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双NMOS作为电源防护的问题:过压,反接,直流系统接入交流电保护

如图:

我想实现的功能:接入直流电压超过16V进入保护,接入负电压进入保护(反接保护),接入交流24V后不损坏(正向进入过压保护,反向进入反接保护)。

两个Nmos管的用法已经实现DC16V直流过压保护,反接保护。

可是为什么接入AC24V的时候的时候输出端波形出现负向电压,并且在带大负载(2A)后mos管烧坏。

空载时候的波形(正半周期出现了负电压,负半周期的负电压没有消除):

接入一个小负载后波形恢复正常(下图),并联大负载后烧坏mos管。

在主回路中串入一个二极管后,AC24反向部分被滤处,电路可以正常工作。说明MOS管烧坏是由于负电压的引入造成的。

问:请教各路大神,

1.为什么mos管在交流模式下不能进入反接保护的状态?

2.如果要在这个电路的基础上做改动以实现我需要的功能,怎么改进?

问题如上,请多指教。不胜感激。

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2017-02-16 11:02
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2017-02-16 18:21

这贴连沙发都没人敢抢. 先跟你说原因,有思虑可先改,不然等我明天上图... 

AC电源Vin端正半周,则地端为负半周,AC24V所以峰对峰为48V, 当电压下降到正半周为+8V, 负半周为-8V时将㑹输出,因为过电压失效,你㑹看到约16V正弦..... 

当极性反转,Vin为负半周,地为正半周,你的稳压管变顺向,提供Mosfet_S一个负电位,又刚好Mosfet_G正负都可通,且开关电晶体失效,因此两个Mos管同时通,但因为地为正半周,当Mosfet通时,将㑹使Mosfet截止,因此Mosfet止能导通在临界点,此时RDSon很大,当你加一颗高阻值电阻,电压㑹降,这是电阻与RDSon分压结果,当你用很小电阻时,变成Q2内二极体顺向,Q3_S得到实际电位,D_S过大电流,Q3㑹挂掉.... 

这都是你那两颗稳压管在搞鬼...... 

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2017-02-17 12:39
@juntion
这贴连沙发都没人敢抢.先跟你说原因,有思虑可先改,不然等我明天上图... AC电源Vin端正半周,则地端为负半周,AC24V所以峰对峰为48V,当电压下降到正半周为+8V,负半周为-8V时将㑹输出,因为过电压失效,你㑹看到约16V正弦..... 当极性反转,Vin为负半周,地为正半周,你的稳压管变顺向,提供Mosfet_S一个负电位,又刚好Mosfet_G正负都可通,且开关电晶体失效,因此两个Mos管同时通,但因为地为正半周,当Mosfet通时,将㑹使Mosfet截止,因此Mosfet止能导通在临界点,此时RDSon很大,当你加一颗高阻值电阻,电压㑹降,这是电阻与RDSon分压结果,当你用很小电阻时,变成Q2内二极体顺向,Q3_S得到实际电位,D_S过大电流,Q3㑹挂掉.... 这都是你那两颗稳压管在搞鬼...... 

上電路:

用雙P作保護, 電壓

極性對, Q3在約3V打開P-Mosfet, 極性不對則P-Mosfet 打不開

電壓超過431分壓點, Q3不通, P-Mosfet 關閉不通

交流輸入, 正半週極性對, 一樣會有正弦輸出

負半週期性不對, 431不會動, Q3也不會動, P-Mosfet也不會動

D1是因為431類比輸入不允許有達-0.3V電壓, 所以串二極體, 保護Vref Pin

D4反向保護431  A-K

D2為防止Q3  B-C成順向進入飽和區.......


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