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关于NMOSFET的测试问题

最近在测试NMOSFET的时候,发现一个问题,求大神解答,具体问题如下

       

      问题一: 就是在测试MOS管的耐冲击电流的是候,给个脉冲,然后用负载机带电流去冲击,脉冲分几个挡位,比如10ms冲击一次,就发现个问题,在关断的时候在DS之间会有很高的尖峰,冲击电流越大,这个电压越高,特别是超过100A的时候,超过MOS管的耐压,继续下去就会烧掉,在DS端加电容,反而没有这个问题 

       问题二:在问题一的基础上DS间加电容,测试两种差不多的MOS管,发现MOS里面芯片大的反而冲击电流小,这是为什么,两种级别差不多的MOS,里面的芯片DIE大的反而冲击电流小?,这是什么原因,耐冲击电流与MOS管的DIE大小有关系吗

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小学渣
LV.5
2
2018-01-19 10:47

问题一:冲击电流越大,MOSFET寄生电感产生的尖峰电压越大。在DS间加上高压小电容有利于吸收这个电压尖峰。

问题二:没看明白你的意思。

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六月s
LV.2
3
2018-01-19 10:49
@小学渣
问题一:冲击电流越大,MOSFET寄生电感产生的尖峰电压越大。在DS间加上高压小电容有利于吸收这个电压尖峰。问题二:没看明白你的意思。
就是将MOS管剪开,里面的芯片有大有小,这个大小与冲击电流有关吗,大的冲击电路要大?
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小学渣
LV.5
4
2018-01-19 10:54
@六月s
就是将MOS管剪开,里面的芯片有大有小,这个大小与冲击电流有关吗,大的冲击电路要大?
这个应该与散热有关。大块的能承受相对大的冲击电流所产生的热量。
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六月s
LV.2
5
2018-01-19 11:24
@小学渣
这个应该与散热有关。大块的能承受相对大的冲击电流所产生的热量。
但是大的冲击电流小
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