做了个全桥来驱动谐振线圈。谐振频率约450K-500K之间。接收线圈连接的是一个24v/25w的白炽灯。在谐振时,灯上电压峰峰值能到达48V左右。
芯片IR2184输出的HO与LO,自带400nS死区。
电路如下:
两块IR2184输入是一对反向的方波。测得一个臂上的MOS管栅极如下图所示:
黄色为上管栅极电压波形,蓝色为下管栅极波形。MOS管发热非常严重。主要的问题就是,1,上管关断时刻,管不断,从左到右第一个红框部分,会随着频率变化,当频率远离谐振频率时,会正常关断;也随发射线圈和接收线圈的距离变化。2,第二个红框,在死区时间处,当上下两个MOS同时关断时,测得会有个一脉冲,我这里采用D2和D4这种接法,延长下管关断时间,勉强削弱这个脉冲,但是依上图,死区同样有上下两个管子同时导通的情况。
当H桥输出接一个16Ω电阻时,波形如下:
求各位老师,帮帮忙。