先上图片
正面，高电压时间距很重要，所以采用2只变压器分别给两个半桥独立供电 MCU也是完全独立供电的所以反馈电压环使用电压互感器，
电流环使用电流互感器，
背面还有几个原件
大功率IGBT时管压降检测如果是MOS由于压降较小管压降就形同虚设，但在大功率IGBT管压降就起到重大保护作用
在原来的基础上过温保护短路保护 锁相 ，市电断电检测 ，增加了电流环，可实现恒功率，有了电流环和锁相加上电压环功能
就可以做并网实验了，当然最终目标是可以并网运行！三个模块可并联成大功率的3相4线制，载波目前使用15K，功率越大
载波越低，但不可以过低，对于IGBT来说这个频率发热大大减小，死区时间可以任意修改，大功率的一般1uS-3uS，太大则会过零
点时间过长，而且影响母线利用率，太小则吃炸鸡的，我选用2uS感觉比较合适，对于多管并联驱动大有讲究，图腾是必须的
8颗TOP220管做输出，要求耐压的情况下还要速度要快电流也要大目前使用手边的D1804和B1204，300A的IGBT可以轻松驱动，驱动24个TOP247的MOS非常容易如果600A左右的模块可换MJD44H11和D45H11，15A80V80M的速度足以秒杀！
48——96V工频机主板使用
每个桥壁6只大管整机共24管，如果是TOP220的可装48管
不知能否达到5KW，3个模块组成3相4线15KW？还请高手赐教
来个正面照 RCD超强吸收
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先更新一下15KW的IGBT电路，非常简单
MOS的使用电路一样，工频模式电感这个地方可以省去，也可以加一个电感减小空载，
当然这个电流就需要特别大了，具体可以根据实际需要来定！
