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管子irfb4227的驱动电路分析

 

      请问各位大神,为啥驱动电路要串一个电容和稳压管?图中红色圆圈部分。这个是管子irfb4227的驱动电路,上面驱动电路比下面驱动电路多串了一个电容和稳压管,上面和下面后级驱动的管子是一样的。上下波形以互补的方式输出,中间的死区时间大概是80ns。

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weixiu123
LV.1
2
2018-01-16 09:18
等待大神来回答
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2018-01-16 10:31
恭喜被添加到社区经典图库,并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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001study
LV.4
4
2018-01-16 10:49
@weixiu123
等待大神来回答
是挺奇怪的做法,使用了独立的供电并没用自举,图纸测绘错了?
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2018-01-16 20:53
图中红色圆圈部分是给irfb4227提供负压,当H0有驱动输出时N管导通时电容充电,左正右负,稳压管限压。当N管截止P管导通时,电容的负压加在管子irfb4227上
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ssp3118
LV.1
6
2018-01-17 18:19
@ouyang2253
图中红色圆圈部分是给irfb4227提供负压,当H0有驱动输出时N管导通时电容充电,左正右负,稳压管限压。当N管截止P管导通时,电容的负压加在管子irfb4227上
请问,提供负压有什么用?为什么下路的不用,需要我测试什么波形数据吗?
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ssp3118
LV.1
7
2018-01-17 18:24
@001study
是挺奇怪的做法,使用了独立的供电并没用自举,图纸测绘错了?
图纸应该没错的,就是这样画的。
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2018-01-18 21:04

电容用来保护驱动线路的,驱动输出高电压时通过C80为驱动管提供Mosfet电容充电电流,同时亦为C80充电,如遇到异常大电流,C80充满后驱动线便不提供电流给MOSFET起来限功率的作用。

驱动输出低电压时,Q30是快速放电管,快速为C80 及Mosfet电容放电

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001study
LV.4
9
2018-01-19 12:26
@solongzeng
电容用来保护驱动线路的,驱动输出高电压时通过C80为驱动管提供Mosfet结电容充电电流,同时亦为C80充电,如遇到异常大电流,C80充满后驱动线便不提供电流给MOSFET起来限功率的作用。驱动输出低电压时,Q30是快速放电管,快速为C80及Mosfet结电容放电
很怪异的用法
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2018-01-19 14:43
@001study
很怪异的用法

這沒有啥好奇怪, 早期IGBT需要加速關斷時, 就必須使用負壓加速關斷, 當砷化鎵場管問世, 負壓使用更是需要, 上述為其中一種, 另一種為上下管驅動獨立供電, 再利用二極體箝位一個負壓於P晶體上作為OFF加速, 且上下都要, 這時操作頻率可以上到200K以上.....

即使現在使用SIC元件, 很多工程師還是會利用負壓加速, 因為不管砷化鎵或碳化硅, 都是標準MOS_PN結的架構

只有一種不需要, 那叫"CasCode" 結構.......

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001study
LV.4
11
2018-01-19 14:49
@juntion
這沒有啥好奇怪,早期IGBT需要加速關斷時,就必須使用負壓加速關斷,當砷化鎵場管問世,負壓使用更是需要,上述為其中一種,另一種為上下管驅動獨立供電,再利用二極體箝位一個負壓於P晶體上作為OFF加速,且上下都要,這時操作頻率可以上到200K以上.....即使現在使用SIC元件,很多工程師還是會利用負壓加速,因為不管砷化鎵或碳化硅,都是標準MOS_PN結的架構只有一種不需要,那叫"CasCode"結構.......
原来如此,还没怎么折腾IGBT
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