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基于A316J IGBT驱动电路的求解

做了一个基于A316J的IGBT驱动,看了手册,有些地方不太懂,请教各位大神,和二极管串联的电阻,为了防止IGBT反向并联的二极管,产生大的瞬态正向压降,大于二极管的标称值,在DESAT端产生大的负压尖峰,导致芯片引脚烧坏;对于续流二极管的瞬态电压如何产生的,为啥大于其标称值,我不太理解?还有我也在实验中串联一个100欧的电阻,上三路驱动的DESAT角还是烧坏了,我去网上看了一些资料,有好多在DESAT脚和VE脚并一个稳压管来保护DESAT脚,对于这一点也不太明白啊?哪位大神能给我解释一下

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2018-01-19 10:31
恭喜被添加到社区经典图库,并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2018-01-26 14:10
续流二极管产生瞬态电压是因为二极管的正向恢复引起的,二极管正向恢复特性:二极管的状态从零偏转为正偏的过程中,在它的阳极和阴极之间会出现一个比导通压降高得多的电压脉冲,根据二极管的类型和应用环境,这个电压可能有几十伏到几百伏。发生正向恢复的原因有两个:一,在正偏的过程中,因为电导调制的原因,在I区(即低掺杂N区)要储存大量的非平衡少子,在储存的过程中,I区的载流子是很少的;二,正向电流的上升会因二极管本身的杂散电感而产生较大压降。瞬态即时伏甚至几百伏的电压会通过A316J内部形成回路,所以加100欧姆的电阻就是为了限制电流过大损坏A316J,在DEAT引脚和VE引脚并一个稳压管来保护DESAT引脚也是为了避免过大的电压击穿A316J。
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reborn123
LV.1
4
2018-01-30 11:22
@east何文君
续流二极管产生瞬态电压是因为二极管的正向恢复引起的,二极管正向恢复特性:二极管的状态从零偏转为正偏的过程中,在它的阳极和阴极之间会出现一个比导通压降高得多的电压脉冲,根据二极管的类型和应用环境,这个电压可能有几十伏到几百伏。发生正向恢复的原因有两个:一,在正偏的过程中,因为电导调制的原因,在I区(即低掺杂N区)要储存大量的非平衡少子,在储存的过程中,I区的载流子是很少的;二,正向电流的上升会因二极管本身的杂散电感而产生较大压降。瞬态即时伏甚至几百伏的电压会通过A316J内部形成回路,所以加100欧姆的电阻就是为了限制电流过大损坏A316J,在DEAT引脚和VE引脚并一个稳压管来保护DESAT引脚也是为了避免过大的电压击穿A316J。
串联的电阻,应该是防止产生过大的负压,而并联的稳压管,是为了防止过高的正压损坏DESAT脚,稳压管所防止的瞬间高压是如何产生的呢?也是寄生电感吗?实验中,当驱动未接稳压管时,当Q1烧坏时,三路都进保护,但是对应的Q2,Q3的驱动芯片的DESAT脚烧坏,其他所有路都正常,并上稳压管,电路正常工作,芯片DESAT脚受到保护,Q2,Q3对应的DESAT脚烧坏,应该是承受了瞬态高压,而这个瞬态高压又是从何而来?

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2018-01-30 13:52
@reborn123
串联的电阻,应该是防止产生过大的负压,而并联的稳压管,是为了防止过高的正压损坏DESAT脚,稳压管所防止的瞬间高压是如何产生的呢?也是寄生电感吗?实验中,当驱动未接稳压管时,当Q1烧坏时,三路都进保护,但是对应的Q2,Q3的驱动芯片的DESAT脚烧坏,其他所有路都正常,并上稳压管,电路正常工作,芯片DESAT脚受到保护,Q2,Q3对应的DESAT脚烧坏,应该是承受了瞬态高压,而这个瞬态高压又是从何而来?[图片]
我只见过在DESAT脚加二极管的,在IGBT并联的体二极管正向恢复的时候,DESAT脚所加二极管导通将DESAT脚旁路到地,避免DESAT脚损坏。另外你 ”实验中,当驱动未接稳压管时,当Q1烧坏时,三路都进保护,但是对应的Q2,Q3的驱动芯片的DESAT脚烧坏,其他所有路都正常,并上稳压管,电路正常工作,芯片DESAT脚受到保护“  描述的我看不懂你在说什么!
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