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  • EMI现实手中案子进行跟踪，解决方法，不光是一个案子，以后的案子EMI问题都在本贴上图说明解决方法。

EMI现实手中案子进行跟踪，解决方法，不光是一个案子，以后的案子EMI问题都在本贴上图说明解决方法。

本贴以讲诉现实做案子（充电器，适配器）碰到的传导，辐射为列，以（上图，说明解决方法）为重点，当手中有案子进行EMI的时候就来更新帖子，而且是需要整改的案子才上图分享，顺利的案子就一一不多说了.有效时间一直到未来 ！！
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Dong东
2
2015-06-26 09:33

 辐射列子（一）

这张是NG的图（1）

                                      （1）

这张是整改后的图（2）

                                                       （2）

说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。

                第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。

              第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽， 180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，

               磁芯要接地

这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了， 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

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电源网-娜娜姐
LV.10
3
2015-06-26 09:36
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。
不错不错，继续~~~
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luck_gfb
LV.7
4
2015-06-26 13:40
@电源网-娜娜姐
不错不错，继续~~~
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yunfengzyf
LV.6
5
2015-06-26 14:16
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。
动点启绕EMC特性会好一些，领教了！！
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atu919
LV.2
6
2015-06-26 14:58
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。
请问大侠，什么是动点起绕，什么是静点起绕？谢谢！
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Dong东
7
2015-06-26 14:59
@yunfengzyf
动点启绕EMC特性会好一些，领教了！！[图片]
大功率的确实要好一点。
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Dong东
8
2015-06-26 15:01
@luck_gfb
[图片][图片]
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Dong东
9
2015-06-26 15:14
@atu919
请问大侠，什么是动点起绕，什么是静点起绕？谢谢！
接MOS的D极那个脚就是动点，接大电容的是静点。
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yunfengzyf
LV.6
10
2015-06-26 15:19
@atu919
请问大侠，什么是动点起绕，什么是静点起绕？谢谢！
我的理解是，动点就是变压器到MOS管的脚位，静点就是变压器到大电容正极吧
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Dong东
11
2015-06-26 17:14
@yunfengzyf
我的理解是，动点就是变压器到MOS管的脚位，静点就是变压器到大电容正极吧
是的，兄台所言极是。
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Dong东
12
2015-06-27 10:30
@Dong东
是的，兄台所言极是。

辐射列子（二）   18W（5.2V3.5A)

NG图(1)  无Y

                                                               (1)

  看到超了这么多吓到了，无Y的， 来加个Y电容试试能下来多少

OK图（2)   加Y电容221   

                                                             (2)

有没有看到，Y电容的作用有多大，无Y和有Y的充电器，做这么久的充电器，发自内心的有Y的，晚上能睡好觉，无Y的又遇到成本压力的时候辐射和温升整的晚上失眠多梦。

  90M还是有点高，余量虽然够，读点情况下，，还是说一下这一点为什么还是这么高，MOS的驱动电阻现在是5R的，我加大到15R的时候，这点完全下来了，余量有5DB不读点的情况下，15R效率和之前差别不大。加个1毛钱的Y 算是落幕了。

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miky1188
LV.6
13
2015-06-27 16:13
@Dong东
辐射列子（二） 18W（5.2V3.5A)NG图(1) 无Y[图片]                                (1) 看到超了这么多吓到了，无Y的，来加个Y电容试试能下来多少[图片]OK图（2) 加Y电容221  [图片]                               (2)有没有看到，Y电容的作用有多大，无Y和有Y的充电器，做这么久的充电器，发自内心的有Y的，晚上能睡好觉，无Y的又遇到成本压力的时候辐射和温升整的晚上失眠多梦。 90M还是有点高，余量虽然够，读点情况下，，还是说一下这一点为什么还是这么高，MOS的驱动电阻现在是5R的，我加大到15R的时候，这点完全下来了，余量有5DB不读点的情况下，15R效率和之前差别不大。加个1毛钱的Y算是落幕了。[图片][图片]
加個0.1RMB的Y電容比較安心.
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gaohq
LV.8
14
2015-06-28 11:03
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。
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yukang1744
LV.3
15
2015-06-28 14:40
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。
弱弱问一下：磁芯怎么接地？没有针脚焊Y电容
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Dong东
16
2015-06-29 08:50
@miky1188
加個0.1RMB的Y電容比較安心.
是的，Y电容，共模电压也比较稳定，无Y的变压器工艺要控制很好。
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Dong东
17
2015-06-29 08:50
@gaohq
[图片]
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Dong东
18
2015-06-29 08:53
@yukang1744
弱弱问一下：磁芯怎么接地？没有针脚焊Y电容
就接到你变压器的GND脚，。。。没有针脚焊Y电容是什么意思，不懂。
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电源网-fqd
19
2015-06-30 10:11
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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chicony_yan
LV.5
20
2015-06-30 11:46
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

大侠，请问磁芯没有脚，如何接地呢？

谢谢！

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Dong东
21
2015-06-30 12:45
@chicony_yan
大侠，请问磁芯没有脚，如何接地呢？谢谢！
焊线，你没做过磁芯接地的变压器吗
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wt.liu
LV.5
22
2015-07-01 11:22
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

图文并茂，以实例来讲解生动贴切。

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Dong东
23
2015-07-01 14:39
@wt.liu
图文并茂，以实例来讲解生动贴切。
谢谢称赞，
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chicony_yan
LV.5
24
2015-07-01 15:45
@Dong东
焊线，你没做过磁芯接地的变压器吗[图片]

还真没做过额~~比较常用的是用铜皮做屏蔽层，铜皮上焊条引线，然后引线脚下地；

磁芯接地，有没有图可以看一下哈，或者讲详细点~~

感谢！

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yukang1744
LV.3
25
2015-07-01 21:25
@Dong东
就接到你变压器的GND脚，。。。没有针脚焊Y电容是什么意思，不懂。

以单端反激电路为例，就是变压器一次侧绕组和Mosfet连接那个引脚吗？

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Dong东
26
2015-07-02 09:30
@yukang1744
以单端反激电路为例，就是变压器一次侧绕组和Mosfet连接那个引脚吗？
是的
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Dong东
27
2015-07-02 09:33
@chicony_yan
还真没做过额~~比较常用的是用铜皮做屏蔽层，铜皮上焊条引线，然后引线脚下地；磁芯接地，有没有图可以看一下哈，或者讲详细点~~感谢！
和你一样，没什么特别的，只是把铜箔取消就一根线接上去，包胶带处理，工艺简单一点，，，包铜箔在焊线安全系数要高一点，。。。，方法其实是一样的。
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fjsh2188
LV.5
28
2015-07-02 10:33
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

EMI几乎都是修改那几个地方

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Dong东
29
2015-07-02 12:44
@fjsh2188
EMI几乎都是修改那几个地方
是的，但不一定那几个地方适合每一个方案，最重要的是变压器。。网上说的方法不一定适合自己，一定得靠自己摸索出规律，说的都是千古一律。
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智拓天能
LV.1
30
2015-07-03 15:50
@电源网-fqd
已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

新人学习了！

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xx215386638
LV.1
31
2015-07-03 22:42
@Dong东
 辐射列子（一）这张是NG的图（1）[图片]                   （1）这张是整改后的图（2）[图片]                            （2）说明一下：看图效果就知道了，180M第一张明显超出，第二张明显好了很多。这是是做无Y的充电器，以省成本为主，整改方向只能是变压器。        第一张为什么会超呢，总结自己在这个案子上绕了N个的变压器测试经验，第一张图是先静点起绕，收尾到动点，动点在外面，故而引起较强的耦合干扰。       第二张是改为动点起绕，把动点埋在最里面，其他层充当屏蔽，180M会好点，但30M处又上来了，好吧，更改一下屏蔽方式，单根线改为三根线铺满在测试，30MOK了。就如（2）图所示了，        磁芯要接地这里是单独整改变压器得出来的效果，外围元件没动，就不说外围元件了，[图片] 现实跟踪，没动就是没动，动了就说明，以事实说事。

请问下静点，动点是指的什么啊？？？再就是在100M超怎么整改

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工程师都在看
同样是升压电路，MCU+MOS+电感这个方式和升压芯片+MOS+电感这个方式，有哪些优缺点和异同点？
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