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电路中mos管是怎么工作的
阅读: 1170 |  回复: 33 楼层直达

2017/08/03 16:07:33
1
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

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这是一个适配器供电时给电池充电和系统供电,适配器拔掉时给电池切换到给系统供电,但是图中mos管是怎么导通的

标签 开关电源
LV13
大元帅

NMOS是導通才是D流向S, 不導通是藉由內部二極體由S流向D PMOS是導通才是S流向D, 不導通是藉由內部二極體由D流向S 所以你看一下你的電路, 再看一下電流流向, 記住, MOSFET內部一定有一顆二極體, 要不然是沒有D或S極, 除非是JFET......

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2017/08/03 16:43:12
2
hylylx
电源币:3 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:104
LV4
连长
集成块驱动的白。
2017/08/03 16:44:57
3
shenshenduoshi
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
P-MOS,開通的時候23pin被拉到地
2017/08/04 08:06:29
4
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
您仔细看一下,D和S的位置,pmos的话S进D出啊,现在是电池一端接D,输出接S了失去开关的作用了,直接从内部二极管导通了,
2017/08/04 09:40:04
5
shenshenduoshi
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

1. 二极体可供电流很小,如果系统端的消耗只从二极体上供电,MOS会死掉

2. 正常情况下,系统端电压高于bat上电压,此时此MOS gate为高电平,MOS中二极体也不会导通。当切换到bat供电时,系统端SYS电压会降低,(切换中系统电流供应为二极体电流)同时batdrv为low,把P-MOS完全打开。

个人理解是这样的e

2017/08/04 10:01:22
6
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

现在是电池一端接D,输出接S了失去开关的作用了,电池供电时,batdrv为low,PMOS怎么打开啊,只有s接电池,D输出才可以啊

2017/08/04 11:01:31
7
shenshenduoshi
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

开关作用没失去啊,sys端电压高的时候batdrv是为high,这个时候MOS是截止的,而且二极体是不导通。

当sys供电切刀bat上时,由于IC 24pin变成high了,所以acfet不导通,sys端电压降低,假设降低到一定的程度(约bat-0.7V左右),batfet本身的寄生二极体开始导通,故sys端电压不会低于bat-0.7V。bat电通过batfet的寄生二极体流过去,但是MOS本身的寄生二极体耐电流很差,不能通过大电流。

当batdrv为low即0V时,则P-MOS batfet的GS电压约为-(bat-0.7V),这个电压可以使batfet导通的。

PS:MOS寄生二极体是MOS工艺导致,这个没办法消除,但是它不是用来走电流的。

2017/08/04 11:26:20
9
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

亲啊,电池端的mos管可以导通,但是导通时都是从S到D啊,不可能从D到S啊

2017/08/04 11:33:50
11
shenshenduoshi
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

MOS的导通条件是GS压差超过Vgs(th),导通以后电流方向就没有什么限制啊,导通以后电流是走沟道的,没有方向的。你看switching线路的HS N-MOS,就是从D到S啊

2017/08/04 14:39:34
12
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
NMOS是从D流向S的,PMOS是从S流向D的,不能倒着啊
2017/08/04 11:20:39
8
shenshenduoshi
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

我看到你在Ti上也問了,麻煩幫我咨詢個問題:如果是bat供電,怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet?

感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊

2017/08/06 08:07:20
18
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
后面串一个自恢复保险就可以,对了咱这有12v锂电池充电的方案吗,适配器拔掉时电池自动切换供电
2017/08/10 13:13:02
30
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

已经帮你问了,等待TI回复

你好,用mcu控制的话由相关的例程吗,还有就是

如果是bat供電,怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet?

感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊

2017/08/15 12:35:55
31
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

这是TI的回答

至于提到后端短路等问题,当然是设计时注意必要的诸如保护电路不可少,但同时所用的电芯,器件本身的质量必须注意,因为若是电芯,器件的本身的短路失效等,那什么设计也救不了了!

2017/08/15 14:53:51
32
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

哇勒..竟然沒看到這一帖...

上面電路沒有辦法對電池作保護, 所以你必須確認你所使用電池類型, 額外設計保護電路..

1). 鋰電池如果是Poly型, 必須用保護IC搭配MOS從地端切斷來做保護, 18650則因為電池芯正端有彈片, 當短路過熱

     後, 內部彈片會自動彈開, 但是這時電池就只能丟了, 因為那彈片是無法回復的, 所以電池等於斷路, 所以就鋰電只       能用保護IC, 不要用自恢復保險絲, 因為保險絲還沒斷開之前, 鋰電就先爆炸了, 裝也沒用..

2), 鉛酸或鎳鎘, 鎳氫, 可以用自恢復保險絲, 但是鎳鎘或鎳氫還好, 鉛酸電池若容量不是很大, 在自恢復保險司溫度

    還沒到達斷開點時, 鉛酸電壓會一直往下降, 當電壓低於10點多伏時, 保險司還未斷開, 那鉛酸電池就毀了....


參考看看吧.....

2017/08/16 08:18:25
33
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
目前锂离子电池没有外接保护电路,就用电池自带的保护板
2017/08/04 11:32:18
10
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

認知不對, 當Adapter 斷開後, BAT通過內部二極體從D-S提供一個電位, 所以當G為LOW時, S-G產生壓差

MOSFET把二極體短路, 且電壓還會透過VT2回灌給IC供電,就這樣囉...........

2017/08/04 14:44:29
13
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
NMOS是从D流向S的,PMOS是从S流向D的,是我理解有错吗,
2017/08/04 15:08:30
14
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
理解有误,这样就可以了
2017/08/04 15:14:49
15
hylylx
电源币:3 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:104
LV4
连长
导通后是双向的,既可以从s到d,也可以以从d到s。
2017/08/04 17:06:14
16
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
mos管后面的两个二极管是干啥用的
2017/08/07 08:24:42
20
hylylx
电源币:3 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:104
LV4
连长
你问的vd4hevd5吗,那是栅极保护,防止栅极超过极限电压而击穿损坏。
2017/08/06 00:08:42
17
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

NMOS是導通才是D流向S, 不導通是藉由內部二極體由S流向D

PMOS是導通才是S流向D, 不導通是藉由內部二極體由D流向S

所以你看一下你的電路, 再看一下電流流向, 記住, MOSFET內部一定有一顆二極體, 要不然是沒有D或S極, 除非是JFET......

该帖为最佳回复什么是论坛积分
2017/08/06 08:08:59
19
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
版主我都晕了,有的说,pmos只要导通了就不分DS了,那个极电压低就往那流
2017/08/07 08:28:25
21
hylylx
电源币:3 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:104
LV4
连长
看来首长对mos管很陌生啊,找几个自己试一下就全清楚了。实践出真知。
2017/08/09 16:24:50
29
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长

呵呵,以前用的mos管都是D到S的,没有去深入了解,平时就选择导通内阻,电流和耐压,有时会考虑Qg对开关速度的影响

2017/08/07 17:59:31
22
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

任何MOSFET導通都不分D或S, 只有在關閉時才分D或S, 所以在關閉時就用內部二極體做電流方向分D或S

假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為順向, 那麼MOS導通只是短路二極體

假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為逆向, 那麼MOS導通就是一個開關...

2017/08/07 18:44:11
23
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
谢谢您的回答,我以前一直以为PMOS都是D到S呢,在工作中也是D到S啊,没有S到D这样用过,那图中的mos管后面有两个二极管是为了防止SG电压高击穿吗
2017/08/08 11:10:35
24
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

不是, MOSFET內部的二極體只是為了區別極性, 那稱為" 寄生二極體" 若小Rating的MOS, 二極體可藉由長晶過程,

直接由die長出來, 若大功率MOS則大多外加, 也就是內部一個MOS的Die, 再一個二極體的Die, 用接線打在一起, 二極體都是快速二極體, 且耐壓與MOS耐壓相同.......

所以記住, MOS的製作過程, 一開始沒有分D極或S極, 只有控制閘與通道的區別, 一但加了二極體, 就以二極體的極

性來區分D或是S, 那個二極體主要就是要讓G與S有一個明確電位, 才不會D-S不分......


2017/08/08 22:52:50
25
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
图中画的是内部二极管吗,我还以为外部接的两个二极管
2017/08/09 08:25:03
26
hylylx
电源币:3 | 积分:3 主题帖:2 | 回复帖:104
LV4
连长
你俩根本没在一个频道上,原谅我有多嘴了。
2017/08/09 10:04:21
27
juntion[版主]
电源币:890 | 积分:140 主题帖:2 | 回复帖:516
LV8
师长

VD4與VD5是當MOSFET Low 時, 將VGS電壓箝位在,+/-(VZ+Vf)=17V+0.7V之間, 

MOSFET本身的二極體在電路上不會顯現, 所以設計上你知道就好, 分析也是以這樣分析..

2017/08/09 16:21:03
28
lihui710884923
电源币:5462 | 积分:2 主题帖:117 | 回复帖:288
LV7
旅长
您说的对,我以前说的是两个二极管是为了保护GS不被击穿,应该也可以这样理解,
2017/08/17 09:35:12
34
GTH520
电源币:2 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
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