请教这个逆变H全桥应该怎么改善

请问这个H全桥可以怎么改善？直流BUS电压35V时，MOS管VDS尖峰已经非常大，当直流BUS电压达到100V左右，MOS管就烧了？该怎么改？

附上Q3-Q5的VDS波形

全部回复(6)

只看楼主

正序查看

倒序查看

LV.2

2017-11-09 17:48

驱动电阻是不是太大了哦

LV.1

2017-11-10 08:08

@xiao9581

驱动电阻是不是太大了哦

R26和R29吗，取多大

2017-11-10 09:59

恭喜被添加到社区经典图库，并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

LV.8

2017-11-14 08:55

C1是吸收电容吧，这种结构的吸收电容只有在特定电流相位时，才有效果，否则会恶化电路指标。

一般C1接地或电源正，但仍对电流相位有要求，只是效果会比你的图上稍微改善一些

LV.1

2018-09-11 17:17

明显的大了啊，选个10R的驱动看看

LV.1

2018-09-11 17:19

你看看波形，开启和截至都有明显的台阶出来了，你是10ms每隔，你看看你的波形开启和关断是多少

工程师都在看