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高功率密度整流模块电源

输入:20V~100V,50k~100kHz交流方波

输出:±12VDC

功率:30W

效率:>95%

这个输入是高频交流,范围较宽,又有效率限制,适合采用什么样的拓扑呢。

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2016-09-22 19:59

非隔离的buck估计在低压的时候都难有95的效率。

看看能否采用直接20-100V接高频变压器隔离了,然后做个BUCK电路来处理。

 

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telllie
LV.1
3
2016-09-22 22:27
@417zhouge
非隔离的buck估计在低压的时候都难有95的效率。看看能否采用直接20-100V接高频变压器隔离了,然后做个BUCK电路来处理。 

非常感谢!

如果采用同步整流,软开关的话,效率应该是可以的。

假设这里是工频输入,我们一般会按照整流+PFC+DC-DC这样的方案来做,但要求高频交流输入,在设计上哪些方面需要着重考虑或者说应该注意哪些问题?

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2016-09-22 22:28
不可能做
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telllie
LV.1
5
2016-09-22 22:35
@世界真奇妙
不可能做
啊...........说的好绝对。
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2016-09-23 07:50

30W 效率>95%,只能有1.5W损耗。

输入:20V~100V,50k~100kHz交流。交流电压指的是有效值,峰值最高140V,如果全桥整流,大概要用200V的肖特基,为了降低正向压降,用90A200V肖特基,1.5A的正向压降约0.5V,整流损耗为1.5W。显然,此路不通。

为了降低整流损耗就必须采用同步整流,必须用导通电阻很小,耐压约200V的MOS管,还必须先做一个用于同步整流的控制电源。后面的12V输出也必须是同步整流。一个小小的30W电源,做起来比做300W的还费事,必须用很大的器件,成本比300W的还高很多,体积也很大,还要高功率密度。如果是用在宇航方面,还可以考虑怎么做,因为可以不计成本,可以把大部分功能设计到IC中,做专用IC。

完全是一个外行瞎提要求。

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2016-09-23 08:28
@telllie
非常感谢!如果采用同步整流,软开关的话,效率应该是可以的。假设这里是工频输入,我们一般会按照整流+PFC+DC-DC这样的方案来做,但要求高频交流输入,在设计上哪些方面需要着重考虑或者说应该注意哪些问题?
只做过50/60Hz的PFC,50k-100k如何做PFC,还没想过怎么实现。
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2016-09-23 08:31
@世界真奇妙
30W效率>95%,只能有1.5W损耗。输入:20V~100V,50k~100kHz交流。交流电压指的是有效值,峰值最高140V,如果全桥整流,大概要用200V的肖特基,为了降低正向压降,用90A200V肖特基,1.5A的正向压降约0.5V,整流损耗为1.5W。显然,此路不通。为了降低整流损耗就必须采用同步整流,必须用导通电阻很小,耐压约200V的MOS管,还必须先做一个用于同步整流的控制电源。后面的12V输出也必须是同步整流。一个小小的30W电源,做起来比做300W的还费事,必须用很大的器件,成本比300W的还高很多,体积也很大,还要高功率密度。如果是用在宇航方面,还可以考虑怎么做,因为可以不计成本,可以把大部分功能设计到IC中,做专用IC。完全是一个外行瞎提要求。

估计要用半波整流,可以少 1个管子和少点损耗。

同步整流应该能实现,怎么去做这个逻辑就比较头疼了。

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2016-09-23 09:06
@417zhouge
估计要用半波整流,可以少1个管子和少点损耗。同步整流应该能实现,怎么去做这个逻辑就比较头疼了。

能允许半波整流吗?楼主还要做PFC,供电频率100K,PFC至少1MHZ,都是瞎想。

要有可行性,效率指标必须大幅度降低,也不可能做什么PFC。

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telllie
LV.1
10
2016-09-23 15:10
@世界真奇妙
能允许半波整流吗?楼主还要做PFC,供电频率100K,PFC至少1MHZ,都是瞎想。要有可行性,效率指标必须大幅度降低,也不可能做什么PFC。

欢迎大家提出意见哈。

暂不考虑加入PFC,开关管使用氮化镓,超高频工作,基于这些条件适合采用什么电路拓扑。

好烦啊,还要求三路输出。。。

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2016-09-25 11:42
@telllie
欢迎大家提出意见哈。暂不考虑加入PFC,开关管使用氮化镓,超高频工作,基于这些条件适合采用什么电路拓扑。好烦啊,还要求三路输出。。。[图片]

不考虑效率的话就好办了,但是如果是超高频工作试试桥式谐振电路,可行性需探讨。

控制用DSP?

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telllie
LV.1
12
2016-09-28 16:54
@417zhouge
不考虑效率的话就好办了,但是如果是超高频工作试试桥式谐振电路,可行性需探讨。控制用DSP?
哪种谐振,是LLC吗?控制应该会用DSP,担心应经过多功率密度达不到要求。
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Wwork
LV.1
13
2016-12-23 20:37
@417zhouge
非隔离的buck估计在低压的时候都难有95的效率。看看能否采用直接20-100V接高频变压器隔离了,然后做个BUCK电路来处理。 

采用氮化镓MOFET来做,效率还可以提高1.5个点以上。

请查看说明资料。

GaN 氮化镓MOSFET 选型及价格表.xlsx

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2016-12-23 21:42

不知问题解决了没有,因输入是交流方波所以单级拓扑应当就可以实现所要求的功能。

如上图可将方框中的50%占空比的MOS管输出作为交流方波电源的发生电路(交流是相对的),这个电路等效于两个MOS管串联的Buck电路,占空比为50%*实际占空比,所以最大占空比只有50%。

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2016-12-23 21:49
@boy59
不知问题解决了没有,因输入是交流方波所以单级拓扑应当就可以实现所要求的功能。[图片]如上图可将方框中的50%占空比的MOS管输出作为交流方波电源的发生电路(交流是相对的),这个电路等效于两个MOS管串联的Buck电路,占空比为50%*实际占空比,所以最大占空比只有50%。

实现正12V输出可直接用单级Buck拓扑。

图中的Uin是50KHz-100KHz方波电压,电路中MOS管的开关频率最好是>100KHz,反馈和控制用普通的Buck芯片即可。

因为输入最低电压是20V,MOS管全导通的等效占空比也只有50%,如果电感工作于连续模式则输出电压最高只能达到10V,所以应将电感设计的小一些使之工作于断续模式。(或者换成其它单级拓扑)

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2016-12-23 21:52
@boy59
不知问题解决了没有,因输入是交流方波所以单级拓扑应当就可以实现所要求的功能。[图片]如上图可将方框中的50%占空比的MOS管输出作为交流方波电源的发生电路(交流是相对的),这个电路等效于两个MOS管串联的Buck电路,占空比为50%*实际占空比,所以最大占空比只有50%。

对于负压输出可直接用单级Buck-Boost拓扑。

这里只做降压用占空比始终要小于50%,电感没特殊要求。

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