• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

IGBT RCD吸收电路,电阻为什么发热厉害

我设计55kW变频器,用的英飞凌FF200R12KT4模块,在IGBT模块上加放电阻止型RCD吸收电路,电容0.68uF,二极管为快速软关断BYW96E,电阻10R,但是电阻发热厉害:电阻功率40W时,电力80A时,电阻温度达到76度。我把电阻加到100W,仍然发热比较厉害,烫手。请问如何解决啊???

因为结构问题,虽然用了层叠母线,但是我的变频器杂散电感比较大,这个结构已经很难改变了,但是问题是如何在现有条件下吸收,并且电阻不能发热太厉害。

全部回复(22)
正序查看
倒序查看
2017-07-14 10:10
电容减小一点,也许就解决
0
回复
2017-07-14 10:16

有没有图?

0
回复
2017-07-14 11:03
本帖已入选每日一问活动中,活动详情戳:

http://www.dianyuan.com/bbs/1547220.html
0
回复
2017-07-14 11:16
@电源网-璐璐
有没有图?

我看放电阻止型RCD电路中电阻的功率只与杂散电感、电流极开关频率有关系,与电容C的大小没有关系啊!那改变电容C的大小影响不了电阻R的功率吧?我现在在靠近IGBT的位置,PN两端又并联了4组1000uF 400V的电解电容,现在RCD电路中电阻R发热不厉害了,稍微温乎点儿,电流100A的时候温度只升高了四五度,但是刚加的这4组电解电容温度升高了大约20度,从30度升到了50度。

1
回复
2017-07-15 09:08
减小C,加大R
0
回复
2017-07-15 10:43
适当减小一些吸收电容的容量试试看
0
回复
2017-07-15 11:57

把RCD的D、R去除,只剩C,把R用最短的导线短路。也就是只剩两个C直接并联在IGBT模块的正负两端,这样的尖峰电压吸收效果比RCD更好,而且无任何发热。

不知你从哪本胡说八道的书上看来的这种所谓RCD尖峰电压吸收,写书的人就是混稿费的。

0
回复
2017-07-15 12:58
也学习学习
0
回复
悟今生
LV.5
10
2017-07-15 13:58
@zz052025
减小C,加大R
同意这个方法,RC是相关的
0
回复
2017-07-16 15:27
@天马酷蹄
也学习学习
减小电容,即减小了流过电阻上的电流
0
回复
yanlaisheng
LV.1
12
2017-07-16 18:44
@世界真奇妙
把RCD的D、R去除,只剩C,把R用最短的导线短路。也就是只剩两个C直接并联在IGBT模块的正负两端,这样的尖峰电压吸收效果比RCD更好,而且无任何发热。不知你从哪本胡说八道的书上看来的这种所谓RCD尖峰电压吸收,写书的人就是混稿费的。

我原来在P、N之间只加了一个IGBT无感吸收电容,容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加过,但是电流加到接近满载(80-90A),大约20多分钟后,IGBT模块炸了,连炸了3次,后来加了RCD吸收电路后,再也没有炸模块。

0
回复
yanlaisheng
LV.1
13
2017-07-16 18:46
@lingyan
减小电容,即减小了流过电阻上的电流

我减少了电容,从0.68uf减小到0.22uF,但是电阻仍然很热,电阻的温升和减少电容前几乎一样,没什么变化。

0
回复
yanlaisheng
LV.1
14
2017-07-16 18:49
@lingyan
减小电容,即减小了流过电阻上的电流

现在我从电解电容到IGBT模块之间的铜排长度减少了大约2/3,从0.6米减少到0.2米,现在RCD吸收电路的电阻温升明显小了,看来减少铜排长度可以明显减小杂散电感啊!

0
回复
yanlaisheng
LV.1
15
2017-07-16 18:53
@yanlaisheng
我减少了电容,从0.68uf减小到0.22uF,但是电阻仍然很热,电阻的温升和减少电容前几乎一样,没什么变化。

因为从公式来看,电阻的功率只与杂散电感、电流的平方、开关频率成正比,与电容的大小没关系。

我原来也是考虑按理说电容容量大了,吸收的能量多,那通过电阻的损耗也应该大啊!减小电容,应该可以减小电阻的功率,但是经过测试,不起作用!

0
回复
2017-07-16 22:16
@yanlaisheng
我原来在P、N之间只加了一个IGBT无感吸收电容,容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加过,但是电流加到接近满载(80-90A),大约20多分钟后,IGBT模块炸了,连炸了3次,后来加了RCD吸收电路后,再也没有炸模块。

"大约20多分钟后,IGBT模块炸了"

显然不是因为过压问题,而是开关损耗过大,过热损毁。一般做通用变频器是不需要RCD吸收来降低IGBT的开关损耗的,你的设计有问题。

首先,驱动FF200R12KT4的驱动电阻应该为2.4Ω,配合的驱动器应该达到5A的驱动能力。可用M57962L,这是必须的。

其次,频率不宜太高,一般为5 --- 6kHz。

第三,必须有良好的散热器和强迫风冷。

0
回复
悟今生
LV.5
17
2017-07-18 10:00
@yanlaisheng
现在我从电解电容到IGBT模块之间的铜排长度减少了大约2/3,从0.6米减少到0.2米,现在RCD吸收电路的电阻温升明显小了,看来减少铜排长度可以明显减小杂散电感啊!
看着就跟反激变压器一样,漏感大了,尖峰很大,是一个道理吧
0
回复
shicong
LV.5
18
2017-07-18 15:33
@yanlaisheng
[图片][图片]我看放电阻止型RCD电路中电阻的功率只与杂散电感、电流极开关频率有关系,与电容C的大小没有关系啊!那改变电容C的大小影响不了电阻R的功率吧?我现在在靠近IGBT的位置,PN两端又并联了4组1000uF400V的电解电容,现在RCD电路中电阻R发热不厉害了,稍微温乎点儿,电流100A的时候温度只升高了四五度,但是刚加的这4组电解电容温度升高了大约20度,从30度升到了50度。
电阻太小了,增大阻值感觉要比减小容值要有效果点。尖峰吸收以刚好不损坏开关管为宜,吸收过度不仅吸收了漏感的能量,输入有用能量也是吸收部分的,电阻上的能量消耗也是显著上升的。
0
回复
2017-07-20 13:18
楼猪,如果出现满意回答,记得设置最佳回复~~~
0
回复
YA835423706
LV.2
20
2017-07-28 13:50
因为电阻功耗过大,你可以去测试一下电阻电压和电流去评估一下功耗。如何解决:1.可以选用更大的电阻,2.可以增大电阻封装。
0
回复
hth219
LV.3
21
2018-03-14 16:39
@yanlaisheng
现在我从电解电容到IGBT模块之间的铜排长度减少了大约2/3,从0.6米减少到0.2米,现在RCD吸收电路的电阻温升明显小了,看来减少铜排长度可以明显减小杂散电感啊!
我也碰到这个问题了,查了资料说是电容的电感很重要,准备试一下无感电容。
0
回复
lidijia
LV.4
22
2018-04-06 17:50
@世界真奇妙
把RCD的D、R去除,只剩C,把R用最短的导线短路。也就是只剩两个C直接并联在IGBT模块的正负两端,这样的尖峰电压吸收效果比RCD更好,而且无任何发热。不知你从哪本胡说八道的书上看来的这种所谓RCD尖峰电压吸收,写书的人就是混稿费的。
这样IGBT开通的时候电容相当于短路放电,瞬间电流非常大吧?
0
回复
a282350757
LV.1
23
2021-01-27 14:12
@yanlaisheng
我原来在P、N之间只加了一个IGBT无感吸收电容,容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加过,但是电流加到接近满载(80-90A),大约20多分钟后,IGBT模块炸了,连炸了3次,后来加了RCD吸收电路后,再也没有炸模块。
别听他的,直接在开关管上加C,关断时,吸收效果确实会好,但是闭合时,I=Cdu/dt,电容越大,闭合越快电流越大,不炸才怪
0
回复