QC2.0 9V,2A输出 升压快充方案
内置15mΩ/10A/14V MOS，
单双节锂电适用
应用元件
1.C1,C2,C5,C6,C8:输入与输出稳压滤波电容。
2.C9：HVDD滤波电容。
3.C3：HVDD经过内部稳压管到Vcc产生5V，此电压会提供内部电路与驱动MOS，需要加稳压电容。
4.C4,C10,R4:系统补偿回路元件，关系到LX方波稳定度与暂态相应速度。
5.R1,R2:FB分压电阻，决定输出电压。
6.R3：改变阻值，调整过流保护点。
7.R10:EN到输入上拉电阻，控制EN下拉地，关闭IC
8.Rout：HVDD限流电阻，避免输出电压过高，击伤IC
9.C12,R8:突波吸收元件，降低LX开关切换突波
10.L1：电感具有储能与滤波功能，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电感注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值
11.D1:当LX截止时，D1肖特基管导通，提供电感放电回路。
1.大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳
2.开关切换连接点L1,LX,与D1，走线要短而粗，铺铜走线最佳
3.输入电容C9靠近HVDD与GND Pin，达到稳压与滤波功效
4.分压电阻R1,R2靠近FB与GND Pin
5.FB Pin远离开关切换点L1,LX与D1,避免受到干扰
6.输入电容C1,C2的地，输出电容C5,C6,C8地与GND Pin，铺铜走线，上下层地多打洞连接
7.输出电容C5的地一定要靠近IC底部散热片GND Pin,降低开关切换突波与输出高频杂讯
8.突波吸收元件R8，C12两者靠近，且靠近LX与GND Pin，R9，C13两者靠近，且靠近D1
9.板子多余空间建议铺地
EMI对策
R8，C12两者靠近，且靠近LX与GND Pin；R9，C13两者靠近，且靠近D1，输出电容C5的地一定要靠近IC底部散热片GND Pin，L2使用磁珠Bead或电感，磁珠参考以下规格，电感选用1μH~2.2μH
