电路中mos管是怎么工作的

1. 二极体可供电流很小，如果系统端的消耗只从二极体上供电，MOS会死掉

2. 正常情况下，系统端电压高于bat上电压，此时此MOS gate为高电平，MOS中二极体也不会导通。当切换到bat供电时，系统端SYS电压会降低，（切换中系统电流供应为二极体电流）同时batdrv为low，把P-MOS完全打开。

个人理解是这样的e

现在是电池一端接D，输出接S了失去开关的作用了，电池供电时，batdrv为low，PMOS怎么打开啊，只有s接电池，D输出才可以啊

开关作用没失去啊，sys端电压高的时候batdrv是为high，这个时候MOS是截止的，而且二极体是不导通。

当sys供电切刀bat上时，由于IC 24pin变成high了，所以acfet不导通，sys端电压降低，假设降低到一定的程度（约bat-0.7V左右），batfet本身的寄生二极体开始导通，故sys端电压不会低于bat-0.7V。bat电通过batfet的寄生二极体流过去，但是MOS本身的寄生二极体耐电流很差，不能通过大电流。

当batdrv为low即0V时，则P-MOS batfet的GS电压约为-（bat-0.7V），这个电压可以使batfet导通的。

PS：MOS寄生二极体是MOS工艺导致，这个没办法消除，但是它不是用来走电流的。

我看到你在Ti上也問了，麻煩幫我咨詢個問題：如果是bat供電，怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet？

感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊

亲啊，电池端的mos管可以导通，但是导通时都是从S到D啊，不可能从D到S啊

認知不對, 當Adapter 斷開後, BAT通過內部二極體從D-S提供一個電位, 所以當G為LOW時, S-G產生壓差

MOSFET把二極體短路, 且電壓還會透過VT2回灌給IC供電,就這樣囉...........

MOS的导通条件是GS压差超过Vgs（th），导通以后电流方向就没有什么限制啊，导通以后电流是走沟道的，没有方向的。你看switching线路的HS N-MOS，就是从D到S啊

NMOS是導通才是D流向S, 不導通是藉由內部二極體由S流向D

PMOS是導通才是S流向D, 不導通是藉由內部二極體由D流向S

所以你看一下你的電路, 再看一下電流流向, 記住, MOSFET內部一定有一顆二極體, 要不然是沒有D或S極, 除非是JFET......

任何MOSFET導通都不分D或S, 只有在關閉時才分D或S, 所以在關閉時就用內部二極體做電流方向分D或S

假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為順向, 那麼MOS導通只是短路二極體

假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為逆向, 那麼MOS導通就是一個開關...

不是, MOSFET內部的二極體只是為了區別極性, 那稱為" 寄生二極體" 若小Rating的MOS, 二極體可藉由長晶過程,

直接由die長出來, 若大功率MOS則大多外加, 也就是內部一個MOS的Die, 再一個二極體的Die, 用接線打在一起, 二極體都是快速二極體, 且耐壓與MOS耐壓相同.......

所以記住, MOS的製作過程, 一開始沒有分D極或S極, 只有控制閘與通道的區別, 一但加了二極體, 就以二極體的極

性來區分D或是S, 那個二極體主要就是要讓G與S有一個明確電位, 才不會D-S不分......

VD4與VD5是當MOSFET Low 時, 將VGS電壓箝位在,+/-(VZ+Vf)=17V+0.7V之間, 

MOSFET本身的二極體在電路上不會顯現, 所以設計上你知道就好, 分析也是以這樣分析..

呵呵，以前用的mos管都是D到S的，没有去深入了解，平时就选择导通内阻，电流和耐压，有时会考虑Qg对开关速度的影响

已经帮你问了，等待TI回复

你好，用mcu控制的话由相关的例程吗，还有就是

如果是bat供電，怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet？

感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊

这是TI的回答

至于提到后端短路等问题，当然是设计时注意必要的诸如保护电路不可少，但同时所用的电芯，器件本身的质量必须注意，因为若是电芯，器件的本身的短路失效等，那什么设计也救不了了！