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  • InnoSwitch-EP——集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式 恒压/恒流(CV/CC)反激式开关IC

InnoSwitch-EP——集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式 恒压/恒流(CV/CC)反激式开关IC

InnoSwitch-EP

集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式 恒压/恒流(CV/CC)反激式开关IC


数据手册:

innoswitch-ep_family_datasheet.pdf


产品详情:

InnoSwitch™-EP系列IC可极大简化低压高电流电源的开发和制造,尤其是那些采用紧凑外壳或需要满足高效率要求的电源。InnoSwitch-EP的架构极具革新性,因为该器件同时将初级和次级控制器以及检测元件和安全相关反馈机制集成到了单个IC中。

由于元件间距更为紧凑并且创新地采用了集成通讯链路,因此能够对次级侧同步整流MOSFET进行精确控制以及对初级侧开关进行优化,从而在整个负载范围内维持高效率。此外,链路的最低DC偏置要求使得系统能够实现低于10 mW的空载功耗,从而获得最大待机效率。

产品特色

高度集成,外形紧凑

  • 集成了反激式控制器、725 V / 900 V MOSFET、次级侧检测和同步整流驱动器
  • 带HIPOT隔离保护的FluxLink™集成反馈链路
  • 优异的恒压(CV)精度,不受变压器设计或外围元件的影响
  • 采用加权SSR反馈和同步FET,提供出色的多路输出交叉调节

EcoSmart™– 高效节能

  • 在230 VAC下空载功耗<10 mW(由变压器偏置绕组供电)
  • 轻松满足全球所有能效标准

先进的保护/安全特性

  • 初级检测输出过压保护(OVP)
  • 次级检测输出过冲箝位
  • 次级检测输出过流保护(OCP),输出电压降至零
  • 迟滞热关断保护
  • 采用精确的电压缓升/跌落保护和过压保护,提供输入电压监测

完全符合安全及法规要求

  • 在相当于6 kV DC/1秒条件下通过100%生产HIPOT合规性测试
  • 加强绝缘
  • 隔离电压 >3,500 VAC for INN26xx series, >4,000 VAC for INN2904
  • 通过UL1577和TUV (EN60950)安全认证
  • 符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)标准

绿色封装

  • 无卤素且符合RoHS标准

应用

  • 家电、工业控制及智能照明


输出功率:

Notes:

  1. 最小连续输出功率是在典型的特定尺寸无风冷密闭适配器中、环境温度为40°C的条件下测量得到的。最大输出功率取决于设计。前提条件是封装温度必须< = 125°C。
  2. 最小峰值功率。
  3. 封装:K: eSOP-R16B。
产品图片:


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2016-08-01 14:27
离线式的就是隔离的!关键就是有同步整流功能就比较强大了,做出来的电源效率一定很高。
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tanb006
LV.10
3
2016-08-03 09:32

是725V还是900V耐压的MOS啊?

PDF一直下载不下来,看不到详情。

做高压900V的话,功率还能进一步提升。很强大。

725V其实和650V没多大区别了。

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fordfiash
LV.9
4
2016-08-03 16:55
@tanb006
是725V还是900V耐压的MOS啊?PDF一直下载不下来,看不到详情。做高压900V的话,功率还能进一步提升。很强大。725V其实和650V没多大区别了。
是725v的耐压,这个片子肯定做不到900v,封装和InnoSwitch-CH倒是一样的
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tanb006
LV.10
5
2016-08-05 14:48

电源网能申请样片不?

有没有活动弄几个样片,大家一起测试下,更有助于推广新产品哈。

我倒是对这芯片很有兴趣的。

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gxg1122
LV.10
6
2016-08-05 20:56
@tanb006
电源网能申请样片不?有没有活动弄几个样片,大家一起测试下,更有助于推广新产品哈。我倒是对这芯片很有兴趣的。
发现pi现在新片子都是这种封装,比较独特。
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truim333
LV.9
7
2016-08-06 13:55
@fordfiash
是725v的耐压,这个片子肯定做不到900v,封装和InnoSwitch-CH倒是一样的
InnoSwitch芯片供电电流中由MOSFET栅极驱动产生的开关噪音的影响
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2016-08-08 23:20
InnoSwitch在整个负载范围内维持高效率,功耗也比较低。
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风12
LV.5
9
2016-11-15 21:21
@眼睛里的海
InnoSwitch在整个负载范围内维持高效率,功耗也比较低。
PI独特
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2016-11-30 14:19
很好奇,初级与次级之间怎么做到隔离的?
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2016-12-26 13:32
@gongchangsheng
很好奇,初级与次级之间怎么做到隔离的?
牛逼啊,电源引领者
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zz052025
LV.9
12
2016-12-28 23:00
@电源芯茂
牛逼啊,电源引领者
PI,集大成者了,哈哈。
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erecing
LV.9
13
2017-01-03 23:09
@gongchangsheng
很好奇,初级与次级之间怎么做到隔离的?
隔离本身很简单啊,主要是pcb设计布局的问题,按照安全距离设计就可以保证
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erecing
LV.9
14
2017-01-03 23:11
@tanb006
是725V还是900V耐压的MOS啊?PDF一直下载不下来,看不到详情。做高压900V的话,功率还能进一步提升。很强大。725V其实和650V没多大区别了。
这两种耐压值的mosfet都有了,pi就是专门为高压出的900v新产品
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fjfhjmh
LV.9
15
2017-01-04 15:42
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tabing_dt
LV.10
16
2017-01-06 07:34
@erecing
这两种耐压值的mosfet都有了,pi就是专门为高压出的900v新产品
InnoSwitch-EP驱动信号可驱动多路输出的SR-FET同步整流可提供出色的交叉调整率跟提高效率。
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tabing_dt
LV.10
17
2017-01-06 07:34
@gongchangsheng
很好奇,初级与次级之间怎么做到隔离的?
InnoSwitch采用了特有的FluxLink技术,利用芯片内部磁性电感技术进行隔离与通信,起到了光耦的作用。隔离部分集成在芯片内部了。
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fjfhjmh
LV.9
18
2017-01-06 08:49
@truim333
InnoSwitch芯片供电电流中由MOSFET栅极驱动产生的开关噪音的影响
 新产品哈
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GCSLQQ
LV.1
19
2017-01-07 14:18
好厉害哈,简化了好多
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海怒
LV.2
20
2017-01-10 08:20
好东西,够强大
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杨德金
LV.1
21
2017-01-10 18:57

好好学习啊

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爱相随_b
LV.1
22
2017-01-14 09:22
@杨德金
好好学习啊
学习了
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tabing_dt
LV.10
23
2017-01-16 10:45
@fordfiash
是725v的耐压,这个片子肯定做不到900v,封装和InnoSwitch-CH倒是一样的
InnoSwitch-EP里有一款INK2904芯片内部是集成了900V的开关MOS管。
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trllgh
LV.9
24
2017-02-06 17:49
@fordfiash
是725v的耐压,这个片子肯定做不到900v,封装和InnoSwitch-CH倒是一样的
InnoSwitch-EP这个片子为什么说做不到900V的耐压呢?INNK2904开关管就是900V的耐压呀。
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trllgh
LV.9
25
2017-02-06 17:51
@tabing_dt
InnoSwitch-EP驱动信号可驱动多路输出的SR-FET同步整流可提供出色的交叉调整率跟提高效率。
InnoSwitch-EP提供出色的多路输出交叉调整率的同时,还提供全面的输入电压保护和即时动态响应,并且空载功耗低于10 mW。
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lifeHORSE
LV.2
26
2017-03-02 10:03
@爱相随_b
学习了
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wengnaibing
LV.9
27
2017-03-03 16:35
@gongchangsheng
很好奇,初级与次级之间怎么做到隔离的?
FluxLink技术是类似电磁耦合的方式进行信号传输,但是没有采用线圈。
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tabing_dt
LV.10
28
2017-03-03 16:47
@wengnaibing
FluxLink技术是类似电磁耦合的方式进行信号传输,但是没有采用线圈。
这种控制方式也有一大优点,就是使电源芯片对外部元件的包容性更大,不用再考虑电阻、电容等器件的匹配问题。
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wayhe
LV.4
29
2017-11-06 09:09
这个IC恒流怎么搞?我一直没看懂。是要在Is到GND之间并联电阻吗?
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