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TinySwitch-III最大耐压是多少?

TinySwitch-III集成了700 V高压MOS FET 但IC最大耐压就是700V吗?还是它的峰值耐压可以更高些,如800V.?
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tabing_dt
LV.10
2
2015-04-04 00:17
内部集成了700 V高压MOS FET,设计时不能超过这个耐压值,还需要留有一定的余量。
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xxbw6868
LV.9
3
2015-04-07 22:47
@tabing_dt
内部集成了700V高压MOSFET,设计时不能超过这个耐压值,还需要留有一定的余量。
不是IC最大耐压就是700V,而是IC的内部开关管最大耐压700V
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2015-04-08 17:21
一般都留有1.5左右的余量呢
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2015-04-08 18:40
@zhaojiahighaim
一般都留有1.5左右的余量呢
感觉国外碳化硅的应用已经推广,国内怎么没动静啊
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gaon
LV.7
6
2015-04-24 13:25
余量肯定有,不过楼主这要求有点怪,为何非要超标应用?
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2015-05-05 21:17
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700 V高压MOSFET开关和一个电源控制器,与传统的PWM控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8 V稳压器、旁路/多功能引脚(BP/M)欠压及过压电路、限流选择电路、过热保护、电流限流保护、前沿消隐电路。该芯片具有自动重启、自动调整开关周期导通时间及频率抖动等功能。
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zrk787
LV.8
8
2015-05-06 20:23
该IC内部集成的内部开关管最大耐压700V,设计时不能超过这个耐压值。
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2015-05-06 23:13
@zhaojiahighaim
一般都留有1.5左右的余量呢

要降额设计,不能卡着技术手册参数设计

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trllgh
LV.9
10
2015-05-08 21:45
一般不能超过,还得留有15%左右的余量。
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2015-05-08 22:24
@trllgh
一般不能超过,还得留有15%左右的余量。
芯片是模拟供电,一般就四五v了,这个和别的芯片是一样。
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trllgh
LV.9
12
2015-05-08 22:33
@flowerhuanghua1
芯片是模拟供电,一般就四五v了,这个和别的芯片是一样。
开关电源集成的MOS管设计时只要预留四五V电压余量吗?估计你芯片要炸机了,一般是建议留15%-20%左右余量
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2015-05-08 22:48
@trllgh
开关电源集成的MOS管设计时只要预留四五V电压余量吗?估计你芯片要炸机了,一般是建议留15%-20%左右余量
我是说芯片供电,mos耐压预留越高越好。
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tanb006
LV.10
14
2015-05-25 12:06

IC最大耐压?供电脚可没这么夸张啊。

但MOS的DS脚的确可以能到800V。而且完全没问题。

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datian
LV.6
15
2015-06-04 17:33
@tanb006
IC最大耐压?供电脚可没这么夸张啊。但MOS的DS脚的确可以能到800V。而且完全没问题。
楼主的意思应该是IC内部集成的MOS的D脚的耐压,这个也要看芯片,芯片的耐压肯定没这么高。
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tabing_dt
LV.10
16
2015-06-04 18:53
TinySwitch-III集成了700 V高压MOS管,所以峰值耐压不能高过700V
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tanb006
LV.10
17
2015-06-04 20:53
@flowerhuanghua1
我是说芯片供电,mos耐压预留越高越好。

留的越多,电源总功率就要降低了。

要充分利用MOS的耐压能力,榨干零件的潜力。

重点要在保护和吸收电路上下工夫的。

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dakjncdc
LV.7
18
2015-08-06 13:21
该IC内部集成的内部开关管最大耐压700V,设计时不能超过这个耐压值。
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2015-08-07 13:06
@陌路绝途
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET开关和一个电源控制器,与传统的PWM控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V稳压器、旁路/多功能引脚(BP/M)欠压及过压电路、限流选择电路、过热保护、电流限流保护、前沿消隐电路。该芯片具有自动重启、自动调整开关周期导通时间及频率抖动等功能。
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700 V高压MOSFET开关和一个电源控制器,与传统的PWM控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。
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2015-08-07 13:09
余量肯定有,不过楼主这要求有点怪,为何非要超标应用?
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2015-08-08 11:20
该IC内部集成的内部开关管最大耐压700V,设计时不能超过这个耐压值。
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2015-08-13 07:26
@很安静的人
该IC内部集成的内部开关管最大耐压700V,设计时不能超过这个耐压值。
700V一般都够了,留一点预留,使用电压400-500V .
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2015-08-13 10:57
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700 V高压MOSFET开关和一个电源控制器
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power_hh
LV.5
24
2015-08-14 20:35
@得意的小女生
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET开关和一个电源控制器
700V的mos一般电路都满足了额。应该很少高于这个电源的。
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谢厚林
LV.12
25
2015-08-17 09:41
@power_hh
700V的mos一般电路都满足了额。应该很少高于这个电源的。

PI的MOS标700V,Vds电压不超700V保证在什么情况下都不坏。

一般里面的余量很大,大部分应该接近800V。

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2015-08-18 19:15
@q若不弃永相惜q
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET开关和一个电源控制器,与传统的PWM控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。
TNY275PN电源芯片在一个器件上集成了一个700 V高压MOSFET开关和一个电源控制器,与传统的PWM控制器不同,它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。
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2015-08-18 19:32
TinySwitch-III集成了700 V高压MOS管,所以峰值耐压不能高过700V
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2015-08-18 20:05
楼主的意思应该是IC内部集成的MOS的D脚的耐压,这个也要看芯片,芯片的耐压肯定没这么高。
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2015-09-06 20:10
内部集成了700 V高压MOS FET,设计时不能超过这个耐压值,还需要留有一定的余量。
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2015-09-06 20:11
不是IC最大耐压就是700V,而是IC的内部开关管最大耐压700V
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2015-09-06 20:37
该IC内部集成的内部开关管最大耐压700V,设计时不能超过这个耐压值。
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