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FF150R12MS4G IGBT模块的反并联二极管

Infineon-FF150R12MS4G-DS-v02_01-en_de.pdf

有谁了解附件的 IGBT模块中的反并联二极管,是不是快恢复的。

想用它在移相ZVS中,不是快恢复二极管不敢使用。

了解的请指点一下。

全部回复(16)
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2017-01-08 18:25
是寄生二极管,天生在里面的,不用也得用
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11455355
LV.9
3
2017-01-08 20:54
是快恢复二极管,基本不低于管子应用频率。
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guizh
LV.4
4
2017-01-08 21:46
@11455355
是快恢复二极管,基本不低于管子应用频率。
师长大人:这里有快恢复二极管具体的参数吗?
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guizh
LV.4
5
2017-01-08 21:47
@lingyan
是寄生二极管,天生在里面的,不用也得用
MOSFET里二极管是寄生的,IGBT的是外加的。
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11455355
LV.9
6
2017-01-09 20:30
@guizh
师长大人:这里有快恢复二极管具体的参数吗?
一般不单独表述,数据手册里面也查不到的
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2017-01-10 12:54
@11455355
一般不单独表述,数据手册里面也查不到的
IGBT有分内建二极体与没内建两种,通常二极体的速度跟管子是一样的,若你有疑虑,可选没内建再外并就好.... 
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2017-01-10 19:48

IGBT无体二极管,如果IGBT模块内有二极管,是单独的二极管芯片,肯定是快的

你提供的PDF文件中已经给出了你要的二极管的参数,在规格书的第二页,中间的表,第四行。项目名称为:反向恢复能量,即损耗

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guizh
LV.4
9
2017-01-10 22:18
@世界真奇妙
IGBT无体二极管,如果IGBT模块内有二极管,是单独的二极管芯片,肯定是快的你提供的PDF文件中已经给出了你要的二极管的参数,在规格书的第二页,中间的表,第四行。项目名称为:反向恢复能量,即损耗[图片]

需要知道Trr,即反向恢复时间。

有的IGBT模块或单管给了这个参数,用着放心。

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guizh
LV.4
10
2017-01-10 22:19
@juntion
IGBT有分内建二极体与没内建两种,通常二极体的速度跟管子是一样的,若你有疑虑,可选没内建再外并就好.... 
外并使用不方便
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2017-01-11 08:16
@guizh
需要知道Trr,即反向恢复时间。有的IGBT模块或单管给了这个参数,用着放心。

英飞凌给的参数可以根据你的工况直接算出反向恢复的功耗。用Trr计算可就麻烦得多,并且误差也大得多。

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2017-01-11 08:26
@世界真奇妙
英飞凌给的参数可以根据你的工况直接算出反向恢复的功耗。用Trr计算可就麻烦得多,并且误差也大得多。
如果你不会用英飞凌给的参数计算,我可以告诉你,在同样的工作电流和同样的占空比的情况下,二极管的总功耗(导通+开关)小于IGBT的总功耗,但是,由于二极管的热阻远远大于IGBT,二极管的温度高于IGBT,也就是二极管容易坏。(硬开关,工作频率=20K时)
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飘飘飘
LV.6
13
2017-01-11 08:42
@世界真奇妙
如果你不会用英飞凌给的参数计算,我可以告诉你,在同样的工作电流和同样的占空比的情况下,二极管的总功耗(导通+开关)小于IGBT的总功耗,但是,由于二极管的热阻远远大于IGBT,二极管的温度高于IGBT,也就是二极管容易坏。(硬开关,工作频率=20K时)
英飞凌的IGBT都没有给出Coes电容有什么方法可以计算出来吗?
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guizh
LV.4
14
2017-01-11 14:45
@世界真奇妙
如果你不会用英飞凌给的参数计算,我可以告诉你,在同样的工作电流和同样的占空比的情况下,二极管的总功耗(导通+开关)小于IGBT的总功耗,但是,由于二极管的热阻远远大于IGBT,二极管的温度高于IGBT,也就是二极管容易坏。(硬开关,工作频率=20K时)
我的是移相软开关
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guizh
LV.4
15
2017-01-11 14:47
@世界真奇妙
英飞凌给的参数可以根据你的工况直接算出反向恢复的功耗。用Trr计算可就麻烦得多,并且误差也大得多。
不仅需要算二极管损耗,最主要想知道二极管的反向恢复时间,在几百nS的死区时间里能否完成恢复,英飞凌新一代单管IGBT都给了这个参数
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2017-01-12 07:46
@guizh
不仅需要算二极管损耗,最主要想知道二极管的反向恢复时间,在几百nS的死区时间里能否完成恢复,英飞凌新一代单管IGBT都给了这个参数

1、软开关是针对IGBT而言,与二极管无直接的关系

2、该型号的IGBT关断延时典型值550纳秒,最大值可能接近1微秒,这是考虑死区时间的要点。

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飘飘飘
LV.6
17
2017-01-12 12:24
@guizh
不仅需要算二极管损耗,最主要想知道二极管的反向恢复时间,在几百nS的死区时间里能否完成恢复,英飞凌新一代单管IGBT都给了这个参数

主要是模块没有给出。

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