·超低导通电阻
山·表面(IRFR5305)
·直接领导(IRFU5305)
·先进工艺技术
·快速切换
·完全雪崩额定
·无铅
描述:
第五代HEXFETs国际整流器的利用
先进的处理技术实现极低
导通电阻/硅区域。这个好处,结合
快速转换的速度和加固的设备设计
HEXFET®功率mosfet是众所周知的,提供
设计师与一个非常有效和可靠的设备
用于各种各样的应用程序
D-Pak设计用于表面安装使用蒸汽
阶段、红外或波峰焊接技术。直
铅对通孔安装版本(IRFU系列)
应用程序。功耗水平1.5瓦特
在典型的表面安装的应用程序。
绝对最大额定参数:
热阻:
产品规格书：http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfr5305pbf.pdf
供应方：深圳市创立翔科技有限公司
联系方式：
企业：深圳市创立翔科技有限公司
联系人：吴伟楠
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