现在数字芯片做一款同步整流BUCK电路，处于调试阶段只有一个电压环。输入40-60V，48V为额定电压，输出12V75单路输出，在48V情况下调试，输入输出正常。电感设计为8UH，在轻载时10A以内能正常工作，即工作在DCM模式，大于10A时不能正常工作，现象为单片机复位。此时处于BCM模式，感觉此电路在CCM模式下不能正常工作。
还有一个问题，我按公式计算电感工作在CCM模式时的电感量为30UH左右，实际要在130UH时电路工作在CCM模式下，为什么差这么多。用示波器测量主开关管观察到的。
求助高手。。。关于BUCK电路的问题
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@米山人家
你确定是8uH电感吗，太小了，di/dt太高，单片机的速度根本来不及控制，而它产生的干扰，让单片机复位太容易了。
我是按公式算的呀差不多呀
你看下我是不是算错了。
Vin：40~60V 输出12V 75A F=100K
T=10us Ton=(12/60)*10=2us
di=75A*0.3=22.5A
UL=60-12-1.5-1.5=45v(电感与输出电容间也有个MOS管处于直通状态做开关用)
L=45*2/22.5=4UH
最终L=4/0.8*0.65=7.69 选择≥8UH
选用猛锌材质天通磁业ER32（扁平磁芯）空间有限 AE=127.8 AL=5700(±25%)
后来用铁硅铝环绕到150UH直接处于CCM模式也是带不动载表现为单片机复位
能不能给推荐个合适的电感值我试一下谢谢
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@abc电源ABC
我是按公式算的呀差不多呀你看下我是不是算错了。Vin：40~60V输出12V75A F=100KT=10usTon=(12/60)*10=2usdi=75A*0.3=22.5AUL=60-12-1.5-1.5=45v(电感与输出电容间也有个MOS管处于直通状态做开关用)L=45*2/22.5=4UH 最终L=4/0.8*0.65=7.69 选择≥8UH 选用猛锌材质天通磁业ER32（扁平磁芯）空间有限 AE=127.8 AL=5700(±25%)后来用铁硅铝环绕到150UH直接处于CCM模式也是带不动载表现为单片机复位能不能给推荐个合适的电感值我试一下谢谢
不建议用这么小的电感量，di/dt大于50A/us， 实际上驱动电路不是那么理想，MOS关闭延迟等都要考虑进去， 工作中各项参数都会超标，Ton只有2us，太小。
电感量取30uH吧，磁芯不能用锰锌。Ton时间不要小于10us，一定要控制di/dt。mcu会复位，一般是di/dt过大，干扰到复位电路
你这个功率不算大，对比一下充电桩的工作环境最大可达500V200A，也是工作在buck状态
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