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芯派电子---TECH NOTE-MOSFET应用选择

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关中人
LV.2
2
2015-03-11 11:32
一个个图片点进去，放大看了，看的好费劲啊，强烈要求楼主把整个PDF的文件传上来，方便下载。
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gzy830515
LV.2
3
2015-03-11 14:31
强烈要求楼主以附件形式上传。
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电源网-娜娜姐
LV.10
4
2015-03-12 09:23
@gzy830515
强烈要求楼主以附件形式上传。
+1
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semipower_X1
LV.5
5
2015-03-12 09:38
@电源网-娜娜姐
+1[图片]

多谢娜娜和各位的支持，上传PDF完整版的格式，供大家参考。

芯派电子TECH NOTE ET1002.pdf

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tabing_dt
LV.10
6
2015-04-02 21:16
这个资料讲得不错哦，选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差。学习了。
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陌路绝途
LV.8
7
2015-05-05 22:22
有完整版的吗？
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xxbw6868
LV.9
8
2015-05-05 22:36
@陌路绝途
有完整版的吗？
有，看5贴，楼主已经上传了。。
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xxbw6868
LV.9
9
2015-05-05 22:39
@semipower_X1
多谢娜娜和各位的支持，上传PDF完整版的格式，供大家参考。芯派电子TECHNOTEET1002.pdf
关断损耗具体要怎么测试出来呢？
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万法归宗
LV.6
10
2015-05-06 00:12
@semipower_X1
多谢娜娜和各位的支持，上传PDF完整版的格式，供大家参考。芯派电子TECHNOTEET1002.pdf

不错的资料，还是看pdf舒服，图片不好操作

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万法归宗
LV.6
11
2015-05-06 00:13
楼主针对这个流程图再深入讲一下被
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陌路绝途
LV.8
12
2015-05-06 09:40
MOSFET串联应用，在保证动态静态均压和驱动一致性的条件下，还要采用一些隔离技术和多路驱动技术，以保证多只MOSFET串联组成高压大功率高频开关。
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zrk787
LV.8
13
2015-05-06 15:13
在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算。
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001pp
LV.5
14
2015-05-06 15:50
@xxbw6868
关断损耗具体要怎么测试出来呢？
测波形计算
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wuyh123
LV.6
15
2015-05-06 22:06
@zrk787
在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算。
这个资料讲的很好，上面写着id选择3-5倍，是指mos的最大电流，还在在高温连续流过的电流呢。
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飞翔2004
LV.10
16
2015-05-07 00:46
@001pp
测波形计算
也在关注这个，能否具体讲讲？
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flowerhuanghua1
LV.7
17
2015-06-04 20:46
@wuyh123
这个资料讲的很好，上面写着id选择3-5倍，是指mos的最大电流，还在在高温连续流过的电流呢。
严格按照这个标准选型，产品出现各种不必要的故障会大大减少。
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hk123456
LV.4
18
2015-06-04 22:39
@flowerhuanghua1
严格按照这个标准选型，产品出现各种不必要的故障会大大减少。
MOSFEF 的驱动要求由其栅极总充电电量（ Qg ）参数决定。在满足其它参数要求的情况下，尽量选择Qg 小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离最大栅源电压（ VGSS ）前提下使Ron 尽量小的电压值（一般使用器件规格书中的建议值）。
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陌路绝途
LV.8
19
2015-06-05 13:19
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差。学习了。
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得意的小女生
LV.8
20
2015-06-05 13:58
@陌路绝途
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的Ron值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差。学习了。
在保证动态静态均压和驱动一致性的条件下，还要采用一些隔离技术和多路驱动技术
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天河之水
LV.4
21
2015-06-07 23:19
@陌路绝途
MOSFET串联应用，在保证动态静态均压和驱动一致性的条件下，还要采用一些隔离技术和多路驱动技术，以保证多只MOSFET串联组成高压大功率高频开关。
MOSFET串联与并联应用，在实际电路中会有很多问题。用过一次，调试太费劲。后来的电路，就避免这样的电路结构了
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001pp
LV.5
22
2015-07-01 11:02
@得意的小女生
在保证动态静态均压和驱动一致性的条件下，还要采用一些隔离技术和多路驱动技术
再回来瞅瞅
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陌路绝途
LV.8
23
2015-07-08 10:46
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差。
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buer1209
LV.7
24
2015-07-08 12:33
资料不错  MOSFET的选择不仅要考虑电压电流范围  还有很多其他因素都在温度里介绍了  学习
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南极的问候
LV.5
25
2015-07-08 13:13
@buer1209
资料不错 MOSFET的选择不仅要考虑电压电流范围 还有很多其他因素都在温度里介绍了 学习
手册了后面的性能描述表，很有用的，仔细剖析
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王成美业
LV.5
26
2015-07-08 15:42

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？分四步：

1）沟道的选择。

2）电压和电流的选择。

3）计算导通损耗。

4）计算系统的散热要求。

开关损耗其实也是一个很重要的指标。从下图可以看到，导通瞬间的电压电流乘积相当大。一定程度上决定了器件的开关性能。不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。

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tom307
LV.4
27
2015-07-08 17:17
在开关电源里用的最多的还是MOSFET啊  今天学习了好几个MOSFET的帖子  不错
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陌路绝途
LV.8
28
2015-07-08 20:51
@陌路绝途
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的Ron值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差。学习了。
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差。学习了。
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得意的小女生
LV.8
29
2015-07-09 19:08
选择MOS管的几个基本参数都讲到了。小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗。
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王成美业
LV.5
30
2015-07-11 00:54
器件的选型，往往能决定电路最终调试的成败。因此很多电气工程师都会在设计电路的过程中仔细的分析、计算、对比。就像楼主这样做，是很有必要而且必不可少的。
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fredsdu
LV.3
31
2015-07-15 08:54
图片里面有很多干货  要是能详细的解释一下就更好了  可以理解更好
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