漏极电压钳位设计电路的区别及如何检测验证设计符合要求了？

在TOP和TNY系列的设计中需要限制漏极的最大电压，这样保证电源稳定可靠工作，常用的RCD钳位电路设计有何区别了？

上面这3种钳位电路那个可以提高效率同时空载功耗也低了？感觉B和A的电路设计器件基本一样，只是二极管的位置不同，实现的性能一样吗？这个二极管可以选择慢速二极管吗？这样可以改善EMI的指标。

还有漏极的峰值电流有时候测试与初级的峰值电流不一样，这是为何了？有时候漏极峰值电流约为初级峰值电流的一半，这是因为钳位电路参数设计不合理造成的吗？

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gxg1122

LV.10

2017-06-03 15:23

三个钳位电路各有优缺点。不过C图中利用VR的瞬态特性，可以有效降低电路的空载功耗，提高电路效率的。

wyhl

LV.8

2017-06-03 20:16

漏级峰值电流和初级峰值电流不一样很正常的，没必要一样的，毕竟漏级钳位电路会导致延迟，峰值电流时间滞后的。

wyhl

LV.8

2017-06-04 17:21

这个钳位电路可以选择慢速二极管，有时候电路需要这样设计。

奋斗的青春

LV.10

2017-06-04 19:59

@gxg1122

三个钳位电路各有优缺点。不过C图中利用VR的瞬态特性，可以有效降低电路的空载功耗，提高电路效率的。

是因为C图设计中将电阻替换为瞬态二极管，从而降低了损耗，使得效率高了？

奋斗的青春

LV.10

2017-06-04 20:02

@wyhl

漏级峰值电流和初级峰值电流不一样很正常的，没必要一样的，毕竟漏级钳位电路会导致延迟，峰值电流时间滞后的。

正常应该初级峰值电流和漏级的峰值电流一样的吧，就算钳位电路影响，也不至于相差一半吧

奋斗的青春

LV.10

2017-06-04 20:05

@wyhl

这个钳位电路可以选择慢速二极管，有时候电路需要这样设计。

那就是可以选择慢速二极管了，我理解的对着了，可以改善电路的EMI特性。只不过我选择的都是快速的二极管。

大海的儿子

LV.10

2017-06-05 12:53

@奋斗的青春

那就是可以选择慢速二极管了，我理解的对着了，可以改善电路的EMI特性。只不过我选择的都是快速的二极管。

如果使用1N4007慢速的二极管，可以降低了初级漏感与 MOS 管谐振的幅度，对EMI有好处。

奋斗的青春

LV.10

2017-06-05 13:07

@大海的儿子

如果使用1N4007慢速的二极管，可以降低了初级漏感与MOS管谐振的幅度，对EMI有好处。

明白了，慢速管的好处可以改善EMI指标，同时根据需要选择耐压的二极管就好了。

奋斗的青春

LV.10

2017-06-05 13:08

@大海的儿子

如果使用1N4007慢速的二极管，可以降低了初级漏感与MOS管谐振的幅度，对EMI有好处。

漏极峰值电流约比初级峰值电流有时候低很多，这个正常吗？怎么理解了？

spowergg

LV.9

2017-06-05 20:50

@奋斗的青春

是因为C图设计中将电阻替换为瞬态二极管，从而降低了损耗，使得效率高了？

RCDZ箝位与RCD箝位的工作原理相同，不同点在于它通过齐纳二极管与电阻串联来分担耗散

tabing_dt

LV.10

2017-06-05 21:14

@奋斗的青春

是因为C图设计中将电阻替换为瞬态二极管，从而降低了损耗，使得效率高了？

齐纳二极管可防止电容放电至齐纳二极管阻断电压以下，这样可限制功率耗散并提升效率，特别是在轻载时非常有用.

gxg1122

LV.10

2017-06-05 22:31

@wyhl

漏级峰值电流和初级峰值电流不一样很正常的，没必要一样的，毕竟漏级钳位电路会导致延迟，峰值电流时间滞后的。

说的对，漏级电流由于电容延迟了导致两个峰值不一样的。

奋斗的青春

LV.10

2017-06-06 13:37

@tabing_dt

齐纳二极管可防止电容放电至齐纳二极管阻断电压以下，这样可限制功率耗散并提升效率，特别是在轻载时非常有用.

懂了。这个二极管使用意义还是很大的。理解C图的钳位作用了。

奋斗的青春

LV.10

2017-06-06 13:38

@spowergg

RCDZ箝位与RCD箝位的工作原理相同，不同点在于它通过齐纳二极管与电阻串联来分担耗散

是的，这几种钳位电路的原理差不多，就是设计方式不一样，带来的作用差别还挺大。