• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

PMOS管防反电路,压降异常

1.使用PMOS防反接电路,原理图如下图所示;

但是实际测试过程总发现,当输入电压为10v,输出负载10ohm,|Vgs|=5.35v,Vout=9.2v

pmos使用的是FDMC86139,压降0.8V,比较疑惑怎么又这么大的压降。

全部回复(23)
正序查看
倒序查看
Temo
LV.5
2
2017-02-22 11:10
顶顶
0
回复
2017-02-22 12:24
@Temo
顶顶

把D2拿掉, R1換成1K, 再試試.....

不過你這結構短路會燒MOS, 建議在D-S兩端並聯一顆蕭特基二極體.......

0
回复
Temo
LV.5
4
2017-02-22 12:31
@juntion
把D2拿掉,R1換成1K,再試試.....不過你這結構短路會燒MOS,建議在D-S兩端並聯一顆蕭特基二極體.......
我这个输入范围是10-55v,把D2去了,就不能达到这么宽的输入范围了。DS端为什么要并联一个肖特基二极管?
0
回复
2017-02-22 12:55
@Temo
我这个输入范围是10-55v,把D2去了,就不能达到这么宽的输入范围了。DS端为什么要并联一个肖特基二极管?

同樣問題.....

看這一貼

http://www.dianyuan.com/bbs/1538602.html

0
回复
2017-02-22 12:56
@juntion
同樣問題.....看這一貼http://www.dianyuan.com/bbs/1538602.html
把Q4那個路徑去掉, 輸入輸出反過來裝.......
0
回复
Temo
LV.5
7
2017-02-22 13:32
@juntion
把Q4那個路徑去掉,輸入輸出反過來裝.......

Juntion  你好:

谢谢你的回复。

1.把 R1更换为小阻值,增大|Vgs|电压,较小MOS管的压降。这个方法是的可行的, 但是也带来的R1功耗增大的现象,按照你推荐的电路

需要把下图中Q1的 D和s极互换,不知道我理解的对否。

2.关于我提供的电路图,我的疑惑是,为什么MOS关有这么大的压降,按照最大导通电阻,Rds(on)=0.1ohm,流过1a电流,应该哟0.1V压降左右啊,为什么有0.8V压降,莫非是PMOs体二极管的压降?

0
回复
2017-02-22 13:49
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
0
回复
2017-02-22 14:11
@Temo
Juntion 你好:谢谢你的回复。1.把R1更换为小阻值,增大|Vgs|电压,较小MOS管的压降。这个方法是的可行的,但是也带来的R1功耗增大的现象,按照你推荐的电路需要把下图中Q1的D和s极互换,不知道我理解的对否。[图片]2.关于我提供的电路图,我的疑惑是,为什么MOS关有这么大的压降,按照最大导通电阻,Rds(on)=0.1ohm,流过1a电流,应该哟0.1V压降左右啊,为什么有0.8V压降,莫非是PMOs体二极管的压降?[图片]

呵, 一開始不知道你電壓範圍很寬, 若以你目前所PO的電路圖, 因為S極為輸出, 且G極分壓, 所以其壓差對於VGS而言與你的負載有關係, 當負載端電壓拉低, 你的VGS將不足....

以現有分析, 一開始送電後, 只有Body Diode通, G-S電壓分一半, 所以開機有載情況下G-S可能分不到4.5V

雖然比SPEC上標示的還高, 但你必須去看 RDSon VS VGS曲線, 因為Spec 上測定的Vth條件不一定跟你狀況一樣..

你那情形相當於Mosfet沒通.......

所以只要你將R1電阻值改低, 保證MOSFET可以導通, 會短路Body Diode, 但是電壓高就沒辦法了...

另一貼的電路, 是要在7V啟動, 不過應該是做過壓保護, 所以給它加Q4, 你只做反接, 只需要短路Body Diode, 

所以就將電路的輸入(Vin)接你的輸出, 電路的輸出(Vout), 接你的輸入就可以了....

這電路主要是有恆流源讓Mosfet保持導通..........

0
回复
Temo
LV.5
10
2017-02-22 14:23
@juntion
呵,一開始不知道你電壓範圍很寬,若以你目前所PO的電路圖,因為S極為輸出,且G極分壓,所以其壓差對於VGS而言與你的負載有關係,當負載端電壓拉低,你的VGS將不足....以現有分析,一開始送電後,只有BodyDiode通,G-S電壓分一半,所以開機有載情況下G-S可能分不到4.5V雖然比SPEC上標示的還高,但你必須去看RDSonVSVGS曲線,因為Spec上測定的Vth條件不一定跟你狀況一樣..你那情形相當於Mosfet沒通.......所以只要你將R1電阻值改低,保證MOSFET可以導通,會短路BodyDiode,但是電壓高就沒辦法了...另一貼的電路,是要在7V啟動,不過應該是做過壓保護,所以給它加Q4,你只做反接,只需要短路BodyDiode, 所以就將電路的輸入(Vin)接你的輸出,電路的輸出(Vout),接你的輸入就可以了....這電路主要是有恆流源讓Mosfet保持導通..........

感谢Juntion版主的回复

1、关于上面的问题,补充一下输入的条件设定,输入电压范围是10v-50v,稳压管使用的是15v稳压管,开始的想法是在低于稳压管的电压时,依靠电阻分压来开启PMOS.当大于稳压管的输入电压范围时,稳压管开始工作,稳压管导通电流增大,通过R1电流增大,VR1增大,来保证VGS电压在15v左右,保证不超过VGS(th)【VGS小于±25v】。以上是我的设想。

下图是VGS与RDS(ON)的关系。从下图VGS=5V时,导通电阻应该小于0.1ohm才对。

0
回复
2017-02-22 14:34
@Temo
感谢Juntion版主的回复1、关于上面的问题,补充一下输入的条件设定,输入电压范围是10v-50v,稳压管使用的是15v稳压管,开始的想法是在低于稳压管的电压时,依靠电阻分压来开启PMOS.当大于稳压管的输入电压范围时,稳压管开始工作,稳压管导通电流增大,通过R1电流增大,VR1增大,来保证VGS电压在15v左右,保证不超过VGS(th)【VGS小于±25v】。以上是我的设想。下图是VGS与RDS(ON)的关系。从下图VGS=5V时,导通电阻应该小于0.1ohm才对。[图片]
所以你那10V輸入時, 抽載剛好使電壓在VGS的臨界點, 輸入電壓再上升就正常了不是麼?
0
回复
Temo
LV.5
12
2017-02-22 14:36
@juntion
所以你那10V輸入時,抽載剛好使電壓在VGS的臨界點,輸入電壓再上升就正常了不是麼?
可能是的,我去调整一下试一试。
0
回复
Temo
LV.5
13
2017-02-22 15:30
@Temo
可能是的,我去调整一下试一试。

刚测了几个参数奇怪。

供电输入电压: 供电电流     |VGS|    输出电压

  10V                1.318A       6.9v       9.21 

   13                  0.99          8.91       12.23

   20                  0.6415       13.57     19.24

   30                0.4324         16.07      29.25

 输出电压压降差别不大啊


0
回复
2017-02-22 16:32
@Temo
[图片]刚测了几个参数奇怪。供电输入电压:供电电流  |VGS|  输出电压 10V        1.318A   6.9v   9.21   13         0.99     8.91   12.23  20         0.6415   13.57  19.24  30        0.4324    16.07   29.25 输出电压压降差别不大啊
你那是什麼怪MOSFET.....要不要換廠牌看看.......
0
回复
Temo
LV.5
15
2017-02-22 16:47
@juntion
你那是什麼怪MOSFET.....要不要換廠牌看看.......
Fairchild 的FDMC86139
0
回复
2017-02-22 17:09
@Temo
Fairchild的FDMC86139

Fairchild 應該不會這樣阿, 那你這樣

1). 直接量MOSFET引腳...

2). 用示波器看看Mos_S與Mos_G電壓, 是不是震盪了......

3). 輸入10V, 直接把Mos_G接地看看.......


看哪一項出問題..........

0
回复
Temo
LV.5
17
2017-02-22 17:28
@juntion
Fairchild應該不會這樣阿,那你這樣1).直接量MOSFET引腳...2).用示波器看看Mos_S與Mos_G電壓,是不是震盪了......3).輸入10V,直接把Mos_G接地看看.......看哪一項出問題..........
用示波器测试了,未发现震荡
0
回复
2017-02-22 17:50
@Temo
用示波器测试了,未发现震荡
那你用這看看.....

0
回复
kamacite
LV.2
19
2017-02-22 19:36
@Temo
[图片]刚测了几个参数奇怪。供电输入电压:供电电流  |VGS|  输出电压 10V        1.318A   6.9v   9.21   13         0.99     8.91   12.23  20         0.6415   13.57  19.24  30        0.4324    16.07   29.25 输出电压压降差别不大啊
测试点是点到mos两个引脚上吗?线路上的阻抗也会有压降
0
回复
Temo
LV.5
20
2017-02-23 08:38
@kamacite
测试点是点到mos两个引脚上吗?线路上的阻抗也会有压降
点到了,开始也怀疑是线路上的阻抗,后来用万用表测试MOS的输入,输出引脚上,也是一样
0
回复
POWER_AC
LV.4
21
2017-02-24 08:37
@Temo
我这个输入范围是10-55v,把D2去了,就不能达到这么宽的输入范围了。DS端为什么要并联一个肖特基二极管?
输入范围太大了,低压时,在PMOS两端必然存在压降,随着电流增大,PMOS发热严重,压降更加严重。
0
回复
Temo
LV.5
22
2017-02-25 13:12
@POWER_AC
输入范围太大了,低压时,在PMOS两端必然存在压降,随着电流增大,PMOS发热严重,压降更加严重。
你好,感谢你的回复,输入范围是比较宽,低压时,我的PMOS管的|VGS|大于芯片要求的最大开机电压,达到6V,此时PMOS为何还是为完全开通,压降有0.75V,这个是让人疑惑的地方。
0
回复
Temo
LV.5
23
2017-02-27 09:45
@电源网-fqd
已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
顶!d=====( ̄▽ ̄*)b
0
回复
2017-03-03 08:45
关注一下。
0
回复