IGBT与MOS差异有那些？如何选用？

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降
低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压
降低。 专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为
输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率可以做的很大。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两
种类型（juncTIon FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极
型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域
宽等优点。

这算最佳解答?楼主傻了么?这种资料网上找就有，干嘛来问?...... 误人子弟!!

IGBT为MOS与BJT结何体，就如资料所言，但IGBT并不是速度快，而是速度慢，一般IGBT操作上限频率不超过25KHz, 超过很容易崩溃，虽然现有操作频率高的IGBT, 但是因为大多使用在高功率，没人敢冒险...... 

IGBT的尤点是电流密度大，耐流200A~500A很普遍，但尤于是BJT与MOS结合，所以存在BJT特性--饱和电压，一般界于3.2V上下，且存在"当操作温度上升，其ID与散逸功率㑹下降"的缺点，其分界点分为25度C, 100度C两规格，使用上需注意...... 

IGBT又分两类，一是有带内部二极体，一种没有，若用于需有续流场合一定要选具有内部二极体，要不然磁性元件㑹发散....... 

MOSFET称为金属氧化场效应半导体，是以P或N为基座，再施以氧化层堆迭N或P, 中心挖槽植入G控制闸，因此当P或N施加电压与控制闸产生电位时便㑹有电场产生，P与N㑹因为电场吸引产生通道，才㑹称为场效应半导体...... 

而为了区分D或S, 通常在制程中需另长出一颗二极体或外挂于DIE中，以N-MOS为例，二极体N所连接脚称为D, P点则为S, G则以绝缘层厚度让控制电压耐到20V~25V之间，且如前述可以是正或负电压，通道形成强度电场电压称为Vth, 意指超过Vth时D-S即产生低阻，否则即为高阻... 

由于G-S非常靠近，因此两极㑹产生一颗电容称CISS, 而D-S为堆迭，两不相通极片也形成一个电容称CGD，因此才㑹有所谓米勒效应或米勒平台，MOS具有高速操作特性，操作频率一般不低于50KHz, 且具有极低的导通电阻没有饱和电压，因此操作于交换电路可以有极高效率..... 

Mos的电流密度与其材积大小有关，但是越大材积虽然可以流过极大电流，得到极低电阻，但相对CISS与CGD㑹同时升高，始米勒效应更加明显，相对增加交换损失，而解决方式则是始用软切换如零电压切换或零电流切换.. 等

而两者驱动方式可以一致，但操作频率则不㑹相等........