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SCALE-iDriver——具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC
阅读: 2595 |  回复: 615 楼层直达

2016/08/02 13:44:00
1
电源网-静静
电源币:4878 | 积分:5011 主题帖:331 | 回复帖:525
LV9
军长

SCALE-iDriver

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC


                                                  

                                  典型应用电路原理图

数据手册:

scale-idriver_family_datasheet.pdf


产品详情:

SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强电气绝缘。其峰值输出驱动电流可达8 A,可直接驱动450 A(典型值)的开关器件,而无需任何额外的有源元件。对于更大电流的半导体器件,其所要求的门极电流会超出SID11x2K的最大输出电流,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单极隔离电压源提供。

该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方/副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部电阻分压可将逻辑电平调整到15 V。

主要特征:

  • 高度集成,封装紧凑
    • 独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流
    • 集成的FluxLink™技术为原方与副方提供可靠绝缘
    • 稳定的轨到轨输出电压
    • 副方供电为单极电源电压
    • 适合600 V/650 V/1200 V IGBT和MOSFET功率开关
    • 开关频率最高250 kHz
    • 传输延迟时间非常短,仅为260 ns
    • 传输延迟抖动±5 ns
    • 工作环境温度介于-40°C至125°C之间
    • 具有较高的共模瞬态抗扰性
    • 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装
  • 先进的保护/安全功能
    • 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈
    • 采用VCESAT监控和故障反馈二极管*或电阻串**的短路保护(参见图1)
    • 高级软关断(ASSD)
  • 完全符合各项安规要求
    • 产品100%进行局部放电测试
    • 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试
    • 符合VDE 0884-10的加强绝缘标准
    • Comparative Tracking Index (CTI) = 600
  • 环保封装
    • 无卤素且符合RoHS标准


产品型谱:


注释:

  1. 封装 - K: eSOP-R16B.

产品图片:


2016/08/02 14:16:50
2
紫蝶
电源币:634 | 积分:5 主题帖:35 | 回复帖:751
LV8
师长
楼主,我发完帖子,发现论坛有人发的问题跟我一样,这算吧,真心提的问题疑问
2016/08/02 20:49:21
3
btma
电源币:30 | 积分:5 主题帖:2 | 回复帖:733
LV8
师长

这IC有样品试用吗?到哪里申请?

指标确实不错,比332、316高。

2016/10/09 21:32:45
17
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
样品可以找当地的代理商,一般都会给的。SCALE-iDriver的这个芯片可以工作在工控环境中吗?
2017/04/05 19:56:23
45
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
这款IGBT驱动器工作环境温度介于-40°C至125°C之间,工控环境应该是可以满足的。
2017/06/03 15:53:19
69
亲爱的郭郭
电源币:14 | 积分:5 主题帖:118 | 回复帖:619
LV9
军长
SID11x2K可以驱动单个的IGBT也可以驱动MOSFET管,可直接驱动典型值450 A的开关器件。
2017/06/04 13:29:12
83
黑夜公爵
电源币:432 | 积分:10 主题帖:138 | 回复帖:640
LV9
军长
当出现过流时 ,无论此时有无输入信号 ,都应无条件地实现软关断
2018/11/01 17:17:30
102
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
自动重启动时间从200ms降低到大约6个时钟周期,使禁止周期维持在2.5秒
2018/11/03 14:03:39
191
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
输出稳压通过采用ON/OFF控制来实现, 使能开关周期的数量根据输出负载进行调整
2018/11/04 10:11:19
207
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
如果选择一个电感值低于此最小值的电感器, 就将导致降压变换器可能无法在最大电 流下将其输出电压保持在规定范围内
2018/11/04 20:26:01
232
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
IGBT的特点是输入阻抗高,速度快,热稳定性好。通态电压低,耐压高,电流大。
2018/11/04 20:32:11
233
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
IGBT的电流密度比 MOSFET 大,芯片面积只有 MOSFET 的 40%。但速度比 MOSFET 低。
2018/12/08 21:36:36
578
紫蝶
电源币:634 | 积分:5 主题帖:35 | 回复帖:751
LV8
师长
IGBT的管子就是功率大,电流大,适合大功率电源的而设计应用。
2018/12/05 21:44:48
460
tabing_dt
电源币:832 | 积分:6 主题帖:108 | 回复帖:845
LV9
军长
IGBT 的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中
2018/12/08 21:37:58
579
紫蝶
电源币:634 | 积分:5 主题帖:35 | 回复帖:751
LV8
师长
认同这个说法。MOS管子的功耗就比较大。各有特色吧。
2018/11/02 17:21:15
137
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
源极引脚是开关节点,连接源极的铺铜区域应尽量最小,以便在设计的热约束内降低EMI
2018/11/04 11:30:22
231
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
输出反射电压是在次级二极管导通期间输出电压加上二极管正向导通压降
2018/11/02 22:32:00
150
spowergg
电源币:106 | 积分:0 主题帖:57 | 回复帖:517
LV8
师长
IGBT兼具双极型晶体管的大功率特性和 MOSFET的高速转换、电压驱动特性这两种优良特性的开关元件.
2018/11/02 22:42:29
160
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
电源在输入端的电感上并联电阻是可以吸收电流来降低反电势的
2018/11/02 22:56:14
165
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
一般的 IGBT 驱动器都规定了最大输出电流峰值,驱动器的输出电流即 IGBT 的栅极电流。
2018/11/02 22:57:31
166
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
这个电流峰值并不完全取决于驱动器,也取决于栅极电阻 Rg、栅极电容 Cg 等
2018/11/06 20:44:30
285
k8882002
电源币:289 | 积分:4 主题帖:49 | 回复帖:505
LV8
师长
IGBT的栅极通过一层氧化膜与射极实现电隔离,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点
2018/11/06 20:55:22
289
眼睛里的海
电源币:106 | 积分:0 主题帖:21 | 回复帖:318
LV8
师长
由于此氧化层很薄, 其击穿电压一般只能达到2030V,因此栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一
2018/11/06 21:00:36
291
wengnaibing
电源币:131 | 积分:2 主题帖:39 | 回复帖:306
LV8
师长
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压, 但栅极连线的寄生电感和栅-集极间的电容耦合, 也会产生使氧化层损坏的振荡电压
2018/11/06 21:11:19
294
tabing_dt
电源币:832 | 积分:6 主题帖:108 | 回复帖:845
LV9
军长
栅极驱动电压开始上升的时候, 影响栅极电压UGE上升斜率的主要因素只有RG 和CGE
2018/11/06 22:12:36
310
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
实际应用中IGBT 栅极驱动电压的幅值也有着较大的影响。通常+UGE为1518V
2018/11/06 22:31:44
318
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
它的控制方式是比较复杂的电压型控制,为了方便一般使用者,内部集成了一部分补偿功能
2018/11/06 22:34:16
320
dbg_ux
电源币:208 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:140
LV6
团长
在驱动电路中增加了CGC的容性电流, 使得在驱动电路内阻抗上的压降增加, 造成栅-射电压UGE降低
2018/11/06 21:02:14
292
wengnaibing
电源币:131 | 积分:2 主题帖:39 | 回复帖:306
LV8
师长
IGBT的栅-射和栅-集极间存在着电容CGE和CGC , 在它的射极回路中存在着漏电感LE , 所以会对IGBT的波形有影响。
2018/12/05 17:07:51
450
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
功率因数校正电路对离线电源的输入电流波形进行整形,以使从电源吸取的有功功率最大化
2018/11/04 22:05:48
234
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
迟滞过热关断功能确保器件在发生热故障时自动恢复。 滞后时间较长可防止电路板过热
2018/11/06 22:01:20
305
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
驱动输入脉冲的上升沿会清除上次故障信息,这样每次IGBT导通时都会进入反复故障保护。
2018/11/07 21:48:47
365
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
如果出现故障,需要执行常规的关断时序(先关外管,后关内管)
2018/11/07 21:53:22
370
spowergg
电源币:106 | 积分:0 主题帖:57 | 回复帖:517
LV8
师长
或用另外的关断时序并结合其他方法,以限制IGBT的集电极-发射极电压和关断能量。
2018/11/07 21:57:54
373
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
如果随后采用错误的关断时序,AAC即可安全地限定相应IGBT的最大V ce 电压。
2018/11/07 22:05:30
378
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
检测到驱动器故障时,主控制器只需要对所有IGBT施加统一的关断脉冲,即可避免IGBT和驱动器出现热过载。
2018/12/05 13:37:09
426
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
在满功率下工作效率较高,可减少正常工作期间的功率消耗量,同时降低系统散热管理
2018/12/08 13:18:23
573
黑夜公爵
电源币:432 | 积分:10 主题帖:138 | 回复帖:640
LV9
军长
由于后级稳压器或假负载会造成成本增加和效率降低,所以它们缺乏足够的吸引力
2018/11/05 22:00:08
249
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
可控硅导通时对输入电容进行充电的浪涌电流会造成电流振荡
2018/12/04 15:44:38
403
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
轻载时出现较高的输出电压纹波正是脉冲串模式有效工作所产生的假象
2018/11/02 22:42:39
161
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
IGBT驱动器是一种能够根据控制信号对IGBT栅极快速充放电,使之正常导通和关断的元件。
2018/12/07 15:09:32
517
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
使用变压器设计中得到的实际圈数来计算初级的峰值和RMS电流
2018/12/08 12:03:29
552
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
泄放电路和衰减电路中电阻的最大耗散在90度可控硅导通角时出现
2018/11/08 13:14:44
387
k6666
电源币:66 | 积分:0 主题帖:20 | 回复帖:159
LV6
团长
这个驱动能力强悍,峰值电流大。就是散热措施要做好。
2018/12/04 14:25:59
398
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
反激电路设计成本小点,电路简单,比较容易实现小功率的
2018/12/06 08:37:11
463
z1249335567
电源币:160 | 积分:0 主题帖:95 | 回复帖:571
LV8
师长
SID11x2K可以驱动单个的IGBT也可以驱动MOSFET管,主要还是大功率的模块开关器件。
2018/11/01 17:25:07
107
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
采用原边控制方式,无须光耦和副边电流控制电路,实现隔离恒流输出
2018/12/08 12:21:30
563
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
在功率MOSFET导通后, 前沿消隐电路会将电流限流比较器抑制片刻
2018/11/01 22:46:34
119
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
开关调节器通常优于线性调节器,因为它们更高效,而开关拓扑结构则十分依赖输入滤波器
2018/11/02 22:13:44
145
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
功率开关管采用三极管的话,电源只适合做些功率小的电源
2018/11/02 22:36:39
155
spowergg
电源币:106 | 积分:0 主题帖:57 | 回复帖:517
LV8
师长
IGBT驱动器的基本功能是对控制信号进行放大,一般来说,在应用中 IGBT 发射极电位或集电极点位还会以一定周期发生变化。
2018/11/02 22:41:34
159
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
为了能够抵抗这种变化的干扰、稳定地开启和关断 IGBT,驱动器还提供信号隔离功能
2018/11/02 22:52:38
164
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
为了保证驱动器供电的稳定性,驱动器电源还提供电气隔离,以应对共模干扰。
2018/11/04 22:17:42
235
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
在每个时钟周期上升沿,反馈引脚的电压比较器决定是否执行一个开关周期
2018/11/05 22:05:32
250
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
控制引脚开始根据控制电路所吸收的供电电流的大小进行放电
2018/12/05 17:09:07
451
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
软启动电路使漏极峰值电流和开关频率从很低的起始值逐渐上升到全频最大漏极峰值电流
2018/12/06 12:58:31
466
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
峰值用于通过MON变量在内部缩放电流检测信号的增益
2018/12/06 15:12:22
485
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
正常工作情况下,系统设计留有足够余量,设计时不会超过设定的输出限流点,以达到保护功率器件
2018/11/07 21:36:21
357
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
经整流的直流高压总线间的电阻, 流限随线电压的增高而降低, 可实现真正的不受电压变化影响的功率限定工作
2018/12/09 11:31:17
588
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
反馈引脚使用了一个电压反馈阈值比较器, 可检测输出电压过压情况以便作出快速响应
2018/11/04 10:12:05
208
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
较大的电感值可减小输出纹波电流和纹波电压,但在负载瞬变过程中改变电感电流的时间会加长
2018/11/06 17:09:06
279
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
自动重启动计数器由SOA模式中的开关振荡器提供栅极控制,自动重启动关断时间可能会更长
2018/11/06 20:46:32
286
k8882002
电源币:289 | 积分:4 主题帖:49 | 回复帖:505
LV8
师长
在栅极连线中串联小阻值电阻或小磁环也可以抑制不希望的振荡电压。
2018/12/04 16:50:08
417
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
输出电压越低则变压器匝数比越大,变压器漏感越大,开关管承受电压越高
2018/12/05 15:06:22
430
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
反激电流将从初级至次级电路换流,换流过程的速率由次级漏电感及外部电感电容来决定
2018/11/06 22:33:50
319
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
内部连接到MOSFET的源极, 用于高压功率的返回节点及控制电路的参考点
2018/12/04 14:36:14
399
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
通过固定电流源实现的NLA能提供快速动态响应,替代开关电压增益
2018/12/04 15:56:43
404
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
输入电压前馈调节和功率因数增强,核心控制器采用模拟技术来维持极低的空载功耗
2018/11/07 22:00:40
375
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域
2018/11/08 13:16:46
388
k6666
电源币:66 | 积分:0 主题帖:20 | 回复帖:159
LV6
团长
PI也有功率驱动MOS管子,就是看见应用比较少。
2018/12/08 11:54:28
548
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
内部连接在漏极和控制极引脚之间的开关高压电流源会给控制极引脚电容C3充电
2018/12/05 16:53:14
446
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
内部振荡器具有频率调制特性,可以降低EMI, IC还集成了一些功能用于系统级的保护
2018/12/06 13:00:48
468
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
压敏电阻是对产品输入端的浪涌电压进行防护,要注意压敏电阻规格的选型
2018/11/03 14:04:36
192
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
泄放电路和衰减电路中电阻的最大耗散在90度可控硅导通角时出现
2018/11/04 11:10:09
226
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
输出电压检测是由变压器上的初级参考绕组来执行的,无需光耦器和次级检测电路
2018/12/04 10:41:27
389
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
当漏电流构成负载的大部分电流时,通过脉冲串开关可以维持稳压
2018/12/07 15:13:14
518
erecing
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LV8
师长
如果峰值功率增加,进一步增加输出电流时,在峰值功率点的电压会更低些
2018/12/08 13:19:01
574
黑夜公爵
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LV9
军长
从内部得出输入电压与输出电压之间的差异,进行缩放与电压参考进行比较
2018/11/03 13:40:42
180
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
应将Y电容直接放置在初级输入滤波电容正极和变压器次级的共地接脚之间
2018/11/05 22:34:02
267
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
内部振荡器使内部电容在两个设定的电压值间线性充放电, 以产生脉宽调制解调器所需的锯齿波电压
2018/11/06 21:53:07
299
trllgh
电源币:106 | 积分:0 主题帖:48 | 回复帖:373
LV8
师长
通过改变控制端电流Ic 的大小,连续调节脉冲占空比,实现脉宽调制并能滤掉开关噪声电压。
2018/12/05 13:47:38
427
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
为降低高频率振荡及相关的 辐射EMI,需要在输出整流管添加RC缓冲电路
2018/12/06 15:14:15
486
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
当有电流从外部提供给旁路脚时,将会有一个分流稳压箝位电路会将旁路脚电压箝位
2018/12/05 21:42:01
459
tabing_dt
电源币:832 | 积分:6 主题帖:108 | 回复帖:845
LV9
军长
一般 IGBT 的工作频率上限为 20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的 IGBT,可工作于 150kHz(硬开关)和 300kHz(软开关)。
2016/08/02 23:18:02
4
大海的儿子
电源币:1134 | 积分:6 主题帖:117 | 回复帖:619
LV9
军长
SID11x2K芯片能驱动电流可达8 A,需要加散热片?不然功率很大。
2016/08/03 09:17:39
5
tanb006
电源币:19 | 积分:40 主题帖:205 | 回复帖:934
LV10
司令

不用的。低压大电流的MOS的导通电阻都很小。

这点发热可以忽略了。

另外,有那么大的散热脚,可以通过铜箔来辅助散热的。

这芯片设计的牛。太省空间了。

以后可以放在PCB的背面了。

2016/08/05 23:59:11
9
spowergg
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LV8
师长

那就是通过这个引脚把这个热量散出去,铜箔要铺的尽量大,

这个最大的管脚是GND吗?

2016/09/03 14:31:29
12
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
是的,用大管脚容易散热,这个芯片功耗不小,电流大
2018/11/04 10:17:51
209
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
折衷的方法是选择电感纹波电流峰峰值在输出负载电流额定值的20%到30%之间
2018/11/06 22:34:19
321
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
假负载都不能太大或者太小,太大的假负载会使单端反激电源的效率降低
2018/11/07 21:38:35
358
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
由于输入电流振荡低于可控硅的维持电流造成的,振荡源自初始浪涌电流
2018/12/04 10:48:11
390
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
对于高压器件而言,即使很小的漏电流,也会造成相当大的功率损耗,必须保证尽可能低的漏电流
2018/12/04 14:57:42
400
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
周期中随后产生的反馈引脚电压或电流变化不会影响MOSFET的使能/禁止状态
2018/12/05 16:56:56
447
fordfiash
电源币:0 | 积分:3 主题帖:66 | 回复帖:263
LV9
军长
光耦器镜像三极管的击穿电压要高于在最高瞬态输入电压情况下的偏置电压
2018/12/05 15:09:27
431
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
更高的限流点可得到更高的峰值功率并增大连续输出功率
2018/11/04 22:19:02
236
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
频率抖动与振荡器频率成正比, 测量时应把示波器触发设定在漏极电压波形的下降沿来测量
2018/12/04 15:59:15
405
gdhe342
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LV9
军长
如果产品的输入功率较大,推荐选择绕线电阻,还有就是熔断保险丝
2018/12/04 16:51:52
418
truim333
电源币:49 | 积分:3 主题帖:78 | 回复帖:303
LV9
军长
采用大一个功率等级的磁芯降低漏感,这样可提高低压反激电源的转换效率
2018/12/08 12:22:04
564
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
无论在PCB板上还是在封装上,都保证高压漏极与其它所有引脚之间满足高压爬电要求
2018/12/06 12:59:29
467
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
如果设备预定直接与交流电网电源连接,则最小的供电容差范围为+6%-10%
2018/12/09 13:14:44
615
黑夜公爵
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LV9
军长
通过连接在外部流限引脚和经整流的直流高压总线间的电阻,流限随线电压的增高而降低
2016/08/03 13:20:12
6
紫蝶
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LV8
师长
但看厂家说不需要加散热片的,安全期间可以加上。
2017/02/02 22:29:05
37
gdhe342
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LV9
军长
不嫌费时麻烦就可以加,我建议不用加,厂商都不建议加
2017/04/05 19:58:07
46
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
厂家如果都说不用外加散热片的话就不用加了,加了就浪费成本了。
2018/11/02 16:56:02
130
opingss88
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LV9
军长
电路板内的IC或部分电路供电,从性价比和体积出发,优先选用非隔离的方案
2018/11/05 22:05:56
251
tmpeger
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LV9
军长
连接到源极引脚的反馈引脚元件都应遵循与旁路引脚电容相同的规则
2018/12/07 15:16:49
519
erecing
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LV8
师长
当IC电流随电源输入电压的变化达到某个值时,占空比控制会将峰值电流控制在内部流限值以下
2018/11/05 22:34:44
268
fordfiash
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LV9
军长
可以增强在开环故障、 短路或电压失调状况下对电源和负载的保护能力
2018/12/06 16:04:39
496
黑夜公爵
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LV9
军长
在桥式整流管后面使用更高的电容值和降低EMI滤波器中的X电容通常是可行的
2018/12/05 22:13:21
462
trllgh
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LV8
师长
基本的非隔离开关电源拓扑主要有六种,即降压变换器(buck),升压变换器(boost),升降压变换器(buck-boost),Cuk 变换器,Zeta 变换器和 Sepic 变换器等
2018/12/06 13:22:01
469
erecing
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LV8
师长
即使在不间断电源(UPS)或发电机产生输入电压畸变的情况下仍可提供稳健性能
2018/11/02 22:45:00
162
黑夜公爵
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LV9
军长
通过电阻从偏置绕组或电源输出端对器件进行外部供电, 从而降低器件功耗并提高电源效率
2018/11/03 14:06:43
193
tmpeger
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LV9
军长
用拓扑二极管和一个无损拓扑电容对开关管组成一个最简洁的吸收回路
2018/11/06 22:42:24
323
gdhe342
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LV9
军长
在控制极及源极引脚间就近放置一个外部旁路电容以提供瞬时栅极驱动电流
2018/12/04 12:30:10
391
opingss88
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LV9
军长
开关损耗与输入电压的平方成正比,而且当栅极驱动器不够强大时,损耗会比较大
2018/12/05 15:16:38
432
erecing
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LV8
师长
当导通角减小时,反馈引脚电压随之降低,从而减小LED平均电流
2018/12/05 17:02:56
448
fordfiash
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LV9
军长
光耦会随着使用时间而出现衰减,温度也会对光耦的工作造成影响
2018/11/06 17:10:22
280
opingss88
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LV9
军长
选择磁芯时要综合考虑绕线面积、磁芯截面积及磁芯表面积与体积的比例
2018/11/07 21:40:04
359
tmpeger
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LV9
军长
交流电源输人线上存在以上两种干扰,通常为低频段差模干扰和高频段共模干扰
2018/12/05 17:11:45
452
opingss88
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LV9
军长
避免使用金属膜或碳膜电阻,因为VACMAX反复施加至电源时的浪涌电流很容易造成这类电阻损坏
2016/09/02 22:59:36
11
spowergg
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LV8
师长
芯片驱动的8 A是峰值电流吧,实际应用的时候用不到这么大吧?不够门极开通和关断管脚独立的
2016/10/09 21:20:13
15
大海的儿子
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LV9
军长
SID11x2K提供的8 A是峰值驱动电流,那实际应用中我最大的应用电流应该多大,按峰值驱动电流80%的电流算?
2016/10/10 17:31:10
21
眼睛里的海
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LV8
师长
一般情况下是峰值驱动电流80%的电流算的,不然散热条件就要做得很好。
2017/01/03 22:42:25
27
gdhe342
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LV9
军长
看它工作环境温度就是工业级标准的,这种大电流输出的没有商业级的芯片
2018/11/05 22:38:54
269
gdhe342
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LV9
军长
为避免在正常工作时误触发电流限制功能, 漏极电流的波形应在图示的封闭区内
2018/11/01 22:10:40
111
truim333
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LV9
军长
反激式开关电源的电压和电流的输出特性要比正激式开关电源的差
2018/11/04 10:18:40
210
opingss88
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LV9
军长
由于采样之初只是做每个循环中,在使能/欠压以后的变化中的剩余时间内电压引脚电压或电流周期被忽略
2018/11/06 22:44:04
324
tmpeger
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LV9
军长
反激电源的工作原理是当检测到的电流达到一定值后去关断脉冲,从而通过调整脉冲宽度来限制输出大小
2018/12/06 12:56:54
465
opingss88
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LV9
军长
在重负载下,大部分开关周期都被使能;在轻载或空载下,大部分周期都被禁止或跳过
2018/12/09 11:45:11
595
erecing
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LV8
师长
在采用初级反馈结构中,分路稳压器很低的输出阻抗决定了误差放大器的增益
2018/12/09 12:13:51
605
tmpeger
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LV9
军长
当过热故障触发软关断以向次级电路提供过热故障预警时, 电源备妥将进入高阻抗状态
2018/12/06 13:23:50
470
erecing
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LV8
师长
峰值测量时的最大保持功能以及精确的经过温度补偿的本地振荡器
2018/12/07 15:28:11
520
erecing
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LV8
师长
电源输出电压继续增加会造成U1的晶体管电流增大,从而增加R1两端反射电压的百分比
2018/12/04 16:01:28
406
gdhe342
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LV9
军长
双管正激磁集成变换器的高频变压器磁芯双向磁化, 提高了磁芯利用率
2018/12/04 17:02:20
422
黑夜公爵
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LV9
军长
如果选择使用可熔电阻,则电阻要选择阻燃类型的,并根据输入差模雷击测试要求选取绕线类型的电阻
2018/12/05 15:18:04
433
erecing
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LV8
师长
从偏置绕组电容连接一个电阻到旁路引脚,可以从外部向器 件供电
2018/11/01 22:47:36
120
fordfiash
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LV9
军长
初级电流可能需要靠硬件电流取样电路限流,有可能有磁饱和的风险啊
2018/11/03 13:41:09
181
erecing
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LV8
师长
源极引脚连接至直流回路,尽量增大连接源极的铺铜区域,提高散热性能
2018/12/05 17:05:48
449
opingss88
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LV9
军长
内部振荡器线性充放电的之间的两个电压电平的内部电容以创建三角波形的脉冲宽度调制器的定时
2018/11/02 17:21:37
138
gdhe342
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LV9
军长
采用了专利的变压器结构技术,得以在初级电路中实现无箝位电路的设计
2018/11/05 22:07:02
252
tmpeger
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LV9
军长
这个基准电压源也可以用来产生一个具有温度补偿功能的电流源
2018/11/07 21:41:13
360
tmpeger
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LV9
军长
功率开关元件和低通滤波网络组成 在控制电路作用下它将直流输入电压转换成 负载所需要的直流输出电压
2018/12/06 16:38:42
497
黑夜公爵
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LV9
军长
限流点还要留有足够的额外裕量以满足峰值负载及负载瞬态变化的要求
2018/12/07 15:47:32
521
gdhe342
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LV9
军长
旁路电容的值必须足够高,才能在开关周期的时长内维持足够的电流触发断电模式
2018/12/04 13:02:54
392
opingss88
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LV9
军长
能降低转换器的总X和Y电容要求以及升压扼流圈和EMI噪声抑制扼流圈的电感
2018/12/04 15:02:40
401
erecing
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LV8
师长
如果最差绕组温度得到检验的话,则可以接受取值低于推荐的最小值200
2018/12/07 17:03:32
542
黑夜公爵
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LV9
军长
与辅助输出采用单独的电感方式相比,采用耦合电感会使辅助输出具有更好的稳压精度
2018/12/07 15:56:28
524
gdhe342
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LV9
军长
在没有任何功率耗散元件作为外部电压箝位的情况下,更长的漏感振荡持续时间会导致EMI升高
2017/02/01 20:20:31
29
truim333
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LV9
军长
8A只是其中一个型号可以达到的峰值电流,IGBT和MOSFET驱动器没必要都选大电流的产品
2017/04/05 22:08:11
49
erecing
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LV8
师长
如果在80ms内不跳过周期的情况下提供过载保护,SCALE-iDriver提供过载保护
2017/06/04 13:09:03
75
gdhe342
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LV9
军长
在igbt关断期间 ,由于电路中其它部分的工作 ,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号
2018/11/02 23:00:06
168
大海的儿子
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LV9
军长
栅极电流不能够大于驱动器所能承受的规格,栅极电阻不能无限小。
2018/11/05 22:39:36
270
gdhe342
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LV9
军长
振荡会使可控硅电流降至零值,并在剩下的AC周期内关断,或快速导通和关断
2018/12/09 11:49:16
596
erecing
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LV8
师长
打嗝式保护是PWM控制器产生了保护条件,主要为过流或过压或过载等情况
2018/11/06 21:55:45
300
trllgh
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LV8
师长
对提高IGBT关断时能承受的电压上升率也有较大的作用。IGBT栅—射极间所加的负偏压通常取5 ~ 10 V 。
2018/12/05 15:56:11
434
tmpeger
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LV9
军长
要求电源在从满载到低至10%负载的整个负载范围内都必须达到高效率
2018/11/07 22:07:25
380
xxbw6868
电源币:158 | 积分:2 主题帖:60 | 回复帖:363
LV8
师长
IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。加负压就是为了可靠关断。
2018/11/07 22:17:39
383
dbg_ux
电源币:208 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:140
LV6
团长
SCALE-2芯片组还可将元件数量减少多达80%,因此能够显著地提高可靠性,并降低成本。
2018/12/06 13:40:22
471
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
如果反馈网络中存在高频积分电容, 那么您必须将其靠近放大器放置, 其他反馈组件紧跟其后
2018/12/04 16:55:24
419
黑夜公爵
电源币:432 | 积分:10 主题帖:138 | 回复帖:640
LV9
军长
防止由电容及次级整流管反向恢复时间产生的电流尖峰所引起开关脉冲的提前误关断
2018/11/06 17:12:37
281
opingss88
电源币:42 | 积分:8 主题帖:72 | 回复帖:267
LV9
军长
在不间断电源或发电机产生输入电压畸变的情况下仍可提供稳健性能
2018/09/04 21:22:47
88
spowergg
电源币:106 | 积分:0 主题帖:57 | 回复帖:517
LV8
师长
前沿很陡的门极电压使 IGBT 快速开通,达到饱和的时间很短,因此可以降低开通损耗
2018/11/02 16:57:03
131
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
低输入电压下维持输出的稳定维持时间, 可以使用更低容量的输入电解电容
2018/11/07 21:44:46
361
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
连接到控制脚的所有电容也用于设定自动重启动定时,同时用于环路补偿
2018/12/07 15:48:07
522
gdhe342
电源币:86 | 积分:0 主题帖:67 | 回复帖:261
LV9
军长
旁路电容的值必须足够高,才能在开关周期的时长内维持足够的电流触发断电模式
2018/11/01 17:07:51
98
tmpeger
电源币:0 | 积分:3 主题帖:70 | 回复帖:315
LV9
军长
为了降低电源纹波,电容的容量必须足够高而ESR足够低,确保在使用选定的输出电感的情况下输出纹波电压在可接受的范围
2018/11/01 17:27:01
108
erecing
电源币:410 | 积分:3 主题帖:23 | 回复帖:175
LV8
师长
降压式变换器拓扑结构,最小直流输入电压输入电容的值应足够大才能满足标准
2018/11/02 22:47:03
163
黑夜公爵
电源币:432 | 积分:10 主题帖:138 | 回复帖:640
LV9
军长