请教TO220封装MOS最大电流

最近要做低电压，大电流的DC-DC（同步整流），输入要20V,40A。所以找了一下额定是80A的MOS。

找下来发现即满足要求又Qg小的管子都是TO220封装的，大点封装的（比如TO247）的Qg都好大，接近100nC。

感觉TO220的腿太细，上40A的电流感觉有点虚，但是管子说明书上却说能过80A的电流。

想请教各位大神在实践中有用过TO220封装的管子走40A的电流吗？加大的散热器吗？

另外为什么TO247的管子Qg都好大，跪求各位大神指点。

PS：找到一个稍微大点的，TO251封装的（STU95NN3LLH6），但是感觉还是比TO247小。

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pangjihao

LV.10

2014-09-18 09:37

同步整流的MOS管选择三个重点:1,耐压要足够,2导通电阻要低,3结电容要小.NCE30H21是个不错的选择,30V,1.5mR的导通电阻,,结电容我没有看.

zc437041363

LV.3

2014-09-18 10:44

@pangjihao

同步整流的MOS管选择三个重点:1,耐压要足够,2导通电阻要低,3结电容要小.NCE30H21是个不错的选择,30V,1.5mR的导通电阻,,结电容我没有看.

兄弟，看了下，电流210A，有点逆天，Qg有210nC，感觉还是有点大的。

兄弟，这管子你用过没？实测最大电流试过多少A？

sunsigns

LV.5

2014-09-18 16:07

1、251相当于立式的252，肯定比220、247的小；

2、你的要求没太多应用细节，但粗略看252封装都可以满足了；

3、当然，不太计较价格的话，用DFN封装散热表现会好些；

4、Qg和封装形式是无关的，30V80A低于100nC的管有很多选择。

万正芯源

LV.3

2014-09-18 16:40

600Ｖ的话20Ａ就差不多了吧，大过20Ａ我一般用247了

sunsigns

LV.5

2014-09-18 16:46

@万正芯源

600Ｖ的话20Ａ就差不多了吧，大过20Ａ我一般用247了

兄弟，看清楚了，是30V！

sunsigns

LV.5

2014-09-18 16:52

@sunsigns

1、251相当于立式的252，肯定比220、247的小；2、你的要求没太多应用细节，但粗略看252封装都可以满足了；3、当然，不太计较价格的话，用DFN封装散热表现会好些；4、Qg和封装形式是无关的，30V80A低于100nC的管有很多选择。

过电流的能力主要瓶颈不在管脚粗细，而主要在芯片打线的条数和工艺

推荐个我们公司的SD4836，PDFN或TO252

4836_PDFN_产品说明书.pdf

zc437041363

LV.3

2014-09-18 21:11

@sunsigns

1.TO252是立式的吗？我看这个datasheet里面显示的是贴片式的。

2.252封装可以吗？还没TO220的封装大，感觉还不如直接上TO220的封装，这样感觉散热好一点。我今天TO247封装的管子，上30A的电流，就将近100℃了，有点怕。（散热片是那种简单的单个管子那种）

3. DFN封装是贴片式的？很8个脚的那种，感觉像芯片的那种吗？

4. 求大神推荐个30V80A，TO247封装的芯片哈

pangjihao

LV.10

2014-09-19 08:22

@zc437041363

兄弟，看了下，电流210A，有点逆天，Qg有210nC，感觉还是有点大的。兄弟，这管子你用过没？实测最大电流试过多少A？

不要被电流骗了你,那个电流是在理想的情况下测试的.

ta7698

LV.9

2014-09-19 08:59

一般情况下管子引脚不用考虑电流密度问题。

贺赫无名

LV.9

2014-09-19 09:09

TO-220封装太小了。。。。 40A啊。。。

10A以下差不多。。

sunsigns

LV.5

2014-09-19 13:19

@zc437041363

[图片]1.TO252是立式的吗？我看这个datasheet里面显示的是贴片式的。2.252封装可以吗？还没TO220的封装大，感觉还不如直接上TO220的封装，这样感觉散热好一点。我今天TO247封装的管子，上30A的电流，就将近100℃了，有点怕。（散热片是那种简单的单个管子那种）3.DFN封装是贴片式的？很8个脚的那种，感觉像芯片的那种吗？4.求大神推荐个30V80A，TO247封装的芯片哈

1、我的原句：251相当于立式的252。没说252是立式。

2、我不知你现在用的TO247的管子的具体型号，但按一般市场的估计，30V耐压封247的管子，应该是追求低Rdson而忽略Qg的低频应用管，实测温升高，有可能是开关损耗大了。不能排除你用稍高Rdson低Qg的MOS没这么大温升的可能性。

3、我贴的datasheet就是PDFN封装的，里面有尺寸。

4、上面说了，30V这个电流档的管子很少封247（因为不需要）。让我推荐，若你的用量足够大，我帮你用SD4836的芯片封成TO247。

zc437041363

LV.3

2014-09-19 16:40

@贺赫无名

TO-220封装太小了。。。。 40A啊。。。10A以下差不多。。

我也觉得，可惜就是找不到TO247的大电流的MOS（Qg小于50nC的）

gnaijnaoul

LV.6

2014-09-19 21:21

@zc437041363

我也觉得，可惜就是找不到TO247的大电流的MOS（Qg小于50nC的）

TO220的最大电流被封装限制在75A，很多数据手册上都有说明！

TO252的最大电流被封装限制在30A！

TO220的封装短时间工作零点几秒到50A是没问题的，长时间最好不要超过25A了，即使散热条件很好！

这是我的看法！

zc437041363

LV.3

2014-09-19 23:22

@sunsigns

1、我的原句：251相当于立式的252。没说252是立式。2、我不知你现在用的TO247的管子的具体型号，但按一般市场的估计，30V耐压封247的管子，应该是追求低Rdson而忽略Qg的低频应用管，实测温升高，有可能是开关损耗大了。不能排除你用稍高Rdson低Qg的MOS没这么大温升的可能性。3、我贴的datasheet就是PDFN封装的，里面有尺寸。4、上面说了，30V这个电流档的管子很少封247（因为不需要）。让我推荐，若你的用量足够大，我帮你用SD4836的芯片封成TO247。[图片]

听你的解释，感觉很有道理。2. 我用的247的管子型号是FS50SM-3，看了下内阻有31mΩ，感觉好大。Qg也要120nC（10V，Vgs）。突然想到会不会升高Vgs，会提高开关管的开关能力（比如流过的电流Ids增大）？

3. 4. 我这个不是批量生产的，所以用不了哈~今天又试了一个TO220的管子（IPP065N04N）,加上散热片（100X30X15），结果没开一会管子直接挂了（估计最大电流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，准备买TO247的管子了（虽然温升高，起码没坏），挑一个Rds低的。

zc437041363

LV.3

2014-09-19 23:23

@gnaijnaoul

TO220的最大电流被封装限制在75A，很多数据手册上都有说明！TO252的最大电流被封装限制在30A！TO220的封装短时间工作零点几秒到50A是没问题的，长时间最好不要超过25A了，即使散热条件很好！这是我的看法！

恩，我赞同您的观点。我今天试了一个TO220封装的管子（IPP065N04N）,加上散热片（100X30X15），结果没开一会管子直接挂了（估计最大电流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，准备买TO247的管子了（虽然温升高，起码没坏），挑一个Rds低的。

zc437041363

LV.3

2014-09-19 23:23

@贺赫无名

TO-220封装太小了。。。。 40A啊。。。10A以下差不多。。

恩。我今天试了一个TO220封装的管子（IPP065N04N）,加上散热片（100X30X15），结果没开一会管子直接挂了（估计最大电流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，准备买TO247的管子了（虽然温升高，起码没坏），挑一个Rds低的。

zc437041363

LV.3

2014-09-19 23:24

@ta7698

一般情况下管子引脚不用考虑电流密度问题。

我今天试了一个TO220封装的管子（IPP065N04N）,加上散热片（100X30X15），结果没开一会管子直接挂了（估计最大电流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，准备买TO247的管子了（虽然温升高，起码没坏），挑一个Rds低的。

贺赫无名

LV.9

2014-09-20 16:15

@gnaijnaoul

补充一下： 14楼所说的这些，都是在开关状态下而言。

如果是放大状态，如做电子负载多个管子并联使用时，即使你的散热片的条件是足够的，

但通过MOS的电流要大打折扣。

如IRF3205 是55V 8mohm 69A@100度的管子，例如用在100A/12V大流电电子负载时（一般电池设备上用），这个电流须用多个管子并联后加散热片使用，一般考虑到管子的均流问题，每个MOS管的设计是5A，也是就要20个MOS来完成。。。

Q403920015

LV.6

2014-09-28 16:25

@zc437041363

内阻太大了吧..你选个IPP015N04NG试下 1.5mR

贴片的再看下BSC018N04LSG 内阻 1.8mR

Gate charge total Qg VDD=20 V, ID=30 A,VGS=0 to 4.5 V 54 72 nC

sunsigns

LV.5

2014-09-28 16:40

@zc437041363

听你的解释，感觉很有道理。2.我用的247的管子型号是FS50SM-3，看了下内阻有31mΩ，感觉好大。Qg也要120nC（10V，Vgs）。突然想到会不会升高Vgs，会提高开关管的开关能力（比如流过的电流Ids增大）？[图片]3.4.我这个不是批量生产的，所以用不了哈~今天又试了一个TO220的管子（IPP065N04N）,加上散热片（100X30X15），结果没开一会管子直接挂了（估计最大电流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，准备买TO247的管子了（虽然温升高，起码没坏），挑一个Rds低的。

只看到你说同步整流，不知你在选ControlFET，还是SyncFET

不知你是升压，还是降压

不知你用的驱动形式

我们能做的，也只是在瞎猜一下

工程师都在看

求助：有没有大佬帮我解答一下逆变器的疑惑╰(*°▽°*)╯