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InnoSwitch-CH——集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式反激CV/CC开关IC

InnoSwitch-CH

集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式反激CV/CC开关IC

数据手册:

innoswitch-ch_family_datasheetCN.pdf


产品详情:

InnoSwitch-CH系列IC将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装离线式反激开关IC中。InnoSwitch-CH IC集成了初级FET、初级侧控制器和次级侧同步整流控制器。这款新IC还采用了一项创新型技术FluxLink,该技术可安全地越过隔离层并省去光耦器。次级侧控制器的集成可实现无击穿的同步整流FET驱动,同时提供快速瞬态响应,从而超越包括欧盟行为准则第5版和DoE第6版法规在内的所有国际能效标准。

产品特色

高度集成,外形紧凑

  • 集成了反激式控制器、650 V MOSFET、
    次级侧检测和同步整流
  • 带HIPOT隔离保护的集成反馈链路
  • 出色的CV/CC精度,不受变压器设计或外围元件的影响
  • 即时瞬态响应±5% CV,0-100-0%负载阶跃

EcoSmart – 高效节能

  • 在230 VAC下空载功耗<10 mW,带可选偏置绕组
  • 轻松满足全球所有能效标准,包括DOE 6/CoC v5
  • 低散热

先进的保护/安全特性

  • 初级检测过压保护(OVP),带可选偏置绕组
  • 次级检测输出过冲箝位
  • 次级检测输出过流保护(OCP),输出电压降至零
  • 迟滞热关断保护

完全符合安全及法规要求

  • 在6 kV DC/1秒条件下通过100%生产HIPOT合规性测试
  • 加强绝缘
  • 隔离电压 = 3,500 VAC,通过UL1577和TUV (EN60950)安全认证,符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)标准

绿色封装

  • 无卤素和符合RoHS

应用

  • 适用于智能移动设备的充电器和适配器
  • LED照明
  • 高效率、低电压、高电流电源


输出功率:


产品图片:


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2016-08-01 14:29
怎么感觉两个很像啊!都是同步整流和反馈功能的离线式反激开关IC芯片
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gxg1122
LV.10
3
2016-08-02 22:33
@z1249335567
怎么感觉两个很像啊!都是同步整流和反馈功能的离线式反激开关IC芯片
感觉pi最近新品都采用这样的封装结构,比较独特,难道独占市场?
0
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2016-08-02 23:16

InnoSwitch出色的CV/CC精度,不受变压器设计或外围元件的影响,这个怎么实现的高精度的?

电流精度能达到多少?

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tanb006
LV.10
5
2016-08-03 09:27
@z1249335567
怎么感觉两个很像啊!都是同步整流和反馈功能的离线式反激开关IC芯片

是很像。不过电压不一样。

看样子650V的这个IC可以有提升功率的条件。

再加个散热片,功率提到40W应该没问题。

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2016-08-09 13:54
集成了初级FET,这个是什么功能主要用来做什么的?是不是就是MOS的意思。
InnoSwitch-CH 
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k8882002
LV.9
7
2016-08-12 22:21
InnoSwitch选偏置绕组的话空载功耗才能小于10 mW?
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spowergg
LV.9
8
2016-09-02 22:56
@k8882002
InnoSwitch选偏置绕组的话空载功耗才能小于10mW?
是的,添加一个可向初级旁路引脚提供偏置供电的偏置绕组才能设计出空载功耗低于10 mW的电源
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zmfc88
LV.1
9
2017-03-06 10:12
@spowergg
是的,添加一个可向初级旁路引脚提供偏置供电的偏置绕组才能设计出空载功耗低于10mW的电源
关注中
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h547515318
LV.6
10
2017-03-10 15:40
初级、次级和反馈电路同时集成到一块的芯片。
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fordfiash
LV.9
11
2017-04-04 13:35
@gxg1122
感觉pi最近新品都采用这样的封装结构,比较独特,难道独占市场?
这种封装好像也是pi独创的,便于散热,布局结构也比价合理
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fordfiash
LV.9
12
2017-04-04 13:37
@zmfc88
关注中
InnoSwitch是否带自供电电路,据说可以省去变压器的辅助绕组及相关的偏置供电元件
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2017-04-05 19:50
@fordfiash
这种封装好像也是pi独创的,便于散热,布局结构也比价合理
这种封装 叫eSOP-R16B.PI的很多电源芯片采用这种封装,这种封装散热还不错。
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2017-04-05 19:54
@z1249335567
集成了初级FET,这个是什么功能主要用来做什么的?是不是就是MOS的意思。InnoSwitch-CH 
就是内部集成了开关MOS管,这个系列的芯片开关MOS管最大集成到耐压900V的
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xxbw6868
LV.9
15
2017-04-05 20:03
@fordfiash
InnoSwitch是否带自供电电路,据说可以省去变压器的辅助绕组及相关的偏置供电元件
从MOSFET漏极引脚连接至InnoSwitch-CH初级侧控制器初级旁路引脚的内部稳压器对连接初级旁路引脚的电容充电,以实现启动。
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xxbw6868
LV.9
16
2017-04-05 20:05
@h547515318
初级、次级和反馈电路同时集成到一块的芯片。
InnoSwitch还采用了FluxLink技术实现隔离,来实现了加强电气绝缘,省去了光耦。
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wengnaibing
LV.9
17
2017-04-05 20:18
@k8882002
InnoSwitch选偏置绕组的话空载功耗才能小于10mW?
如果充电器的最低额定输出电压下在偏置绕组产生低于9 V电压,空载输入功率将增加。
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spowergg
LV.9
18
2017-04-05 20:21
@k8882002
InnoSwitch选偏置绕组的话空载功耗才能小于10mW?
还有当外部偏置绕组供电的时候偏置电流应设为约300 mA,空载功耗才能低于10mW.
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gdhe342
LV.9
19
2017-04-08 22:53
@tanb006
是很像。不过电压不一样。看样子650V的这个IC可以有提升功率的条件。再加个散热片,功率提到40W应该没问题。
貌似这种封装设计就是便于散热的,可以不必加散热片一样用
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gdhe342
LV.9
20
2017-04-08 22:54
@xxbw6868
从MOSFET漏极引脚连接至InnoSwitch-CH初级侧控制器初级旁路引脚的内部稳压器对连接初级旁路引脚的电容充电,以实现启动。
这种就是通过电容存电然后自放电的情况下启动的方式吧,电容的容量应该不能太小
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2017-05-09 14:06

InnoSwitch系列包括—CH,—EP,—CP,—CE是个分类,都属于初级侧控制器都有各自的特点。

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