如何实现极低压降的正向导通反向截止的电路?

使用场合,充电芯片充电电压输入端,芯片参考设计上用了一个肖特基二极管
来防止电流反向.
但是充电电流大的时候,这个地方特别烫,有人建议换成Linear的理想二极管,
但是太贵了.

问,能不能用Mosfet简单的实现一个正向导通反向截止的电路? 我对mosfet不熟..
谢谢~~

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LV.8

2008-06-26 23:00

你用很大电流的肖特基二极,其工作在小电流区间正向压降相对较低可至0.1V左右.用PMOS管的话,本身在源漏极之间就有一个二极管,反向会倒通.

LV.2

2008-06-28 16:36

@yanglupu

你用很大电流的肖特基二极,其工作在小电流区间正向压降相对较低可至0.1V左右.用PMOS管的话,本身在源漏极之间就有一个二极管,反向会倒通.

谢谢,我找找大电流肖特基二极管

LV.1

2008-06-30 15:34

不知道你是否要得是二极管的特性,而压降极低的电路.
建议参考锂离子电池保护板的电路,使用2个MOSFET实现低电阻(毫欧姆级)电子开关的功能,不过为了实现正向自动导通,还需要外围电路来控制这2个MOS

LV.8

2008-06-30 23:51

@hjr7581

不知道你是否要得是二极管的特性,而压降极低的电路.建议参考锂离子电池保护板的电路,使用2个MOSFET实现低电阻(毫欧姆级)电子开关的功能,不过为了实现正向自动导通,还需要外围电路来控制这2个MOS

你这个方法也可行.只是很复杂.

LV.2

2008-08-26 11:33

@hjr7581

不知道你是否要得是二极管的特性,而压降极低的电路.建议参考锂离子电池保护板的电路,使用2个MOSFET实现低电阻(毫欧姆级)电子开关的功能,不过为了实现正向自动导通,还需要外围电路来控制这2个MOS

有这个想法,请教如何搭外围?

LV.3

2008-10-08 23:46

可以用MOSFET实现的但可能成本比较高

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