時才可以保持能量.......

最爱电源

LV.6

2018-05-01 18:18

@juntion

抱歉,把你這帖給忘了..如圖[图片]正動作原理為:送電初期,Q4導通,所以MOSFET截止,Q2也是導通,所以C1沒電壓,但隨著B點電壓上升,則A點電壓也會逐步上升此時電流由R3提供..........當B點電壓到達"A點電壓-Vbe"時,電壓停止變化,所以MOSFET導通所需電壓就等於是VC1電壓決定R4,R5與A點,B點電壓令,Vin為70V時,P-MOS_VGS=12V,則A點電壓為70-12V=58V,Vbe=0.6 則B點電壓為58V-0.6V=57.4V ;;R4/R5倍率值=((Vin/VB)-1)=((70V/57.4V)-1)=0.21倍 R5選33K,則R4=R5*0.21=33K*0.21=6.93,取6.8K ;所以R5=33K,R4=6.8K 重新再驗算: 當Vin=70V B點電壓為(70*33K)/(33K+6.8K)=58.0V,A點則為 58.0V+0.6VA點電壓為58.6V所以VGS(Low)=70V-58.6V=11.4V,P-Mos可以導通當Vin=100VB點電壓為(100*33K)/(33K+6.8K)=82.91V,A點則為82.91V+0.6VA點電壓為83.5V所以VGS(Low)=100V-83.5V=16.5V ,P-Mos可以導通ZD1則是做最終箝位用,而當你最大輸入電壓接近100V時,三極體部份耐壓需要用到高耐壓,C1則為Low位準保持點,電容應以電解為準, 高速切換時才可以保持能量.......

ZD1（18V）会损坏吗？