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反激开关电源的反射电压

反射电压大了,MOS管可能击穿,

小了,有什么危害,网上说效率会降低,怎么说,难道是Vor减小,Ton减小,初级电流升高,损耗增大吗?

不懂,请指教,谢谢。

要沉了吗,虽然网上有一些解释的帖子,可我就不知道为什么,看不懂,

如我输入15~500V,输出12V、1A,那反激断续模式的话,我的Np:Ns是不是只能取1:1,这样可以保证Dmax是12/12+15<0.5

如果我Np:Ns为2:1,那么Dmax=0.615,连续模式了,

Np:Ns是3:1,那么Dmax=0.705,

就是随着Np:Ns的升高,Dmax在增大,

我貌似懂了,Np:Ns越大,Dmax越大,初级电感量越大,这样初级电流就越小,所引起的开关损耗就小,故而效率就上来了。

那么如题,我要在如此输入输出下,实现断续模式的输出的话,Np:Ns是要为1:1,但是因为初级电流很大,这样的我的效率可能50%都没有,故而为了保证效率,只能增大Np:Ns,降低损耗,提高效率;

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chebd
LV.6
2
2017-09-03 00:57
沙发
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2017-09-03 21:03

反射电压取大了,初级MOS的电压应力大

反之,取值小,次级整流的电压应力大

一般是在低压满载时做到DUTY在0.5左右以平衡

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2017-09-04 13:59

那你嘗試用QR Model PWM IC, 這種IC 操作在BCM模式, 保證Ton max 在45%-48%之間, 只是.....

它的頻率會隨負載變化, 當輸入電壓高時, 操作頻率可能會低到某一個點, 所以必須犧牲變壓器, 將變壓器AE值提高

以彌補Core Loss 防止飽和, 你的效率相對就高了......

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selfhelp
LV.2
5
2017-09-04 21:43
@zz052025
反射电压取大了,初级MOS的电压应力大反之,取值小,次级整流的电压应力大一般是在低压满载时做到DUTY在0.5左右以平衡
次级整流二极管的电压应力怎么算
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appleY
LV.5
6
2017-11-18 14:24
这样计算吧,反射电压是次级反射到初级的,会叠加到初级上,也就是要保证输入在最大时 Vimax + Vor  <= V , 这个V是MOS管的电压耐压减去一个裕量电压,也就是 V = Vmos - Vmos * 30% , 保持30%的裕量(漏感小,裕量可以小点), 650V - 200V  = 450V ,  如果你最高是317V ,那么 450-317 = 133V 就为反射电压,一般应该是不超过这个电压。这个主要考虑开关管的电压应力来计算的。
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