MOS的Ciss(輸入電容)米勒效應才會標示Cgd, Cgs.... 與耐電流成正與耐電壓也成正比
因為耐電流越大, 通道需越寬, 因此G極同樣需要相當寬度, 才能吸引電子使D-S導通
但很不幸的是 C= ε * (A / l) 其中 ε 為介電係數 , A 為截面積 l 為兩電極間的距離
所以當耐流很大或耐壓很高, 相對的都會增加其面積(長度或寬度), 像Cool Mos這一類是把Get 以挖成V字形, 目的是在大電流與高耐壓下,
以V溝實現不增加Get面積但可以取得D-S最大電荷量, 所以Mos 輸入電容定律是不變的, 就看技術層次到哪.....
