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明纬电源拆解后,同步整流求助

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trate
LV.6
2
2017-05-24 20:58

老板拿回来一台明纬的电源给我们学习,输入90--264V,输出5V/60A  .方案飞兆的4800 主动式PFC+双管正激,次级用的同步整流。

上图为同步整流部分的线路,为自驱。Q1为续流MOS,Q2为整流MOS。

整流部分的驱动采样储能电感部分的波形,用C4隔直,进行驱动.

续流部分是在变压器上多加了一个绕组。其中Q3是个MOS,贴片SOT-23封装,不知道型号,感觉是个P型MOS()。

续流部分的自驱是如何实现的,希望大虾们指点。

 

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trate
LV.6
3
2017-05-24 21:01
@trate
老板拿回来一台明纬的电源给我们学习,输入90--264V,输出5V/60A .方案飞兆的4800主动式PFC+双管正激,次级用的同步整流。上图为同步整流部分的线路,为自驱。Q1为续流MOS,Q2为整流MOS。整流部分的驱动采样储能电感部分的波形,用C4隔直,进行驱动.续流部分是在变压器上多加了一个绕组。其中Q3是个MOS,贴片SOT-23封装,不知道型号,感觉是个P型MOS()。续流部分的自驱是如何实现的,希望大虾们指点。 

Q3,我把旁边元件拆掉后,用万用表的二极管档测试D到S两端,读数是0.6.所以判断是P沟道的MOS,不知道用的什么型号

我以前整流是用自驱,续流是用SP6019.老板嫌贵,所以希望大虾们能指点一下,这个自驱是如何实现的。

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trate
LV.6
4
2017-05-25 08:37
@trate
Q3,我把旁边元件拆掉后,用万用表的二极管档测试D到S两端,读数是0.6.所以判断是P沟道的MOS,不知道用的什么型号我以前整流是用自驱,续流是用SP6019.老板嫌贵,所以希望大虾们能指点一下,这个自驱是如何实现的。

在线等,希望有高手指点一下

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2017-05-25 11:12
恭喜被添加到社区经典图库,并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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trate
LV.6
6
2017-05-25 13:48
@trate
在线等,希望有高手指点一下

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trate
LV.6
7
2017-05-25 13:49
@trate
[图片]
刚画完完整的原理图,如上图,不知道Q100是个什么贴片MOS,以及续流部分的自驱是如何工作的
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trate
LV.6
8
2017-05-26 11:00
@trate
刚画完完整的原理图,如上图,不知道Q100是个什么贴片MOS,以及续流部分的自驱是如何工作的
高手在哪里?求助
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2017-05-26 11:40
@trate
高手在哪里?求助

說實在, 這帖我看了兩天, 實在看不出這多出繞組與你的Q100的存在性與必要性...

但既然輔助繞組, 當然有其作用, 分析其動作方式:

1). 由於兩者極性相反, 所以當原邊MOSFET OFF時, 副邊續流MOSFET應該導通, 因此輔助端的極性剛好與續流

同向, 同GND, MOSFET內二極體為同向整成負, SR-DRI為正, 因此續流MOSFET剛好可導通.............

2). 當原邊MOSFET on 時, 輔助極性反轉, 變成正施加於MOSFET_S(Q100), 負施加於MOSFET_G(Q100)

MOSFET剛好導通, 此時原接地(續流MOSFET_S)為正, SR-DRI為負(續流MOSFET_G為負)..則MOSFET很快關掉...

=================================================================

所以綜觀上述情形, 歸類可能原因:

1) 整流MOSFET_G透過電容交連, 所以上升緣與下降緣在推動過程中, 上下各有一點斜率, 那是因為電容充放電到

    一定程度後呈現拋物線的結果, 所以為何使用電容交連?不解, 這用二極體整流加穩壓管速度快些..........

2). 利用P-POSFET在整流MOSFET打開前迅速將續流MOSFET關掉, 因為即使使用圖騰柱方式放電都沒有使用負壓

   速度來的快, 這種瞬間摜負壓的方式是最快的, 而且呈直線性..........

你可以量一下續流MOSFET_G信號, 在原邊MOSFET ON時, 續流MOSFET_G信號應該是一個瞬間負壓..


所以猜測, 只是猜測喔.. 你可以驗證看看, 就是跑的頻率較高, 這樣電容交連與輔助就有意義, 不然跑個幾10K, 用交錯推動方式就夠了.....

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trate
LV.6
10
2017-05-26 13:55
@juntion
說實在,這帖我看了兩天,實在看不出這多出繞組與你的Q100的存在性與必要性...但既然輔助繞組,當然有其作用,分析其動作方式:1).由於兩者極性相反,所以當原邊MOSFETOFF時,副邊續流MOSFET應該導通,因此輔助端的極性剛好與續流同向,同GND,MOSFET內二極體為同向整成負,SR-DRI為正,因此續流MOSFET剛好可導通.............2).當原邊MOSFETon時,輔助極性反轉,變成正施加於MOSFET_S(Q100),負施加於MOSFET_G(Q100)MOSFET剛好導通,此時原接地(續流MOSFET_S)為正,SR-DRI為負(續流MOSFET_G為負)..則MOSFET很快關掉...=================================================================所以綜觀上述情形,歸類可能原因:1)整流MOSFET_G透過電容交連,所以上升緣與下降緣在推動過程中,上下各有一點斜率,那是因為電容充放電到  一定程度後呈現拋物線的結果,所以為何使用電容交連?不解,這用二極體整流加穩壓管速度快些..........2).利用P-POSFET在整流MOSFET打開前迅速將續流MOSFET關掉,因為即使使用圖騰柱方式放電都沒有使用負壓  速度來的快,這種瞬間摜負壓的方式是最快的,而且呈直線性..........你可以量一下續流MOSFET_G信號,在原邊MOSFETON時, 續流MOSFET_G信號應該是一個瞬間負壓..所以猜測,只是猜測喔..你可以驗證看看,就是跑的頻率較高,這樣電容交連與輔助就有意義,不然跑個幾10K,用交錯推動方式就夠了.....

首先感谢您的回复,什么的图纸,有几个关键位号没有标注,我重新发一遍。

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trate
LV.6
11
2017-05-26 14:01
@trate
首先感谢您的回复,什么的图纸,有几个关键位号没有标注,我重新发一遍。[图片]

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trate
LV.6
12
2017-05-26 14:02
@trate
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trate
LV.6
13
2017-05-26 14:06
@juntion
說實在,這帖我看了兩天,實在看不出這多出繞組與你的Q100的存在性與必要性...但既然輔助繞組,當然有其作用,分析其動作方式:1).由於兩者極性相反,所以當原邊MOSFETOFF時,副邊續流MOSFET應該導通,因此輔助端的極性剛好與續流同向,同GND,MOSFET內二極體為同向整成負,SR-DRI為正,因此續流MOSFET剛好可導通.............2).當原邊MOSFETon時,輔助極性反轉,變成正施加於MOSFET_S(Q100),負施加於MOSFET_G(Q100)MOSFET剛好導通,此時原接地(續流MOSFET_S)為正,SR-DRI為負(續流MOSFET_G為負)..則MOSFET很快關掉...=================================================================所以綜觀上述情形,歸類可能原因:1)整流MOSFET_G透過電容交連,所以上升緣與下降緣在推動過程中,上下各有一點斜率,那是因為電容充放電到  一定程度後呈現拋物線的結果,所以為何使用電容交連?不解,這用二極體整流加穩壓管速度快些..........2).利用P-POSFET在整流MOSFET打開前迅速將續流MOSFET關掉,因為即使使用圖騰柱方式放電都沒有使用負壓  速度來的快,這種瞬間摜負壓的方式是最快的,而且呈直線性..........你可以量一下續流MOSFET_G信號,在原邊MOSFETON時, 續流MOSFET_G信號應該是一個瞬間負壓..所以猜測,只是猜測喔..你可以驗證看看,就是跑的頻率較高,這樣電容交連與輔助就有意義,不然跑個幾10K,用交錯推動方式就夠了.....

看T1-D绕组的波形,和续流MOS Q1的驱动波形,显然不是简单的波形反向。因为复位平台那部分,就是波形红色标记处,对应的同步续流MOS,也还是有驱动的。

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trate
LV.6
14
2017-05-26 14:09
@trate
看T1-D绕组的波形,和续流MOSQ1的驱动波形,显然不是简单的波形反向。因为复位平台那部分,就是波形红色标记处,对应的同步续流MOS,也还是有驱动的。
以及如何在关掉AC,输入电压从385掉电的过程中,DUTY会增加。而MOS因为关断延迟,如何避免共通。
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2017-05-26 15:04
@trate
看T1-D绕组的波形,和续流MOSQ1的驱动波形,显然不是简单的波形反向。因为复位平台那部分,就是波形红色标记处,对应的同步续流MOS,也还是有驱动的。
你要用差分探棒才可以比對出來......
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2017-05-26 15:17
@trate
以及如何在关掉AC,输入电压从385掉电的过程中,DUTY会增加。而MOS因为关断延迟,如何避免共通。

自激式的好處是線路簡單, 唯一缺點是在調適時要慎選MOSFET, 因為是利用副邊ON/OFF信號做整流與續流, 所以MOSFET挑的很嚴重, 所以多選幾款備用....

至於掉電過程中可能的交越那還算小Case, 因為一但交越則儲能電容很快就放電, 對MOSFET不會受傷, 反倒是以下幾點要注意

1). 使用自激雖可以增加效率, 但很容易使連波變大, 這是在兩個Mosfet在官段不完全所造成, 與驅動有關...

2). 動態響應會較差, 所以調適過程一定要做動態測試.....

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trate
LV.6
17
2017-05-28 10:49
@juntion
自激式的好處是線路簡單,唯一缺點是在調適時要慎選MOSFET,因為是利用副邊ON/OFF信號做整流與續流,所以MOSFET挑的很嚴重,所以多選幾款備用....至於掉電過程中可能的交越那還算小Case,因為一但交越則儲能電容很快就放電,對MOSFET不會受傷,反倒是以下幾點要注意1).使用自激雖可以增加效率,但很容易使連波變大,這是在兩個Mosfet在官段不完全所造成,與驅動有關...2).動態響應會較差,所以調適過程一定要做動態測試.....
版主,我查到了 这个线路叫栅极电荷保持驱动,但是还没有看懂里面几个细节
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