-48V电源热插拔缓起MOSFET烧毁

由于是同一个问题，我在多个网站都提了问，希望有更多的解惑。所以这里指发一下连接了：

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/136715.aspx

主要就是用MOSFET缓起，发现输入是MOSFET烧了。

Vin=-36V~-72V, Vee是-, BGND是+。R1=R2=1MΩ, R3=300KΩ，R5=100KΩ，C32=0.03uF, MOSFET选的是IRF3710, 负载电容C86=600uF，设备正常工作在-48V，负载功耗约200W(IL=4A).Q1是用来做缓起动的，Q2是为了防反接的。MOSFET是DDPAK封装，Ciss=2700pF，Crss=150pF，RDson=18mΩ，DS耐压100V，GS耐压20V。

问题描述：①-50V上电发现电源连接器打火，认为缓起MOSFET没起作用，结果发现Q1的DS已经短路了，加工回来的新板子，第一次上电正常，后面因为MOSFET烧毁就打火了。

改进：②将R1+R2改到300K，R3+R5=68K，发现在43V输入正常，不打火，正常启动，但在50V输入时Q1又烧毁了。

继续改进：③R1+R2=68K，R3+R5=14K，72V输入正常，Q1没有烧毁，但是打火严重啊，啪啪的声音，电源连接头都看出来烧糊了。

请问电路设计有问题吗？怎样保证既不打火又不烧MOSFET管？MOSFET管为什么会烧呢？

我后来又在网上找了一些资料，就是利用米勒平台来控制最大电流的，在第②种条件下，Q1的gd之间飞了一个1k电阻和15nF的电容，还是烧。MOSFET管都烧了几十个了！