G极关断过快 是不是也会烧呢,我知道过慢也会烧,我的G极是用SI2300下来至地的过流检测IC用的是DW01
可以这么理解。顺便测试下波形,对应下SOA的图看看。
楼上兄弟的意思是,MOSFET已经挂了,才给出的关断信号?
VDS 实际导通时的电压只有0.1v 我的想法是,关断的过程RDS(no)逐渐变大,VDS也逐渐变大,但是ID也很大,一旦超出SOA图的安全区域必烧,是吗
从这个情况看,有什么解决的办法呢,是加速关断G极,或是延时,或是并联多个MOS?
我看了SUNsigns的 SOA注意事项,使Vgs下降时间长于Vdd,对我的电路应用来说好像没办法实现!难道要启动完在关断Vgs?那短路就没意义了!417兄你看有什么好办法吗?
太大了,不能加。
有没有参考电路呢?这么大的电流MOSFET是不是不太合适呢?
如果是这个原理图的话,关断MOSFET的时候,Q2的CE是不是要在MOSFET的GS两端。
是的
加速关断!
用几个管子并联,R1用100k试试。
Q3的VCC放到电池的“+”上。
看看什么原因