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请教前辈,同样的参数,不同的封装区别
阅读: 376 |  回复: 11 楼层直达

2017/09/28 12:49:50
1
guochangzhen
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:22
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连长

QQ截图20160321155901  【有奖DIY】工程师本色上演 设计征集活动

QQ截图20160321155901 日本之旅(一)回忆感超强的历史,充满期待的未来 你要不要也来看看




同样的参数,不同的封装,除了功耗不一样外其它参数真一样吗?比如说同样参数的mos管或IGBT管247封装和模块封装其电流真能一样?
标签 MOSFET 磁芯 IGBT
具有清晰的-55至125的八通道D型触发器 IO-Link数字输入集线器参考设计 面向 1000mA 空间受限类应用的同步降压稳压器
4位同步二进制计数器16-TSSOP -40至85 通过EMC/EMI测试的双线制4-20mA发送器设计 具有超低 IQ 的 60V、100mA 双模同步降压稳压器
CMOS可预置二进制加/减计数器 用于人机界面应用的低功耗电容式触摸解决方案 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器
2017/09/28 13:26:14
2
jianyedin
电源币:4988 | 积分:24 主题帖:25 | 回复帖:795
LV8
师长
热阻也不一样吧
2017/09/28 13:45:25
3
juntion[版主]
电源币:897 | 积分:155 主题帖:2 | 回复帖:557
LV8
师长

电流可以一样,因为是同Die, 但模块㑹较好..... 

247封装虽然铜片大,但除了D㑹打在铜片上,S与G必需打铜线到花架上,所以㑹有阻抗,以模块方式内部虽有打线,但很短,且花架也比277粗,

阻抗较低,因此同电流,但模块散逸功率可以较大,奈受性也较好,但就是贵一点,除非不同Die.... 

2017/09/28 21:23:51
4
guochangzhen
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:22
LV4
连长
谢谢回答,但模块的晶粒明显比247封装的大好多,还拿igbt来说,4个60A的单管晶粒还没一个75A的模块的晶粒大
2017/09/29 11:16:17
5
juntion[版主]
电源币:897 | 积分:155 主题帖:2 | 回复帖:557
LV8
师长

這要從晶圓談起, 一顆Die 打在SOT-23花架上, 假設額定電流為4A, 那麼包在TO-252, 可能額定電流為8A, 包在

To-220可能變10A, 因為這是以半導體物理特性的極限算出的, 但是可包在SOT-23的Die, 若用六吋晶圓製作, 良率90%, 則大約可以切割出4.5K左右, 所以一片六吋晶元目前不到100美元, 則去除以4.5K, 那麼每Pics Die其實很便宜

但是封裝就貴了, 因為當電流數增加, 所打的銅線數必須增加, 且花架也貴, 因此當這個Die打在tO-220雖然電流數增加, 但是扣除封裝能賣多少錢?事實上是划不來的....

另外電流需要大, 那麼Die size 面積必須大, 它是成正比的, 要打在TO-220但是Die size 太大, 就只能打在TO-267, 若在規劃時To-267還是放不下, 那麼Die size 必須縮小, 如何縮小? 半保體制做必須開光罩, 而光罩有一層, 兩層.....多層, 每多一層則晶元越貴, 但是Die size 可以縮小, 這就是為何有些TO-267 元件特性很好, 價錢很貴的原因, 主要是層數多, 單顆Die就很貴, 但是沒辦法因為要放在TO-267或是TO-3P, 這大約已經最大的花架了, 要不就回到以前的TO-3, 空間可以更大.....

那回到原題, To-267 的Die 四片都不到模組一片大, 那就表示" 模組空間很大, 所以Die只要一層或兩層, 然後把Die size 變大, 讓通道變大相對承受較大電流" , 這就是為何你看到Die Size 不等比的原因.....



2017/09/29 22:15:43
6
guochangzhen
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:22
LV4
连长
谢谢回答,讲的很详细,那这么说同样参数 小封装尺寸小须多层,大封装尺寸大单层,价钱应该差不多。但实际上同样参数的to247封装价钱会比sot-227封装宜很多,性能也会更差,那么是不是可以认为to-247是虚标呢?
2017/09/29 23:11:56
7
juntion[版主]
电源币:897 | 积分:155 主题帖:2 | 回复帖:557
LV8
师长
也不能这样认为,封装与晶元不同点是:晶元是以光罩层数算,那是固定的,同样六吋同光罩,良率高或切割颗数多则成本就低;;  封装则是以大宗货,则封装就便宜,若不是大宗货那价钱一定贵,另一个是加工难度,以SOP8来讲所带的铜与环氧树酯都很多,若包成DFN5X5不仅铜带的少,树酯也少,但DFN就是比SOP8还贵,你觉的呢?
2017/10/04 20:55:44
10
guochangzhen
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:22
LV4
连长
从本质上讲我还是认为小封装就是虚标,4个60A的单管绝对比不上一个75A的模块,不管从芯片,价格,质量上都没法比。用4个60A的单管做8KW半桥肯定比用75A模块做8KW半桥坏的快
2017/10/05 11:21:49
12
juntion[版主]
电源币:897 | 积分:155 主题帖:2 | 回复帖:557
LV8
师长

半導體的演進, 幾十年來一直在進步, 你說的沒錯, 四個單管要跟一的模片比, 以單片來說當然是不能比, 因為Die Size小, 雖然特性好, 但是因為是半導體, 所以只要半導體就會有所謂的"雪崩係數" (Avalanche), 而雪崩係數是以

每mm^2能承受的焦耳數決定, 所以Die Size越小, 當然雪崩係數越差.......

而發生雪崩通常是因為閉環發散致使失控造成或瞬間很大湧浪電流, 無論是操作間或發生短路.......

所以必須看你的電路結構, 與使用元件...假如同Die Size 則一般 Si (氮化矽) 與SIC (碳化矽) 那麼SIC會比Si強, 這是材質關係, 所以單管雖然Die Size 小, 但是長晶過程用的不會純然是使用氮化矽,會有參雜其他元素, 所以你要說壞的快不快,這我不予置評, 但就設計面來說:

當使用半橋, 上下橋用兩顆並聯, 當掛掉一橋只換兩顆元件, 上下橋同時掛除非設計有瑕疵, 但使用模塊, 不管上喬掛或下橋掛, 換就是全換, 因為不可能拆開換Die.......

參考吧.......  

2017/10/01 19:57:22
8
zz052025[实习版主]
电源币:2615 | 积分:12 主题帖:20 | 回复帖:922
LV8
师长
花架是指?Frame?
2017/10/03 10:56:22
9
juntion[版主]
电源币:897 | 积分:155 主题帖:2 | 回复帖:557
LV8
师长
花架就是Pin 銅引腳, 以SOP8而言, 中心一片銅作襯底, 用連續模打出八隻腳, 左右各4 支, 再把Die 用銅線或金線或鋁線打在銅線上, 所以外邊焊錫部分整體稱為花架, 又以To220而言, 中心接腳為"D" 與鎖螺絲部份一體, 一樣連續模將三支PIN分開, 再將Die打在中心, S與G分別打銅線或鋁線連接, 整體也稱為" 花架"....
2017/10/04 20:56:47
11
guochangzhen
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:22
LV4
连长
祝大伙中秋快乐
该帖有赏
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