反激设计一般先从反射电压或最大占空比入手,这二者是相互关联的都与匝比n有关,如果直接从匝比n入手则更直观(见下图)。
图1-1 反射电压、占空比与咋比n的关系
上图中取n=14,反射电压Vor=80V,占空比Dmax=0.45。
反激设计一般先从反射电压或最大占空比入手,这二者是相互关联的都与匝比n有关,如果直接从匝比n入手则更直观(见下图)。
图1-1 反射电压、占空比与咋比n的关系
上图中取n=14,反射电压Vor=80V,占空比Dmax=0.45。
暂取电感Lm=400uH,算得Vin=100V、Pout=60W条件下的电流纹波率r=1.2、占空比Dmax=0.44,电流纹波率和占空比同输出功率的关系如下:
图1-5 低压时r、Don与输出功率的关系
取电感Lm=400uH,算得Vin=300V、Pout=60W条件下的电流纹波率r=2.428、占空比Dmax=0.191,电流纹波率和占空比同输出功率的关系如下:
图1-6 高压时r、Don与输出功率的关系
第三步计算AP值选磁芯
图3-1 Ap值与电流纹波率r的关系
根据之前的条件输入电压Vin=100V、电感Lm=400uH、开关频率fo=60Khz、输出功率60W,计算出电流纹波率r=1.2。假设窗口系数Ku=0.4、Bm=0.2T 、Jm=400A/cm^2,算出最小Ap=0.707。
如图3-1,CCM模式越深Ap值越大(变压器体积越大),《精通开关电源设计》的作者建议r≈0.4为最优值。
1、因这里的Bm、Jm都是假设的所以得出的Ap值只能作为选型参考,后续还要进行反向验算(损耗分析)。
2、实际磁芯Ap值不是连续的有的间隔会较大可能会造成设计上的“浪费”,这时可以通过修改开关频率、电流纹波率等参数来重新修正设计。
前面假设初次级匝比Nz=14,考虑到线圈只能取整数圈(或半圈)实际上取匝比Nz=14是不合理的,见下图输出匝数分别为2、3、4的匝比关系。
图4-2 匝比与初级匝数
如图4-2如果将匝比控制在14-16之间则有5个可选值,这里选np=48、ns=3、Nz=16,重新修正参数得:
图4-3 匝比Nz=16时的参数
初级匝数np可调节铜损和铁损比例np越大铜损比例越大,资料中多是按Bmax=0.2T来计算(这里np=44)貌似铁损比例大一些效率更高?期望在损耗分析中能找出答案。