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rt8497 系列 台湾立锜 高P非隔离 24W 内置4A平面MOS

RT8497采用非隔离设计, 并采用平均电流检测模式, 搭配成本低廉的单绕组电感,
电流精准度极高;内建高功因及内建谐波失真优化设计, 降压模式下可符合IEC-61000-3-2 Class C规范
高效率设计, IC供电Vcc由Bootstrap提供, 独特零电流侦测切换功能, 提高效率及简化EMI组件
内建过电压保护/过电流/过温/LED开路/短路保护。
RT8497封装为SOP-8, 内含高压MOSFET
RT8497内置500V/2A
RT8497A内置500V/4A

RT8497B内置620V/2A

RT8497C内置620V/1A

RT8497D内置620V/4A

典型应用方案

低成本,高功因(PF>0.95@230VAC),高效率(91%@230VAC) 

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2018-01-29 15:24
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