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DI-135参考设计 LinkSwitch-XT的USB充电器的变压器E-Shield技术省去Y电容？

       DI-135参考设计 LinkSwitch-XT设计的参考方案 2.75 W高效率恒压/恒流输出USB充电器通过U1内集成的频率调制功能以及变压器的E-Shield技术，可以使此类简单的EMI滤波符合EN55022B标准，即使在初、次级绝 缘层没有Y电容的情况下亦可做到这一点

       PI的很多芯片里提到变压器的E-Shield技术，这是什么样的技术，E-Shield技术设计的电源应用场合有没什么限制？如果电源芯片没有这个功能，在初、次级绝 缘层的Y电容是不是就是必须的？是不是一定要加的？

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大海的儿子
LV.10
2
2016-12-04 16:32
E-Shield 技术是属于低电磁干扰(EMI)的变压器构造技术，主要是衰减EMI的一种技术。
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trllgh
LV.9
3
2016-12-04 16:34
@大海的儿子
E-Shield技术是属于低电磁干扰(EMI)的变压器构造技术，主要是衰减EMI的一种技术。
E-Shield 技术主要有3种，有初级E-Shield™，串联E-Shield™，偏置绕组E-Shield。
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大海的儿子
LV.10
4
2016-12-04 16:37
@trllgh
E-Shield技术主要有3种，有初级E-Shield™，串联E-Shield™，偏置绕组E-Shield。

电路前端加个简单的输入Π滤波器的差分模EMI ，这样可以使得使用E- Shield™可屏蔽技术，以降低共模EMI位移电流

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spowergg
LV.9
5
2016-12-04 16:39
如果电源芯片没有这个功能，在初、次级绝 缘层的Y电容是不是就是必须的？是不是一定要加的？不加可以吗？
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spowergg
LV.9
6
2016-12-04 16:41
@trllgh
E-Shield技术主要有3种，有初级E-Shield™，串联E-Shield™，偏置绕组E-Shield。
这3种E-Shield技术变压器有什么差别？都要怎么绕制呢？有具体的资料看看吗？
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大海的儿子
LV.10
7
2016-12-04 16:41
@spowergg
这3种E-Shield技术变压器有什么差别？都要怎么绕制呢？有具体的资料看看吗？

楼主可以参考一下PI提供的附件中这3种技术的变压器绕制要求，希望对你有帮助，不够是英文的。

ipEShield.pdf

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trllgh
LV.9
8
2016-12-04 16:54
@spowergg
如果电源芯片没有这个功能，在初、次级绝缘层的Y电容是不是就是必须的？是不是一定要加的？不加可以吗？
在初、次级绝缘层接Y电容主要是为了抑制共模噪声的。
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大海的儿子
LV.10
9
2016-12-04 17:04
@trllgh
在初、次级绝缘层接Y电容主要是为了抑制共模噪声的。
如果你的电源对EMC没要求，不加这个Y电容也是可以的，不够最好还是要加
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spowergg
LV.9
10
2016-12-04 17:05
@大海的儿子
如果你的电源对EMC没要求，不加这个Y电容也是可以的，不够最好还是要加
变压器初次级不是绝缘的吗？不能保证初次级间不互相干扰？
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trllgh
LV.9
11
2016-12-04 17:06
@spowergg
变压器初次级不是绝缘的吗？不能保证初次级间不互相干扰？
因为变压器初次级间有分布电容，分布电容导致共模干扰的。
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spowergg
LV.9
12
2016-12-04 17:07
@trllgh
因为变压器初次级间有分布电容，分布电容导致共模干扰的。
怎么去计算和选取Y电容的值让共模干扰的影响达到最小？
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trllgh
LV.9
13
2016-12-04 18:46
@spowergg
怎么去计算和选取Y电容的值让共模干扰的影响达到最小？
具体计算公式我不知道，应该依据线路环境中可能产生的共模干扰的大小来选择。
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spowergg
LV.9
14
2016-12-04 19:27
@trllgh
具体计算公式我不知道，应该依据线路环境中可能产生的共模干扰的大小来选择。
开关电源初次级之间的Y电容是接在次级正极上还是负极上好呢？
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大海的儿子
LV.10
15
2016-12-04 19:28
@spowergg
开关电源初次级之间的Y电容是接在次级正极上还是负极上好呢？
反激式开关电源的话，Y电容一般接在输入地和变压器次级绕组的地管管脚上。
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亲爱的郭郭
LV.9
16
2016-12-05 08:39
@大海的儿子
楼主可以参考一下PI提供的附件中这3种技术的变压器绕制要求，希望对你有帮助，不够是英文的。ipEShield.pdf
Y电容主要是接在变压器的初、次级绝缘层接抑制共模噪声的。
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tabing_dt
LV.10
17
2017-03-03 15:58
@spowergg
怎么去计算和选取Y电容的值让共模干扰的影响达到最小？
基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般是nf级，Y电容能抑制共模干扰。
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tabing_dt
LV.10
18
2017-03-03 16:04
@大海的儿子
楼主可以参考一下PI提供的附件中这3种技术的变压器绕制要求，希望对你有帮助，不够是英文的。ipEShield.pdf
这份资料讲的E-Shield变压器绕制方法全是英文的，看不太懂，有中文的吗？初级，串联，偏置绕组E-Shield对EMI改善哪种最好？
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wengnaibing
LV.9
19
2017-03-03 16:12
@spowergg
如果电源芯片没有这个功能，在初、次级绝缘层的Y电容是不是就是必须的？是不是一定要加的？不加可以吗？
接电容在初级地和次级地之间是因为变压器存在层间电容，会把原边的能量从层间电容传递，接Y电容滤波，减小这部分的能量，对EMI有好处.
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z1249335567
LV.8
20
2017-07-05 16:13
@大海的儿子
E-Shield技术是属于低电磁干扰(EMI)的变压器构造技术，主要是衰减EMI的一种技术。
Y电容是接在变压器的初、次级绝缘层的。 LinkSwitch-XT是小功率的电源类芯片抑制共模噪声的。
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