反激方案中，为什么高低压的过流点会不一样？

Sense电阻R一定，Cs脚钳位电压U一定，那过流点I=U/R也确定了啊。

然后问题来了，为什么输入高低压的过流点会不一样？

比如90VAC时，过流点是3A；264VAC时，过流点是5A.

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Curry_de

LV.2

2016-04-14 09:27

初级MOS的过流点

w11132008

LV.7

2016-04-14 10:13

高低压时流过MOS管的峰值电流不一样 SENSE上的电压就不一样过流点就不一样了加个高压补偿就好了

zz052025

2016-04-14 11:07

电感量一样

输入电压不一样的，所以MOSFET的ID斜率是不一样的

传送相同能量的时候，高压输入时MOSFET的峰值电流小

不容易顶到OCP点

所以高低压的OCP点会有差异

可外加补偿或选择有内置补偿的IC。

417zhouge

2016-04-14 13:11

@zz052025

电感量一样输入电压不一样的，所以MOSFET的ID斜率是不一样的传送相同能量的时候，高压输入时MOSFET的峰值电流小不容易顶到OCP点所以高低压的OCP点会有差异可外加补偿或选择有内置补偿的IC。

还有可能是，低压的时候电流在连续，高压的时候电流在断续。

ershao

LV.4

2016-04-14 17:14

感觉你把输出电流与初级的Ipk混为一谈了。

自己没理解！

Curry_de

LV.2

2016-04-15 09:15

@ershao

感觉你把输出电流与初级的Ipk混为一谈了。自己没理解！

嗯，6楼一针见血，确实是我搞混了。

多谢大家不吝赐教，此贴终结。

拿手机拍蚊子

LV.1

04-17 00:50

@417zhouge

还有可能是，低压的时候电流在连续，高压的时候电流在断续。

低压工作在连续模式，应该电流峰值更低吧？

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