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MOSFET与IGBT的区别
MOSFET与IGBT的区别
从结构来说,以N型
沟道
为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的
衬底
为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过
背面
P型层的
空穴
注入降低
器件
的
导通电阻
,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在
高压功率
产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右;
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斌520
LV.9
2
2018-05-12 12:34
结构和功能不同,驱动方式也不相同
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