1. VGSS耐压测量 请不要进行VGSS (栅极/源极电压)的测量。击穿时会产生负电阻特性,有可能引起振荡并损坏器件。

2. 观察源极接地输出静态特性时的注意事项

 (1) 观察源极接地输出静态特性时,根据曲线绘图仪的种类 (输入电容/电阻不同)不同,有可能产生振 荡,并导致器件损坏。有效的措施是在栅极连接约10kΩ的外部串联电阻。

 (2) 用X−Y记录器描绘源极接地输出静态特性时,为防止振荡请给栅极连接约10kΩ的串联电阻或在栅极/ 源极之间放入约0.5μF的电容。

3. 对于异常振荡的注意事项 

(1) 进行电路试验时,为防止异常振荡,在熟练使用以前,推荐给栅极连接100Ω~2kΩ的串联电阻。

 (2) 使用源极输出电路时,为防止异常振荡,推荐在漏极附近电源与地线之间连接约100μF的电容。

4. 为防止静电破坏使用功率MOS FET时的注意事项为防止静电破坏请注意以下几点:

(1) 对器件进行操作时,请采用人体接地方式。 人体接地的例子如图1所示。

 (2) 对器件进行操作时的工作台上铺有金属板,请将金属板接地。 

(3) 用曲线绘图仪等测量仪器进行单个器件的检查时,请将测量仪器接地。

 (4) 为防止对器件外加烙铁焊接的泄漏电压,请将烙铁焊接的烙铁头接地 (尽量使用低电压烙铁焊接)。

 (5) 在电路板的运输中,请使用导电性片材制作的包装材料。在栅极/源极之间已通过电阻等连接的情况 下,不作此限。因此,推荐首先安装栅极/源极之间的元件。 

(6) 请避免直接将器件装入塑料盒或塑料袋中,而使用导电性容器或铝箔等。