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IGBT RCD吸收电路,电阻为什么发热厉害
阅读: 325 |  回复: 18 楼层直达

2017/07/14 07:56:28
1
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

QQ截图20160321155901  众望所归之可信任的数据采集仪

QQ截图20160321155901 【公布获奖名单】优秀生必备! LM3478 BOOST套件免费试用



我设计55kW变频器,用的英飞凌FF200R12KT4模块,在IGBT模块上加放电阻止型RCD吸收电路,电容0.68uF,二极管为快速软关断BYW96E,电阻10R,但是电阻发热厉害:电阻功率40W时,电力80A时,电阻温度达到76度。我把电阻加到100W,仍然发热比较厉害,烫手。请问如何解决啊???

因为结构问题,虽然用了层叠母线,但是我的变频器杂散电感比较大,这个结构已经很难改变了,但是问题是如何在现有条件下吸收,并且电阻不能发热太厉害。

标签 电阻 IGBT
高速CMOS逻辑四通道2输入NOR门极 IO-Link数字输入集线器参考设计 具有40uA Iq的简单开关60V,3A降压型转换器
十六进制施密特触发器14-SO -40至85 可检测3极或4极3.5mm配件的耳机检测开关 具有40μA静态电流的40V、5A、2.2MHz 降压稳压器
双路1-Of-4数据选择器/多路复用器 支持音频和充电功能的USB Type-C和供电迷你坞 具有 30V 内部 FET 开关的 1.6 MHz 升压转换器
2017/07/14 10:10:12
2
lingyan[实习版主]
电源币:2904 | 积分:28 主题帖:14 | 回复帖:444
LV7
旅长
电容减小一点,也许就解决
2017/07/14 10:16:56
3
电源网-璐璐
电源币:1057 | 积分:61 主题帖:61 | 回复帖:1231
LV9
军长

有没有图?

2017/07/14 11:16:41
5
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

放电阻止型RCD电路

我看放电阻止型RCD电路中电阻的功率只与杂散电感、电流极开关频率有关系,与电容C的大小没有关系啊!那改变电容C的大小影响不了电阻R的功率吧?我现在在靠近IGBT的位置,PN两端又并联了4组1000uF 400V的电解电容,现在RCD电路中电阻R发热不厉害了,稍微温乎点儿,电流100A的时候温度只升高了四五度,但是刚加的这4组电解电容温度升高了大约20度,从30度升到了50度。

2017/07/18 15:33:37
18
shicong
电源币:17 | 积分:8 主题帖:3 | 回复帖:52
LV4
连长
电阻太小了,增大阻值感觉要比减小容值要有效果点。尖峰吸收以刚好不损坏开关管为宜,吸收过度不仅吸收了漏感的能量,输入有用能量也是吸收部分的,电阻上的能量消耗也是显著上升的。
2017/07/14 11:03:39
4
电源网-璐璐
电源币:1057 | 积分:61 主题帖:61 | 回复帖:1231
LV9
军长
本帖已入选每日一问活动中,活动详情戳:

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2017/07/15 09:08:44
6
zz052025[实习版主]
电源币:1913 | 积分:34 主题帖:17 | 回复帖:785
LV8
师长
减小C,加大R
2017/07/15 13:58:14
10
thl800227
电源币:52 | 积分:2 主题帖:46 | 回复帖:30
LV5
营长
同意这个方法,RC是相关的
2017/07/15 10:43:22
7
zhoufei0125
电源币:3 | 积分:1 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵
适当减小一些吸收电容的容量试试看
2017/07/15 11:57:13
8
世界真奇妙[实习版主]
电源币:174 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:528
LV8
师长

把RCD的D、R去除,只剩C,把R用最短的导线短路。也就是只剩两个C直接并联在IGBT模块的正负两端,这样的尖峰电压吸收效果比RCD更好,而且无任何发热。

不知你从哪本胡说八道的书上看来的这种所谓RCD尖峰电压吸收,写书的人就是混稿费的。

2017/07/16 18:44:43
12
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

我原来在P、N之间只加了一个IGBT无感吸收电容,容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加过,但是电流加到接近满载(80-90A),大约20多分钟后,IGBT模块炸了,连炸了3次,后来加了RCD吸收电路后,再也没有炸模块。

2017/07/16 22:16:25
16
世界真奇妙[实习版主]
电源币:174 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:528
LV8
师长

"大约20多分钟后,IGBT模块炸了"

显然不是因为过压问题,而是开关损耗过大,过热损毁。一般做通用变频器是不需要RCD吸收来降低IGBT的开关损耗的,你的设计有问题。

首先,驱动FF200R12KT4的驱动电阻应该为2.4Ω,配合的驱动器应该达到5A的驱动能力。可用M57962L,这是必须的。

其次,频率不宜太高,一般为5 --- 6kHz。

第三,必须有良好的散热器和强迫风冷。

2017/07/15 12:58:14
9
天马酷蹄
电源币:25 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:8
LV2
班长
也学习学习
2017/07/16 15:27:33
11
lingyan[实习版主]
电源币:2904 | 积分:28 主题帖:14 | 回复帖:444
LV7
旅长
减小电容,即减小了流过电阻上的电流
2017/07/16 18:46:38
13
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

我减少了电容,从0.68uf减小到0.22uF,但是电阻仍然很热,电阻的温升和减少电容前几乎一样,没什么变化。

2017/07/16 18:53:12
15
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

因为从公式来看,电阻的功率只与杂散电感、电流的平方、开关频率成正比,与电容的大小没关系。

我原来也是考虑按理说电容容量大了,吸收的能量多,那通过电阻的损耗也应该大啊!减小电容,应该可以减小电阻的功率,但是经过测试,不起作用!

2017/07/16 18:49:06
14
yanlaisheng
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:0
LV1
士兵

现在我从电解电容到IGBT模块之间的铜排长度减少了大约2/3,从0.6米减少到0.2米,现在RCD吸收电路的电阻温升明显小了,看来减少铜排长度可以明显减小杂散电感啊!

2017/07/18 10:00:32
17
thl800227
电源币:52 | 积分:2 主题帖:46 | 回复帖:30
LV5
营长
看着就跟反激变压器一样,漏感大了,尖峰很大,是一个道理吧
2017/07/20 13:18:56
19
电源网-璐璐
电源币:1057 | 积分:61 主题帖:61 | 回复帖:1231
LV9
军长
楼猪,如果出现满意回答,记得设置最佳回复~~~
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