两种工艺的MOS管在48v正弦波逆变器全程对比测试，新工艺前级效率高达99%

本逆变器基本配置如下：

1.前级功率管：用的是后羿半导体150V/200V大电流系列两种工艺的MOS管对比，第一种是HY1920P,传统工艺，新鲜出炉的，还冒着烟呢。第一版试验品，电压跑高到250V了，所以内阻偏大到30mR了，下一版会调整到210-220V,内阻22-24mR，下面仅仅做测试。等调好了再送样品。第二种种是采用后羿自主研发的具有极低内阻，极快开关速度，极小QG的新一代MOS管，型号是HY065N15P,标称150V，内阻实际只有5mR。

2.前级驱动IC:SG3525+MIC4452

3.变压器：一共4个，每个设计功率1250W,磁芯为PQ50。初级28*0.2mm铜皮4T+4T,次级28*0.2mm铜皮8T，这次因为测试快速MOS管，所以设计频率为开关频率60K,因为匝数少变压器空间只用了55%，还有45%是空的，所以磁芯余量充足。

4.高压整流管：RHRG7560*4;

5.后级功率管：80N60，一共8只IGBT;

6.后级驱动的主芯片：EG8010+IR2110；

7.两种工艺MOS管大比拼。

这里说明下的是，EG8010用了非官方的接法，已经做到每路驱动都是10MS工作在50HZ方波，10MS工作在SPWM高频载波，这样的好处是可以消除过零点的振荡，还可以做到4路功率管发热和寿命均等。我这种接法的优点是已经不需要另外用4081做死区，死区时间还是由EG8010设置。

先上个板子的图片吧，以后再详细介绍：