QC2.0 9V,2A输出 升压快充方案
内置15mΩ/10A/14V MOS,
单双节锂电适用
应用元件
1.C1,C2,C5,C6,C8:输入与输出稳压滤波电容。
2.C9:HVDD滤波电容。
3.C3:HVDD经过内部稳压管到Vcc产生5V,此电压会提供内部电路与驱动MOS,需要加稳压电容。
4.C4,C10,R4:系统补偿回路元件,关系到LX方波稳定度与暂态相应速度。
5.R1,R2:FB分压电阻,决定输出电压。
6.R3:改变阻值,调整过流保护点。
7.R10:EN到输入上拉电阻,控制EN下拉地,关闭IC
8.Rout:HVDD限流电阻,避免输出电压过高,击伤IC
9.C12,R8:突波吸收元件,降低LX开关切换突波
10.L1:电感具有储能与滤波功能,感值越大电感涟波越小,相对感值越小涟波越大。选用电感注意电感是否适合高频操作,及电感额定饱和电流值
11.D1:当LX截止时,D1肖特基管导通,提供电感放电回路。
1.大电流路径走线要粗,铺铜走线最佳
2.开关切换连接点L1,LX,与D1,走线要短而粗,铺铜走线最佳
3.输入电容C9靠近HVDD与GND Pin,达到稳压与滤波功效
4.分压电阻R1,R2靠近FB与GND Pin
5.FB Pin远离开关切换点L1,LX与D1,避免受到干扰
6.输入电容C1,C2的地,输出电容C5,C6,C8地与GND Pin,铺铜走线,上下层地多打洞连接
7.输出电容C5的地一定要靠近IC底部散热片GND Pin,降低开关切换突波与输出高频杂讯
8.突波吸收元件R8,C12两者靠近,且靠近LX与GND Pin,R9,C13两者靠近,且靠近D1
9.板子多余空间建议铺地
EMI对策
R8,C12两者靠近,且靠近LX与GND Pin;R9,C13两者靠近,且靠近D1,输出电容C5的地一定要靠近IC底部散热片GND Pin,L2使用磁珠Bead或电感,磁珠参考以下规格,电感选用1μH~2.2μH