你可以使用一支差分，一支普通探棒，测量上下MOSFET_G, 再用一支探棒测MOS中点，看一下 Ton, Toff交越情形，假设交越严重，那么Mos中点㑹出现一个严重下拉波形，这时
你需要改变驱动mos_g电阻，若若改变无效，那换Item.....
若以经发生，需做逆向分析，那将mosfet去封装后，看Die内部情形，大面积烧溶为电流交越，单点或小面积损毁或一个黑点，那是电压交越...
就是看上桥与下桥在上升与下降缘的交越是否有同时导通情形，若没有，则看中点是否有拉负压...
两相交越电流㑹击穿，过大负压电压㑹击穿....
看交越都是看上下各自的VGS, 而所謂的中點負壓指的是在上下MOSFET都不導通時, 或兩端輕微交越, 因為變壓器迴路相當於開路此時中點會有一個 Short threshole, 此電壓會往下壓或往上竄, 此時gate 會很容易被擊穿..
