1. MOS管产品数据手册时,有几个参数没太能明白,所以还请您给详细的解释一下,那以 FDMS86350ET80 手册中的参数为例来说,见下面手册内容截图,
如截图中红色线标记的两个参数:连续漏极电流ID、最大耗散功率PD ,其中
连续漏极电流ID 的值有三个分别是不同温度测试条件下的,其中的TC=25℃、TA=25℃这两个参数有点不太理解(我只是知道 TC是表示封壳的温度,TA是表示环境温度),为什么都在25℃的温度下ID 的值不同?这两个25℃各什么使用条件呢?
最大耗散功率PD条件中TC=25℃、TA=25℃疑问同上? 另外,在截图VGS的最小值-20V,N-MOSFET的的VGS不都正电压导通的,负电压是什么意思?
2. UVLO: Undervoltage lockout(欠压锁定)指的是锁定什么?是在什么条件下触发?欠压锁定后IC的状态是什么?另外,VCCUV+ 与VCCUV- 、VBSUV+ 与VBSUV- 这两组参数我确实不明白是什么意思,用来限制什么的?
3. 在 FAN7081_GF085产品手册FAN7081_GF085.pdf中有IC的典型应用电路图,在电路图中IC管脚 HO 与N-MOSFET的栅极之间串联了一个电阻Rg及R1,那么该电阻起到什么作用?阻值取多大合适?该电阻是否要和所选MOS管的某个参数去匹配选取?
4、应用电路图中IC管脚VB与VS之间串接的电容起到什么作用?电容值大小怎么确定?对电容的耐压值大小怎么确定?
5、应用电路图中IC管脚VCC与VB之间的二极管作用是什么?应该选取什么类型的二极管(肖特基or稳压管or其它)?二极管的耐压值的要求?