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控制器短路保护
阅读: 950 |  回复: 15 楼层直达

2017/04/01 10:56:32
1
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

以下波形为正弦波控制器相线短路失效时波形图,黄色为上桥Vgs波形,绿色为上桥Vds波形,紫色为短路瞬间电流波形,粉红色为下桥Vgs波形,请问:1、在控制器上如何调整驱动来减小相短瞬间上桥Vgs的震荡?

         2、在产品方面,Vgs震荡对应哪个参数,在工艺上如何调整可以减小震荡?

以上谢谢指导建议。

LV2
班长

影响GS振荡的参数是Crss和QGD。相短时要想不失效,首先要控制DS的导通时间,大电流不能持续过长,一般要控制数个微秒内就要关断,还有就是MOS的栅极不要关断过快,关断过快会引起D极过压而雪崩击穿。

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2017/04/01 11:10:35
2
小学渣
电源币:1508 | 积分:6 主题帖:0 | 回复帖:208
LV5
营长

可以使用反相肖特基二极管或在GS之间并一个三极管电路来泻尖峰

2017/04/01 14:09:34
3
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

感谢您的回复,图一就是电动车控制器相线短路的模型,一般来讲

1:栅极电阻Rg的大小会影响开通关断时间,Rg越大,开关时间越长,开关越快,关断后VDS反冲越高;

2:Rg也会抑制栅极震荡;

3、对应产品参数方面QGD大小影响开关时间的长短;

工艺方面就不知道了,谁知道帮忙讲讲,学习下,谢谢。

2017/04/07 11:46:50
4
xzszrs[荣誉版主]
电源币:2830 | 积分:49 主题帖:103 | 回复帖:1703
LV11
统帅
影响GS振荡的参数是Crss和QGD。相短时要想不失效,首先要控制DS的导通时间,大电流不能持续过长,一般要控制数个微秒内就要关断,还有就是MOS的栅极不要关断过快,关断过快会引起D极过压而雪崩击穿。
该帖为最佳回复什么是论坛积分
2017/04/09 16:03:02
5
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

钟工,您说的很对,我在同一方案上对比了一下,影响GS震荡的参数的确与QGD有关如下波形所示,但有个疑问请教一下您,在电动车控制器方案上选型产品是不是Qgd越大越好啊?谢谢!

2017/04/09 18:49:20
6
xzszrs[荣誉版主]
电源币:2830 | 积分:49 主题帖:103 | 回复帖:1703
LV11
统帅

当然不是啊,一般来说QGD小比较好。如果你把开关速度调到一样,QGD小的振荡小。

2017/04/10 22:21:30
7
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

钟工,再请教一下您,以下是控制器相线短路失效开冒图片(失效波形在见一楼);从失效图片是否可以看出失效原理,如过压,过流还是先过压再过流等?谢谢。

2017/04/14 10:24:01
8
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

2017/04/14 10:24:27
9
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长

2017/04/14 16:02:35
10
skchen
电源币:0 | 积分:3 主题帖:3 | 回复帖:10
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班长
班长,你好!好精彩的帖子
2017/04/16 10:41:25
13
xzszrs[荣誉版主]
电源币:2830 | 积分:49 主题帖:103 | 回复帖:1703
LV11
统帅
一般不在打线位置的热点都是过压,打线位置为过流或者打线不良。
2017/04/19 09:10:04
14
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长
谢谢钟工,学习了
2017/04/14 16:05:06
11
skchen
电源币:0 | 积分:3 主题帖:3 | 回复帖:10
LV2
班长
能不能给gs并联的电容加大些啊!
2017/04/16 10:39:20
12
xzszrs[荣誉版主]
电源币:2830 | 积分:49 主题帖:103 | 回复帖:1703
LV11
统帅

很多控制器就有加103电容啊。

2017/04/19 09:15:39
15
hyli2016
电源币:0 | 积分:1 主题帖:5 | 回复帖:5
LV2
班长
钟工说的没错,控制器上GS之间根据控制器与产品驱动匹配,一般加10nF或者4.7nF的电容,与驱动电阻共同匹配开关时间常数.
2017/04/19 23:18:14
16
skchen
电源币:0 | 积分:3 主题帖:3 | 回复帖:10
LV2
班长
在明确要使控制器的MOSFET开通变慢的时候(减小弥勒震荡),可不可以加大GS并联的电容,而不去调它的栅极电阻啊;加电容和加电阻那个效果会更好些?比如说SGT工艺的MOS容易产生震荡;
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